晶體的案例
《PNAS》：蒸發(fā)誘導(dǎo)的膠體晶體中晶體擇優(yōu)生長的微觀起源
，由于膠體晶體中晶體擇優(yōu)生長而導(dǎo)致的織構(gòu)發(fā)展的研究較少。
天津大學(xué):基于N型二維有機單晶的高性能場效應(yīng)晶體管和近紅外光電晶體管
【成果簡介】
有機場效應(yīng)晶體管和近紅外光電晶體管因其在邏輯電路、夜視、健康檢測和紅外成像等各個領(lǐng)域都具有巨大的應(yīng)用潛力，在過去幾十年來受到了全世界眾多研究者的特別關(guān)注。通常來說，敏感度（光信號區(qū)別于暗態(tài)信號）是評價一個近紅外晶體管性能的重要指標。為了獲得一個較高的敏感度和保證理想的晶體管行為，提高晶體管的載流子遷移率和降低暗電流通常是行之有效的方法。相較于傳統(tǒng)的無機紅外光電晶體管材料來說，π共軛有機半導(dǎo)體具有廉價、質(zhì)輕、兼容柔性制備過程和快速室溫溶液加工等眾多優(yōu)勢。然而當(dāng)前的研究瓶頸問題主要有兩點：1、具有場效應(yīng)遷移率超過1 cm2 V-1s-1 的窄帶隙近紅外材料并不多；2、窄帶隙近紅外材料因為熱激發(fā)在黑暗條件下通常較高載流子密度從而暗電流高居不下。因此，開發(fā)出同時兼具較高場效應(yīng)遷移率和超低暗電流的近紅外有機光電晶體管就顯得尤為重要。超薄二維有機單晶恰好具備了以上兩點優(yōu)勢：一是長程有序無晶界的單晶，有利于制備高電子遷移率的場效應(yīng)晶體管；二是僅有幾個分子層的超薄溝道，在閾值電壓附近可以處于完全耗盡層從而使暗電流得以降低。
近日，天津大學(xué)胡文平教授和張小濤副研究員（共同通訊作者）課題組基于本組開發(fā)的“溶液外延”生長方法，成功制備了一種在830 nm近紅外波段具有很強的吸收的呋喃噻吩醌式樣品（TFT-CN）的N型有機二維單晶。制備出的二維晶體最大尺寸可達毫米級別而厚度僅有4.8 nm，對應(yīng)2~3個分子層。經(jīng)過粉末X-射線衍射、偏光顯微鏡、選區(qū)電子衍射等表征，證明了毫米級別的超薄TFT-CN晶體為一整塊單晶并且沒明顯有晶界的存在。以TFT-CN二維有機單晶同時作為吸光層和導(dǎo)電溝道制備而成的有機近紅外光電晶體管顯示出了非常優(yōu)異的性能。晶體管的場效應(yīng)電子遷移率最高為1.36 cm2 V-1s-1，平均為1.04 cm2 V-1s-1，開關(guān)比可達108。
展開 晶體塑性有限元仿真入門(5)—歐拉角與晶體取向
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晶體塑性有限元仿真入門(5)—歐拉角與晶體取向
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晶體取向是材料學(xué)科中的重要分支，當(dāng)晶粒發(fā)生擇優(yōu)取向時，則導(dǎo)致材料性能（力學(xué)，物理和化學(xué)性能）的各向異性。各向異性會造成材料實際應(yīng)用中的各種問題，如鋁合金典型的制耳現(xiàn)象，再如取向硅鋼中存在Goss織構(gòu)時，有利于其磁學(xué)性能。在基礎(chǔ)研究領(lǐng)域，織構(gòu)的形成與演變是基本的科學(xué)問題。在工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域，通過織構(gòu)的設(shè)計和控制可以提高材料的性能。隨著近年來EBSD和XRD等表征技術(shù)的發(fā)展，各種SCI期刊的發(fā)文都已離不開對材料晶體學(xué)取向的分析。這篇文章介紹晶體塑性有限元仿真過程中的歐拉角與晶體取向。
圖1 塑性變形過程導(dǎo)致的材料各向異性
全文包括以下幾個部分：
1) 材料晶體結(jié)構(gòu)
