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打點(diǎn)/灌膠：如需模擬此制程，需要將進(jìn)澆口BC設(shè)置在溢流區(qū)上，而打點(diǎn)式與灌膠式點(diǎn)膠制程會需要在網(wǎng)格模型完成(最終檢查)后在進(jìn)澆口上設(shè)置對應(yīng)的打點(diǎn)與灌膠路徑。

要注意不同分析模塊需有符合的屬性對象及進(jìn)料類型，如壓縮成型分析需有壓縮區(qū)及移動面、灌膠分析需將進(jìn)料路徑在溢流區(qū)。圖一 制程類型選擇芯片封裝圖二 使用封裝組件產(chǎn)生Hybrid網(wǎng)格2.

進(jìn)澆口在轉(zhuǎn)注制程、底部填膠制程與灌膠式點(diǎn)膠制程是必要的BC也會因?yàn)槠湓O(shè)置決定制程類型。一般來說進(jìn)澆口在建模過程中會在模型頁簽就先建立好了。?移動面：移動面BC描述了模穴中特定面的移動并將Epoxy的壓縮至充填區(qū)域。移動面BC在壓縮類型的制程模擬是必要的，而一般會在模新頁簽中建壓縮區(qū)(Compression Region) 時(shí)一并建立。

? 評估接點(diǎn)間距與接點(diǎn)分布對流動的影響? 優(yōu)化底膠的點(diǎn)膠路徑設(shè)定灌膠? 更真實(shí)且詳細(xì)的點(diǎn)膠頭路徑及給料的可視化 (支持potting & dotting)? 利用完整的物理模型來仿真表面張力引發(fā)現(xiàn)象，如爬膠? 方便的建模工具及設(shè)定接口來重現(xiàn)多樣的制程設(shè)計(jì)

? 評估接點(diǎn)間距與接點(diǎn)分布對流動的影響? 優(yōu)化底膠的點(diǎn)膠路徑設(shè)定灌膠? 更真實(shí)且詳細(xì)的點(diǎn)膠頭路徑及給料的可視化 (支持potting & dotting)? 利用完整的物理模型來仿真表面張力引發(fā)現(xiàn)象，如爬膠? 方便的建模工具及設(shè)定接口來重現(xiàn)多樣的制程設(shè)計(jì)

「毛細(xì)底部填膠」分析的基本程序與「芯片封裝」非常類似。1. 快速范例教學(xué)1) 準(zhǔn)備模型教學(xué) (Prepare Model)點(diǎn)選主頁簽的新增(New)，以用戶指定的名稱與位置建立打點(diǎn)(Dotting)的毛細(xì)底部填膠(CUF)新專案。點(diǎn)選匯入幾何(Import Geometry)匯入封裝組件，或是使用工具頁簽提供的工具來設(shè)計(jì)封裝組件。

基本概念(Basic Concept)本章教程帶您快速的從頭開始分析簡易IC封裝的灌膠制程的仿真工作流程，并分成以下部分：準(zhǔn)備模型、材料與成型條件、底部填膠設(shè)定和執(zhí)行分析。注：本教學(xué)中所介紹的功能僅供演示目的，Moldex3D 支持更多、更多樣的灌膠 (IC) 制程功能。

補(bǔ)充：建議的計(jì)算參數(shù)設(shè)定使用者可在執(zhí)行打點(diǎn)或灌膠分析時(shí)，建議考慮重力因素以及將求解器準(zhǔn)確度設(shè)定為0.1。

基本概念Dotting（打點(diǎn)）與 Potting（灌膠）。 兩者皆為封裝產(chǎn)業(yè)常見制程；Dotting 特色為可高速噴出微小膠量，通常應(yīng)用在微型芯片封裝；Potting 強(qiáng)項(xiàng)在出膠流量較大或會包覆多重組件的應(yīng)用，如大型芯片封裝或電子設(shè)備封灌等。

? 評估接點(diǎn)間距與接點(diǎn)分布對流動的影響? 優(yōu)化底膠的點(diǎn)膠路徑設(shè)定灌膠? 更真實(shí)且詳細(xì)的點(diǎn)膠頭路徑及給料的可視化 (支持potting & dotting)? 利用完整的物理模型來仿真表面張力引發(fā)現(xiàn)象，如爬膠? 方便的建模工具及設(shè)定接口來重現(xiàn)多樣的制程設(shè)計(jì)

