晶體
關(guān)注創(chuàng)建者：星辰_北極星 創(chuàng)建時間：2019-12-14
晶體的視頻教程
基于Abaqus軟件的晶體塑性有限元分析(2)-基于UMAT的晶體塑性有限元程序
為了幫助大家在學習晶體塑性有限元分析過程中少犯錯和少走彎路，系列課程基于Abaqus軟件進行晶體塑性有限元分析(2)-基于UMAT的晶體塑性有限元程序。
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4.DAMASK晶體塑性有限元平臺案例實戰(zhàn)教程——多晶體晶體塑性分析——Mg(HCP)
課程目標： 對DAMASK晶體塑性有限元平臺的運行原理有基本了解 熟悉掌握DAMASK的前后處理 熟練掌握DAMASK譜求解器的使用 熟練掌握Paraview的使用 章節(jié)目錄： 課程簡介 實戰(zhàn)一：(FCC)2D多晶體鋁合金晶體塑性分析 實戰(zhàn)二：(BCC)雙相合金鋼晶體塑性分析 實戰(zhàn)三：(HCP)多晶體晶體塑性分析——Mg 實戰(zhàn)四：單晶取向?qū)ο噜従Я?yīng)力和應(yīng)變分布的影響
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2.DAMASK晶體塑性有限元平臺案例實戰(zhàn)教程——2D多晶體鋁合金晶體塑性分析(FCC)
課程目標： 對DAMASK晶體塑性有限元平臺的運行原理有基本了解 熟悉掌握DAMASK的前后處理 熟練掌握DAMASK譜求解器的使用 熟練掌握Paraview的使用 章節(jié)目錄： 課程簡介 實戰(zhàn)一：(FCC)2D多晶體鋁合金晶體塑性分析 實戰(zhàn)二：(BCC)雙相合金鋼晶體塑性分析 實戰(zhàn)三：(HCP)多晶體晶體塑性分析——Mg 實戰(zhàn)四：單晶取向?qū)ο噜従Я?yīng)力和應(yīng)變分布的影響
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晶體的實例教程
，由于膠體晶體中晶體擇優(yōu)生長而導(dǎo)致的織構(gòu)發(fā)展的研究較少。
晶體塑性有限元仿真入門(5)—歐拉角與晶體取向.pdf
晶體塑性有限元仿真入門(5)—歐拉角與晶體取向
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晶體取向是材料學科中的重要分支，當晶粒發(fā)生擇優(yōu)取向時，則導(dǎo)致材料性能（力學，物理和化學性能）的各向異性。各向異性會造成材料實際應(yīng)用中的各種問題，如鋁合金典型的制耳現(xiàn)象，再如取向硅鋼中存在Goss織構(gòu)時，有利于其磁學性能。在基礎(chǔ)研究領(lǐng)域，織構(gòu)的形成與演變是基本的科學問題。在工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域，通過織構(gòu)的設(shè)計和控制可以提高材料的性能。隨著近年來EBSD和XRD等表征技術(shù)的發(fā)展，各種SCI期刊的發(fā)文都已離不開對材料晶體學取向的分析。這篇文章介紹晶體塑性有限元仿真過程中的歐拉角與晶體取向。
圖1 塑性變形過程導(dǎo)致的材料各向異性
全文包括以下幾個部分：
1) 材料晶體結(jié)構(gòu)
2) EBSD工作原理
3) 晶體取向分析
4) 晶體塑性材料模型
5) 織構(gòu)演變結(jié)果
6) 參考資料
7) 附錄
材料晶體結(jié)構(gòu)
在晶體學中，晶體結(jié)構(gòu)是對晶體材料中原子、離子或分子有序排列的描述。有序結(jié)構(gòu)由組成粒子的內(nèi)在性質(zhì)產(chǎn)生，形成沿物質(zhì)三維空間的主要方向重復(fù)的對稱模式，如圖2所示。
圖2 高分辨率透射電子顯微鏡圖片的鐵晶體，完美單晶的二維示意圖
構(gòu)成這種重復(fù)圖案的材料中最小的一組粒子是結(jié)構(gòu)的晶胞。晶胞完全反映了整個晶體的對稱性和結(jié)構(gòu)，這是通過晶胞沿其主軸重復(fù)平移而建立的。平移向量定義布拉維點陣的節(jié)點，不同的晶體內(nèi)部原子排列稱為具有不同的晶格結(jié)構(gòu)。各種晶格結(jié)構(gòu)可以歸納為七大晶系，各種晶系分別與十四種空間格（稱為Bravais晶格）相對應(yīng)，如圖3所示。