2) EBSD工作原理
3) 晶體取向分析
4) 晶體塑性材料模型
5) 織構(gòu)演變結(jié)果
6) 參考資料
7) 附錄
材料晶體結(jié)構(gòu)
在晶體學(xué)中，晶體結(jié)構(gòu)是對晶體材料中原子、離子或分子有序排列的描述。有序結(jié)構(gòu)由組成粒子的內(nèi)在性質(zhì)產(chǎn)生，形成沿物質(zhì)三維空間的主要方向重復(fù)的對稱模式，如圖2所示。
圖2 高分辨率透射電子顯微鏡圖片的鐵晶體，完美單晶的二維示意圖
構(gòu)成這種重復(fù)圖案的材料中最小的一組粒子是結(jié)構(gòu)的晶胞。晶胞完全反映了整個晶體的對稱性和結(jié)構(gòu)，這是通過晶胞沿其主軸重復(fù)平移而建立的。平移向量定義布拉維點陣的節(jié)點，不同的晶體內(nèi)部原子排列稱為具有不同的晶格結(jié)構(gòu)。各種晶格結(jié)構(gòu)可以歸納為七大晶系，各種晶系分別與十四種空間格（稱為Bravais晶格）相對應(yīng)，如圖3所示。
展開 非等速生長Voronoi晶體模型生成插件
(2) 圓柱邊界三維晶體模型
用于生成圓柱邊界非等速生長Voronoi晶體模型，具體參數(shù)輸入如下：
圖3.2圓形邊界非等速生長晶體模型模塊
(3) 球邊界二維晶體模型
用于生成球邊界非等速生長Voronoi晶體模型，具體參數(shù)輸入如下：
圖3.3 矩形邊界非等速生長晶體模型模塊
(4) 長方體拉伸型晶體模型
用于生成長方體拉伸型非等速生長Voronoi晶體模型，具體參數(shù)輸入如下：
圖3.4 圓形邊界非等速生長晶體模型模塊
(5) 圓柱拉伸型晶體模型
用于生成圓柱拉伸型非等速生長Voronoi晶體模型，具體參數(shù)輸入如下：
圖3.5 矩形邊界非等速生長晶體模型模塊
離散非等速生長晶體模型模塊
用于生成離散網(wǎng)格型非等速生長Voronoi晶體模型，具體參數(shù)輸入如下：
圖4.1 離散網(wǎng)格非等速生長晶體模型模塊
圖(a) 二維離散網(wǎng)格晶體模型
圖(b) 三維離散網(wǎng)格晶體模型
圖4.2 離散網(wǎng)格非等速生長晶體模型模塊
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科普 | 晶體管的分類
相對功率晶體管而得名，一般以樹脂封裝居多，這是其特點之一。
功率晶體管
一般功率晶體管的功率超過1W。相比小信號晶體管擁有更大的最大集電極電流、最大集電極功率，對于散熱而言，它本身形狀就很大 ，有的功率晶體管上還覆蓋著金屬散熱片。
晶體管"一詞由Transfer（傳送信號）和Resistor（電阻器）組成。構(gòu)成晶體管的硅是形成地球的巖石中大量含有的物質(zhì)。因此，晶體管也俗稱"石"，設(shè)計者常用"…之石"的叫法
3. 按集成度分類
為滿足客戶需求，ROHM在分立式晶體管以外，還制造集成多個晶體管的復(fù)合晶體管。包括內(nèi)置電阻的數(shù)字晶體管、集多個晶體管于一體的晶體管陣列，還有構(gòu)成簡單電路的晶體管單元。
※數(shù)字晶體管
內(nèi)置電阻的晶體管。它是在電路設(shè)計中將頻繁使用的部分標準化的產(chǎn)物。
4. 按形狀分類
根據(jù)功率及安裝形態(tài)，決定了晶體管的外形大小和形狀。大體分為引腳型和表面安裝型。
來源：面包板社區(qū)
展開 [VirtualLab] 各向異性方解石晶體的雙折射效應(yīng)
[VirtualLab] 各向異性方解石晶體的雙折射效應(yīng)
在本示例中，描述了如何利用VirtualLab Fusion對雙折射進行仿真，并分析入射偏振態(tài)和晶體厚度對雙折射效應(yīng)的影響。
2. 系統(tǒng)建模
3. 單軸晶體的雙折射現(xiàn)象