打點(diǎn)/灌膠：如需模擬此制程，需要將進(jìn)澆口BC設(shè)置在溢流區(qū)上，而打點(diǎn)式與灌膠式點(diǎn)膠制程會需要在網(wǎng)格模型完成(最終檢查)后在進(jìn)澆口上設(shè)置對應(yīng)的打點(diǎn)與灌膠路徑。

成型底部填膠2) 基本步驟 (Basic Procedures)Moldex3D芯片封裝成型模塊支持不同的芯片封裝成型分析：轉(zhuǎn)注成型分析、毛細(xì)底部填膠分析、成型底部填膠分析、壓縮成型分析、嵌入式晶圓級封裝分析，以及非流動性底部填膠分析／非導(dǎo)電性黏著分析。在Moldex3D開始使用時(shí)，點(diǎn)擊新增來創(chuàng)建新的芯片封裝項(xiàng)目或開啟來使用既有的。

「毛細(xì)底部填膠」分析的基本程序與「芯片封裝」非常類似。1. 快速范例教學(xué)1) 準(zhǔn)備模型教學(xué) (Prepare Model)點(diǎn)選主頁簽的新增(New)，以用戶指定的名稱與位置建立打點(diǎn)(Dotting)的毛細(xì)底部填膠(CUF)新專案。點(diǎn)選匯入幾何(Import Geometry)匯入封裝組件，或是使用工具頁簽提供的工具來設(shè)計(jì)封裝組件。

同時(shí)電池安全性對封裝過程中使用的密封膠提出了更高的性能需求，預(yù)計(jì)也將成為膠粘劑關(guān)注重點(diǎn)。 以一個(gè)CTP磷酸鐵鋰電池包為例，通常需要導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)膠2.5kg，無導(dǎo)熱作用的結(jié)構(gòu)膠1kg，密封膠0.7kg左右。 麒麟電池 CTP3.0 結(jié)構(gòu)用膠點(diǎn)。

同時(shí)電池安全性對封裝過程中使用的密封膠提出了更高的性能需求，預(yù)計(jì)也將成為膠粘劑關(guān)注重點(diǎn)。 以一個(gè)CTP磷酸鐵鋰電池包為例，通常需要導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)膠2.5kg，無導(dǎo)熱作用的結(jié)構(gòu)膠1kg，密封膠0.7kg左右。 麒麟電池 CTP3.0 結(jié)構(gòu)用膠點(diǎn)。

補(bǔ)充：建議的計(jì)算參數(shù)設(shè)定使用者可在執(zhí)行打點(diǎn)或灌膠分析時(shí)，建議考慮重力因素以及將求解器準(zhǔn)確度設(shè)定為0.1。

補(bǔ)充：建議的計(jì)算參數(shù)設(shè)定使用者可在執(zhí)行打點(diǎn)或灌膠分析時(shí)，建議考慮重力因素以及將求解器準(zhǔn)確度設(shè)定為0.1。

補(bǔ)充：建議的計(jì)算參數(shù)設(shè)定使用者可在執(zhí)行打點(diǎn)或灌膠分析時(shí)，建議考慮重力因素以及將求解器準(zhǔn)確度設(shè)定為0.1。

進(jìn)行到前處理的最后一個(gè)步驟，使用者可以點(diǎn)選最終檢查輸出網(wǎng)格模型，此流程需要數(shù)分鐘，若模型無問題，即可執(zhí)行后續(xù)IC封裝模擬的分析設(shè)定。注：執(zhí)行最終檢查后無法再進(jìn)行修改，使用者若想在最終檢查前刪除任一組件的實(shí)體網(wǎng)格，須刪除對應(yīng)的3D組件。補(bǔ)充：建議的計(jì)算參數(shù)設(shè)定使用者可在執(zhí)行打點(diǎn)或灌膠分析時(shí)，建議考慮重力因素以及將求解器準(zhǔn)確度設(shè)定為0.1。

當(dāng)前光伏接線盒可以根據(jù)其工藝的不同劃分為灌膠類和非灌膠類兩種，以下對這兩種不同類型的光伏接線盒進(jìn)行優(yōu)缺點(diǎn)分析，探究光伏接線盒的性能。灌膠類光伏接線盒。灌膠類光伏接線盒體積較小，而且在設(shè)計(jì)時(shí)采用了灌膠措施，具有良好防水性能，可以達(dá)到IP68的防護(hù)等級。