展開 【成果簡介】
有機場效應(yīng)晶體管和近紅外光電晶體管因其在邏輯電路、夜視、健康檢測和紅外成像等各個領(lǐng)域都具有巨大的應(yīng)用潛力，在過去幾十年來受到了全世界眾多研究者的特別關(guān)注。通常來說，敏感度（光信號區(qū)別于暗態(tài)信號）是評價一個近紅外晶體管性能的重要指標。為了獲得一個較高的敏感度和保證理想的晶體管行為，提高晶體管的載流子遷移率和降低暗電流通常是行之有效的方法。相較于傳統(tǒng)的無機紅外光電晶體管材料來說，π共軛有機半導(dǎo)體具有廉價、質(zhì)輕、兼容柔性制備過程和快速室溫溶液加工等眾多優(yōu)勢。然而當前的研究瓶頸問題主要有兩點：1、具有場效應(yīng)遷移率超過1 cm2 V-1s-1 的窄帶隙近紅外材料并不多；2、窄帶隙近紅外材料因為熱激發(fā)在黑暗條件下通常較高載流子密度從而暗電流高居不下。因此，開發(fā)出同時兼具較高場效應(yīng)遷移率和超低暗電流的近紅外有機光電晶體管就顯得尤為重要。超薄二維有機單晶恰好具備了以上兩點優(yōu)勢：一是長程有序無晶界的單晶，有利于制備高電子遷移率的場效應(yīng)晶體管；二是僅有幾個分子層的超薄溝道，在閾值電壓附近可以處于完全耗盡層從而使暗電流得以降低。
近日，天津大學胡文平教授和張小濤副研究員（共同通訊作者）課題組基于本組開發(fā)的“溶液外延”生長方法，成功制備了一種在830 nm近紅外波段具有很強的吸收的呋喃噻吩醌式樣品（TFT-CN）的N型有機二維單晶。制備出的二維晶體最大尺寸可達毫米級別而厚度僅有4.8 nm，對應(yīng)2~3個分子層。經(jīng)過粉末X-射線衍射、偏光顯微鏡、選區(qū)電子衍射等表征，證明了毫米級別的超薄TFT-CN晶體為一整塊單晶并且沒明顯有晶界的存在。以TFT-CN二維有機單晶同時作為吸光層和導(dǎo)電溝道制備而成的有機近紅外光電晶體管顯示出了非常優(yōu)異的性能。晶體管的場效應(yīng)電子遷移率最高為1.36 cm2 V-1s-1，平均為1.04 cm2 V-1s-1，開關(guān)比可達108。
展開 相對功率晶體管而得名，一般以樹脂封裝居多，這是其特點之一。
功率晶體管
一般功率晶體管的功率超過1W。相比小信號晶體管擁有更大的最大集電極電流、最大集電極功率，對于散熱而言，它本身形狀就很大 ，有的功率晶體管上還覆蓋著金屬散熱片。
晶體管"一詞由Transfer（傳送信號）和Resistor（電阻器）組成。構(gòu)成晶體管的硅是形成地球的巖石中大量含有的物質(zhì)。因此，晶體管也俗稱"石"，設(shè)計者常用"…之石"的叫法
3. 按集成度分類
為滿足客戶需求，ROHM在分立式晶體管以外，還制造集成多個晶體管的復(fù)合晶體管。包括內(nèi)置電阻的數(shù)字晶體管、集多個晶體管于一體的晶體管陣列，還有構(gòu)成簡單電路的晶體管單元。
※數(shù)字晶體管
內(nèi)置電阻的晶體管。它是在電路設(shè)計中將頻繁使用的部分標準化的產(chǎn)物。
4. 按形狀分類
根據(jù)功率及安裝形態(tài)，決定了晶體管的外形大小和形狀。大體分為引腳型和表面安裝型。
來源：面包板社區(qū)
展開 圖2.7 三維多相晶體模塊
2.3 加權(quán)晶體模塊
三維加權(quán)晶體模塊可用于生成多相晶體模型，用戶界面如下：
圖2.8 三維長方體邊界加權(quán)晶體模塊
圖2.9 三維圓柱體邊界加權(quán)晶體模塊
該模塊相比于多相晶體模塊，可更加精準控制每一相的占比，生成的每一相中的晶體也更加均勻(體積一致和形狀接近)。
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晶體的最新內(nèi)容
芯片內(nèi)部高度集成射頻收發(fā)單元、頻率發(fā)生器、晶體振蕩器、調(diào)制解調(diào)器等核心功能模塊，具備一對多組網(wǎng)能力，同時支持帶應(yīng)答確認的通信傳輸模式。
器件可靈活配置發(fā)射輸出功率、工作通信頻道與數(shù)據(jù)傳輸速率，適配多樣應(yīng)用場景。
該芯片還內(nèi)置多款外圍貼片阻容感元器件，外圍電路簡潔，整機產(chǎn)品能夠輕松通過 FCC 等各類合規(guī)認證。