當(dāng)光束沿晶體光軸軸方向傳播 (其場向量因此在垂直于光軸的平面上)至晶體，不會發(fā)生雙折射現(xiàn)象，并將以單一速度通過晶體。然而，當(dāng)如何光束的傳輸方向與光軸存在夾角，將會隨其進入晶體產(chǎn)生兩種透射模態(tài)(尋常和異常)。兩種模態(tài)在晶體中具有不同的速度，且偏振方向相互垂直。這種就是著名的雙透射或雙折射現(xiàn)象。
探測器上的場追跡結(jié)果。注意，為適應(yīng)不同偏振方向?qū)μ綔y器進行了旋轉(zhuǎn)
4. 對于不同初始偏振態(tài)的雙折射
5. 不同晶體厚度的雙折射
6. 文件信息
了解更多
- Optically Anisotropic Media in VirtualLab Fusion
- Conical Refraction in Biaxial Crystals
- Polarization Conversion in Uniaxial Crystals
展開 一個好用的Abaqus晶體塑性模型生成插件-Voronoi模型
圖2.7 三維多相晶體模塊
2.3 加權(quán)晶體模塊
三維加權(quán)晶體模塊可用于生成多相晶體模型，用戶界面如下：
圖2.8 三維長方體邊界加權(quán)晶體模塊
圖2.9 三維圓柱體邊界加權(quán)晶體模塊
該模塊相比于多相晶體模塊，可更加精準控制每一相的占比，生成的每一相中的晶體也更加均勻(體積一致和形狀接近)。
簡述晶體管的發(fā)展史
例如，一個 100nm 尺寸的 MOSFET 可能會遇到短溝道效應(yīng)，從而對晶體管的性能產(chǎn)生不利影響。更重要的是，納米尺寸的硅晶體管會經(jīng)歷高溝道泄漏電流。
2016 年，勞倫斯伯克利國家實驗室的一個團隊聲稱創(chuàng)造了世界上最小的晶體管，尺寸為 1nm。
為了解決這些限制，研究人員現(xiàn)在正在研究制造晶體管的納米技術(shù)材料。最近，研究人員探索了二維超薄單層材料，例如二硫化鉬，以制造比微型硅晶體管更可靠的晶體管。碳納米管和石墨烯也是有希望替代晶體管中硅的材料。
此外，德累斯頓工業(yè)大學(xué)的一組研究人員最近報道了“世界上第一個”高效有機雙極結(jié)晶體管。該團隊使用基于 n 型和 p 型摻雜紅熒烯晶體薄膜的高度有序的薄有機層來開發(fā)有機雙極晶體管。這些晶體管可以提高數(shù)據(jù)處理和傳輸?shù)男阅堋?/span>
展開 Abaqus晶體塑性有限元三維泰森多邊形（voronoi模型）插件 V9.0
完整功能介紹
2.1 二維Voronoi模型
2.1.1 基礎(chǔ)晶體模塊
二維基礎(chǔ)晶體模塊包括矩形和圓形邊界子模塊，用戶界面如下：
圖2.1 二維基礎(chǔ)晶體模塊(矩形邊界)
圖2.2 二維基礎(chǔ)晶體模塊(圓形邊界)
模塊提供兩種算法，Random和Uniform算法，兩種算法生成的晶體示例如下：
圖2.3 不同生成算法下的矩形邊界二維晶體模型示例
圖2.4 不同生成算法下的圓形邊界二維晶體模型示例
2.1.2 B樣條晶體模塊
該模塊會對生成的二維晶體進行B樣條填充，其用戶界面如下：
圖2.5 二維B樣條晶體模塊
該模塊可生成開放和封閉式兩種B樣條填充模型，具體示例如下：
圖2.6 開放和封閉式B樣條填充晶體模型示例
2.1.3 加權(quán)晶體模塊
該模塊可用于生成多相二維Voronoi晶體模型，可分別控制每一相的占比，其用戶界面如下：
圖2.7 二維矩形邊界加權(quán)晶體模塊
圖2.8 二維圓形邊界加權(quán)晶體模塊
2.1.4 梯度晶體模塊
該模塊可用于生成二維梯度Voronoi晶體模型，其用戶界面如下：
圖2.9 二維梯度晶體模塊
2.1.5 周期性晶體模塊
該模塊可用于生成二維周期Voronoi晶體模型，其用戶界面如下：
圖2.10 二維周期性晶體模塊
2.1.6 柱狀晶體模塊