kbps）
? 廣播擴展功能 ? 藍牙方向定位：到達角（AoA）與離開角（AoD）? 支持最多16根天線的天線陣列實現(xiàn)精確定位
? 核心組件：
? 32位單片機最高支持160 MHz
? UART閃存下載
? JTAG 調(diào)試接口
? 內(nèi)存：? SiP閃存：2 MB或4 MB ? 288 KB RAM ? 4字節(jié)電容式熔絲
? 時鐘管理：? 外部振蕩器：26 MHz晶體振蕩器
單片機可通過3/4線串行接口配 置顯示參數(shù)和發(fā)送顯示數(shù)據(jù)，也可通過指令進入省電模式Z113+209
特點
? 工作電壓 2.4-5.2V
? 內(nèi)置32 kHz RC振蕩器（上電默認）
? 可外接32kHz時鐘源或32.768KHz晶體振蕩器
? 偏置電壓（BIAS）固定為1/4
? COM周期（DUTY）固定為1/8
與 STACK 求解器不同，RCWA 求解器適用于具有層幾何形狀周期性變化的結(jié)構(gòu)，例如光子晶體和衍射光柵。由于仿真時間通常遠短于 FDTD，RCWA 求解器是分析這類周期性結(jié)構(gòu)的理想工具。
RCWA 方法原理
RCWA 方法是一種用于求解多層結(jié)構(gòu)中麥克斯韋方程的半解析技術(shù)。在該方法中，結(jié)構(gòu)沿傳播方向被劃分為一系列均勻的層。
普通功率MOS管（通常指?功率MOSFET?，即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種?電壓控制型?半導(dǎo)體器件，廣泛用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、電源管理等大電流、高效率場景。其核心工作原理基于?柵極電壓對導(dǎo)電溝道的調(diào)控?。
工采網(wǎng)代理的普通功率MOS管 - ?MOT10N65F?是一款 ?N溝道增強型功率 MOSFET?，專為高壓、高頻開關(guān)應(yīng)用設(shè)計。
參展主題：
電子元器件: 半導(dǎo)體 、 電子顯示器件 、模塊 、 電路板 、 電線電 纜 、功能器件(蜂鳴器 、磁頭 、微電機 、傳感器等) 、無源元件 (電阻 、電容 、變壓器 、晶體等) 、連接器件(連接器/開關(guān)/繼電 器等) 、磁性材料 、工業(yè)設(shè)備 、電池和材料 、其它電子元器件相 關(guān)產(chǎn)品等。
它巧妙地平衡了晶粒間的應(yīng)力與應(yīng)變分配，既考慮了晶粒形貌的影響，也能精確捕捉由于晶體轉(zhuǎn)動引起的織構(gòu)演變。
對于從事鋁合金、鎂合金等具有顯著各向異性材料研究的同學來說，VPSC是預(yù)測材料在復(fù)雜加工路徑下表現(xiàn)的有力工具。然而，原生的 VPSC 通常是針對均勻變形設(shè)計的，面對實際工程中復(fù)雜的幾何邊界和非均勻變形（如軋制、沖壓），它需要一個更強大的載體。
使用FFT作為邊值問題的求解器，使用固定點迭代完成內(nèi)部的晶體塑性迭代。使用經(jīng)典的位錯密度模型計算硬化和熱激活流動方程計算滑移系的剪切變形。
初始RVE模型使用neper建模，建立一個包含100個晶粒的多晶模型：
matlab導(dǎo)入幾何模型網(wǎng)格：
并沿著X方向進行1.0%的拉伸變形，所有量綱使用m-s-pa。
傳統(tǒng)室溫本構(gòu)模型通常需要依賴大量不同溫度、不同加載路徑下的實驗數(shù)據(jù)進行擬合，很難真正解釋“溫度如何影響晶體滑移和多晶塑性響應(yīng)”。
Cyr 等人針對這一問題提出了一個三維熱-彈-黏塑性晶體塑性模型，即 TEV 模型，用于描述 FCC 多晶材料，特別是 AA5754 鋁合金在升溫條件下的力學行為。該模型的核心思想是：材料變形不僅包含彈性變形和晶體塑性滑移，還需要顯式考慮熱膨脹變形。
這篇文章對我們的啟發(fā)在于：晶體塑性并不只能用于單晶拉伸、RVE 或微觀變形分析，也可以嵌入顯式動力學框架，用于研究真實工程結(jié)構(gòu)中的局部變形、吸能和織構(gòu)演化。對于高溫合金、鋁合金薄壁件、微尺度構(gòu)件等問題，如果材料存在明顯織構(gòu)或晶粒尺度效應(yīng)，將晶體塑性與結(jié)構(gòu)有限元耦合，能夠提供比傳統(tǒng)本構(gòu)更豐富的物理信息。