該模塊可用于生成二維柱狀Voronoi晶體模型，其用戶界面如下：
圖2.11 二維柱狀晶體模塊
2.1.7 分層晶體模塊
該模塊可用于生成二維多層Voronoi晶體模型，可分別控制每一層晶體的大小和厚度
展開 碳化硅功率晶體的設(shè)計發(fā)展及驅(qū)動電壓限制
(a)
(b)
圖8 (a)正極性驅(qū)動電壓準位 (b)負極性驅(qū)動電壓準位與門極閾值電壓漂移大小關(guān)系
為了避免碳化硅功率晶體的門極閾值電壓在長時間的使用之下，產(chǎn)生過高的門極閾值電壓漂移，原則上，必須遵照資料手冊的建議值來使用及確認功率晶體的門極電壓值。如圖9所示，為了不造成碳化硅功率晶體的門極電壓大幅度漂移，針對其驅(qū)動電壓的建議值及最大可以接受的電壓峰值，其中，值得注意的是，門極電壓的測量結(jié)果應(yīng)該盡量排除封裝引腳的影響。
圖9 碳化硅功率晶體的驅(qū)動電壓限制值
綜上所述，目前碳化硅功率晶體的發(fā)展主要在于幾個方向：1.降低單位晶粒面積下的通態(tài)電阻；2.提高功率晶體門極可靠度3.在不影響驅(qū)動位準的大前提下降低驅(qū)動電壓位準。這些設(shè)計上的挑戰(zhàn)，都由碳化硅功率晶體的設(shè)計者來構(gòu)思及突破，而主流的碳化硅功率晶體在結(jié)構(gòu)上分為兩大類，平面式及溝槽式的碳化硅功率晶體，平面式的碳化硅功率晶體受限于晶體缺陷及電子遷移速度，大多采用較低的臨界門極電壓，并建議在橋式電路中采用負電壓截止驅(qū)動電路 ，用以減少在橋式電路中功率晶體交互驅(qū)動時可能產(chǎn)生的可能的誤導(dǎo)通；反之溝槽式的碳化硅功率晶體，采用具有較高電子遷移速度的晶體平面做為通道，可以設(shè)計較高的臨界門極電壓，并且不需要任何的負電壓截止驅(qū)動電路。對于碳化硅功率晶體的用戶而言，驅(qū)動電路設(shè)計相對簡單，只需要提高驅(qū)動電壓到合適的電壓值，就能夠享受碳化硅功率晶體帶來的優(yōu)點。
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2.1.1 基礎(chǔ)晶體模塊
二維基礎(chǔ)晶體模塊包括矩形和圓形邊界子模塊，用戶界面如下：
圖2.1 二維基礎(chǔ)晶體模塊(矩形邊界)
圖2.2 二維基礎(chǔ)晶體模塊(圓形邊界)
模塊提供兩種算法，Random和Uniform算法，兩種算法生成的晶體示例如下：
圖2.3 不同生成算法下的矩形邊界二維晶體模型示例
圖2.4 不同生成算法下的圓形邊界二維晶體模型示例
2.1.2 B樣條晶體模塊
該模塊會對生成的二維晶體進行B樣條填充，其用戶界面如下：
圖2.5 二維B樣條晶體模塊
該模塊可生成開放和封閉式兩種B樣條填充模型，具體示例如下：
圖2.6 開放和封閉式B樣條填充晶體模型示例
2.1.3 加權(quán)晶體模塊
該模塊可用于生成多相二維Voronoi晶體模型，可分別控制每一相的占比，其用戶界面如下：
圖2.7 二維矩形邊界加權(quán)晶體模塊
圖2.8 二維圓形邊界加權(quán)晶體模塊
2.1.4 梯度晶體模塊
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圖2.9 二維梯度晶體模塊
2.1.5 周期性晶體模塊
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2.1.7 分層晶體模塊
該模塊可用于生成二維多層Voronoi晶體模型，可分別控制每一層晶體的大小和厚度，其用戶界面如下：
圖2.12 二維分層晶體模塊
2.1.8 核殼晶體模塊
該模塊可用于生成二維核殼Voronoi
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一種新型的晶體管亮相
來源：內(nèi)容編譯自「electropages」
最
近
，普渡大學(xué)的研究人員宣布開發(fā)一種稱為 CasFET 的新晶體管技術(shù)，該技術(shù)可能有助于進一步減小晶體管的尺寸。
自第一個集成電路開發(fā)以來，摩爾定律的想法迫使半導(dǎo)體制造商每兩年將半導(dǎo)體芯片上的晶體管數(shù)量增加一倍。這個翻倍為技術(shù)進步做出了巨大貢獻，因為可以借此提高設(shè)備的處理能力、增加內(nèi)存大小并實現(xiàn)高速通信。
然而，晶體管現(xiàn)在開始達到原子級，進一步縮小它們的尺寸給半導(dǎo)體行業(yè)帶來了前所未有的挑戰(zhàn)。例如，原子級器件表現(xiàn)出電子隧道效應(yīng)等量子效應(yīng)，使得絕緣層難以生產(chǎn)。原子級晶體管面臨的另一個挑戰(zhàn)是散粒噪聲，它是由使用的非常小的電流（與單個電子的隨機運動相比）產(chǎn)生的。
所有這些挑戰(zhàn)都讓研究人員轉(zhuǎn)向創(chuàng)造性的設(shè)計和方法來開發(fā)功能設(shè)備。較新的之一英特爾開發(fā)的技術(shù)是 RibbonFET，一種晶體管，其通道被分成多條完全被柵極包圍的導(dǎo)
最近，普渡大學(xué)的研究人員開發(fā)了一種稱為級聯(lián)場效應(yīng)晶體管（Cascade Field-Effect Transistors）的新晶體管技術(shù)，或簡稱為 CasFET。新器件的外觀與 RibbonFET 相似，通道完全被柵極包圍。然而，CasFET 的出現(xiàn)是相似之處的結(jié)束，據(jù)研究人員稱，新晶體管的作用非常不同。
第一個主要區(qū)別是，與使用定義的導(dǎo)帶和價帶的標準晶體管不同，CasFET 使用可以存在電子的子帶。據(jù)研究人員稱，晶體管的行為更像是量子級聯(lián)激光器，而不是典型的 FET 器件用于電子產(chǎn)品。
展開 晶體管BJT和MOSFET是如何工作的?
晶體管是一個簡單的組件，可以使用它來構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設(shè)計中使用它們。
一旦你了解了晶體管的基本知識，這其實是相當(dāng)容易的。我們將集中討論兩個最常見的晶體管：BJT和MOSFET。
晶體管的工作原理就像電子開關(guān)，它可以打開和關(guān)閉電流。一個簡單的思考方法就是把晶體管看作沒有任何動作部件的開關(guān)，晶體管類似于繼電器，因為你可以用它來打開或關(guān)閉一些東西。當(dāng)然了晶體管也可以部分打開，這對于放大器的設(shè)計很有用。
1 晶體管BJT的工作原理
讓我們從經(jīng)典的NPN晶體管開始。
下圖是個雙極結(jié)晶體管(BJT)，有三個引腳：
基極(B)
集電極(C)
發(fā)射極(E)
如果你打開它，電流可以通過它從集電極到發(fā)射極。當(dāng)它關(guān)閉時，沒有電流流過。
在下面的示例電路中，晶體管是關(guān)著的。這意味著沒有電流可以通過它，所以發(fā)光二極管也被關(guān)閉了。
要打開晶體管，基極和發(fā)射極之間的電壓約為0.7V。
如果你有一個0.7V的電池，你可以把它連接到基極和發(fā)射極之間，晶體管就會打開。
既然我們大多數(shù)人沒有0.7V的電池，我們怎么打開晶體管？
很簡單！晶體管的基極到發(fā)射極部分的工作原理是二極管，二極管有一個正向電壓，它會從可用電壓中“抓取”這部分電壓。如果你在串聯(lián)中加入一個電阻器，其余的電壓就會在電阻器上分壓。
因此，增加一個電阻器，你會自動獲得0.7V左右。這和你通過LED限制電流確保它不會爆炸是一樣的原理。
展開 晶體管，到底是誰發(fā)明的？
巴丁和布拉頓發(fā)明的晶體管，實際上應(yīng)該叫做點接觸式晶體管。從下圖中也可以看出，這種設(shè)計過于簡陋。雖然它實現(xiàn)了放大功能，但結(jié)構(gòu)脆弱，對外界震動敏感，也不易制造，不具備商業(yè)應(yīng)用的能力。
肖克利看準了這個缺陷，開始閉關(guān)研究新的晶體管設(shè)計。1948年1月23日，經(jīng)過一個多月的努力，肖克利提出了一種具有三層結(jié)構(gòu)的新型晶體管模型，并將其名為結(jié)式晶體管（Junction Transistor）。這一年的6月26日，肖克利如愿獲得了只有自己名字的專利（專利號：US2569347A）。
肖克利的專利一開始是受到廣泛質(zhì)疑的，很多人認為這個模型無法實現(xiàn)。后來，1950年，肖克利的同事兼好友摩根·斯卡帕斯（Morgan Sparks）和高登·蒂爾合作，經(jīng)過一系列嘗試，成功使用直拉法制作出了NPN型晶體管實物，才算給肖克利證名。
手握晶體管的肖克利
這一年的11月，肖克利發(fā)表了論述半導(dǎo)體器件原理的著作《半導(dǎo)體中的電子和空穴》，從理論上詳細闡述了結(jié)型晶體管的原理。
1951年初，結(jié)式晶體管的指標全面超過了點接觸式晶體管。肖克利在晶體管發(fā)明上的貢獻，終于得到了貝爾實驗室上下的一致認可（至少是技術(shù)水平上的認可）。
█
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)爆發(fā)，研究團隊散伙
晶體管的誕生，對于人類科技發(fā)展擁有極為重要的意義。它擁有電子管的能力，卻克服了電子管的缺點。從它誕生的那一刻，就決定了它將實現(xiàn)對電子管的全面取代。
進入50年代，晶體管發(fā)展進入了井噴期。晶體提純技術(shù)、光刻技術(shù)等全面爆發(fā)，可以說是日新月異。
展開 FEMAG藍寶石晶體生長數(shù)值模擬方案
1.2 藍寶石晶體常用生長方法
藍寶石工業(yè)價值很高，可以通過人工生長的方法來獲取。藍寶石晶體生長方式可劃分為溶液生長、熔體生長、氣相生長三種，其中熔體生長方式因具有生長速率快，純度高和晶體完整性好等特點，而成為最常用的晶體生長方式。工業(yè)上常用的藍寶石晶體熔體生長方法有直拉法，泡生法，熱交換法等。如何低成本、高質(zhì)量地生長大尺寸藍寶石單晶已成為當(dāng)前面臨的迫切任務(wù)。
1.2.1 直拉法
直拉法又丘克拉斯基法(Czochralskimethod，簡稱CZ法)，是一種從熔體中生長高質(zhì)量單晶的方法。提拉法的生長工藝首先將晶體原料放在耐高溫的坩堝中加熱熔化，調(diào)整爐內(nèi)溫度場，使熔體上部處于過冷狀態(tài)；然后在籽晶桿上安放一粒籽晶，讓籽晶接觸熔體表面，待籽晶表面稍熔后，提拉并轉(zhuǎn)動籽晶桿，使熔體處于過冷狀態(tài)而結(jié)晶于籽晶上，在不斷提拉和旋轉(zhuǎn)過程中，生長出圓柱狀晶體，示意圖如下。
CZ法的技術(shù)特點有：
1) 在晶體生長過程中，可以方便的觀察晶體的生長情況；
2) 晶體在自由液面生長，不受坩堝的強制作用，可降低晶體的應(yīng)力；
3) 可以方便的使用所需取向籽晶和“縮頸”工藝，有助于以比較快的速率生長較高質(zhì)量的晶體，晶體完整性較好；
4) 晶體、坩堝轉(zhuǎn)動引起的強制對流和重力作用引起的自然對流相互作用，使復(fù)雜液流作用不可克服，易產(chǎn)生晶體缺陷；
5) 機械擾動在生長大直徑晶體時容易使晶體產(chǎn)生缺陷。
1.2.2 泡生法
泡生法又稱之為凱氏長晶法(Kyropoulos method)。是目前應(yīng)用最廣泛的藍寶石晶體生長方法，約占市場份額的70%。
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