ANSYS SI/PI/EMI&TI 2019 R3 新功能介紹 
2019R3版本在易用性，求解速度，多物理場平臺整合等方面都做出了非常多的改進和提升。本直播會向用戶展示ANSYS 2019R3在SI/PI/EMI/TI方面做出的更新和改進，幫助用戶更好的掌握HFSS/SIwave等模塊在高速設計領域的新功能，為用戶提供更快、更準的高速解決方案。
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Ansys中國 ??? 6年前
ANSYS SI/PI/EMI 2020 R1新功能介紹 
適用人群：si工程師，layout工程師，EMC工程師，硬件設計工程師，硬件測試工程師ANSYS SI/PI/EMI 2020 R1新功能介紹【已結束】? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?直播時間：2020-02-27 16:00SI/PI/EMC仿真分析是電子設備電磁性能設計優化非常關鍵的工作內容，ANSYS 2020 R1版本針對該領域對各個軟件模塊進行了各項功能升級
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Ansys中國 ??? 6年前
Ansys SI/PI 2023 R1新功能介紹 
Ansys SI/PI 2023 R1新功能介紹
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技術鄰公告 ??? 3年前
SiC產品和Si產品的兩點比較 
SiC-SBD和Si-PN結二極管 通過Si二極管來應對SBD以上的耐壓的是PN結二極管（稱為“PND”）。下圖為Si-PN二極管的結構。SBD是僅電子移動，電流流動，而PN結二極管是通過電子和空穴（孔）使電流流動。
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EDC電驅未來 ??? 4年前
SiC產品和Si產品的兩點比較 
下面我們來了解其原因和實際特性。 簡單地說,trr的速度和反向恢復特性的不同是因為二極管構造不同。這就需要談到在半導體中移動的電子和空穴。先通過波形圖來了解SiC-SBD和Si-PND反向恢復特性的不同。 上方波形圖為SiC-SBD和高速PND即Si-FRD反向恢復時的電流和時間。
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半導體材料與工藝設備 ??? 4年前
化工人一定要了解儀表安全等級Esd和SIS的區別！ 
其中AK4、AK5、AK6為適用于石油和化學工業 取得TUV認證的SIS產品 不同的工業過程（如生產規模、原料和產品的種類、工藝和設備的復雜程度等）對安全的要求是不同的。上述的國際標準將其劃分為若干安全完整性等級（SIL：Safety Integrity Level）。
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金屬材料的世界 ??? 3年前
面板｜三星顯示可折疊IT產品用玻璃蓋板同時考慮UTG和透明PI膜 
根據8月26日業界消息，三星顯示正在研究所同步研究可折疊IT產品用玻璃蓋板（Cover Window）同時研究采用超薄玻璃(UTG)和透明聚酰亞胺(PI)薄膜兩種方案。IT產品是指平板電腦和筆記本電腦等大尺寸顯示產品。據推測，三星顯示將超薄玻璃UTG和透明PI薄膜一起考慮作為可折疊IT產品用Cover Window，主要是考慮到產品的耐久性。
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CINNO ??? 3年前
干貨分享｜SiC產品和Si產品的兩點比較 
SiC-SBD和Si-PN結二極管通過Si二極管來應對SBD以上的耐壓的是PN結二極管（稱為“PND”）。下圖為Si-PN二極管的結構。SBD是僅電子移動，電流流動，而PN結二極管是通過電子和空穴（孔）使電流流動。通過在n-層積蓄少數載流子的空穴使阻值下降，從而同時實現高耐壓和低阻值，但關斷的速度會變慢。
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平頭叔 ??? 4年前
范詠峰老師解讀SIS和BPCS的共用問題，儀表人快來學習~ 
如果SIS和BPCS共用控制閥，為BPCS故障初始原因和SIS存在共因失效，當共用的控制閥故障，會同時造成BPCS和SIS的失效，存在同時失去BPCS和SIS各自承擔的削減風險能力的可能性。
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化工活動家 ??? 4年前
附資料下載 | ANSYS SI/PI 2022 新功能介紹 
四、Slwave產品功能更新 Mesh Fusion融合網格技術和Phi Plus初始網格剖分器的結合對于復雜設計的典型應用如多個wire bone的封裝。IC和GDS工作流程工作流程和設置實現自動化；建模實現按區域內求解。3D布局組件功能更新任何EDB都可以作為封裝數據處理的組件。
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上海安世亞太 ??? 4年前
技術分享丨淺談SiP系列-常用軟件工具篇（上） 
從而有助于解決高速電路設計中日益突出的各種PI和SI問題：如信號和電源網絡布線質量的定量分析和耦合分析，電源平面的噪聲分布和去耦電容的放置，封裝的電磁輻射，封裝結構中可能存在的諧振模式，以及走線的整體阻抗檢查和耦合分析等。PowerSI可以在布局布線前用于創建PI和SI的布線規范，也可以在布局布線后用于發現或改善潛在的設計風險。
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圖元TOPBRAIN ??? 3年前
五分鐘看完SiP設計EDA流程 
從而有助于解決高速電路設計中日益突出的各種PI和SI問題：如信號和電源網絡布線質量的定量分析和耦合分析，電源平面的噪聲分布和去耦電容的放置，封裝的電磁輻射，封裝結構中可能存在的諧振模式，以及走線的整體阻抗檢查和耦合分析等。PowerSI可以在布局布線前用于創建PI和SI的布線規范，也可以在布局布線后用于發現或改善潛在的設計風險。
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圖元TOPBRAIN ??? 3年前
Altair系列視頻 I 世界頂尖的電子系統設計系列 
六.Altair PollEx 致力于板級SI-PI仿真歡迎工程經理、電氣/電子設計工程師、SI/PI專家、EMC 工程師、產品工程師、PCB/布局設計師和PCB制造工程師等工程技術人員前來觀看。
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技術鄰公告 ??? 3年前
華為芯片堆疊封裝設計專利刷屏，請和我一起仿真計算和驗證 
但是3D封裝面臨一系列如SI(Signal Integrity)、PI(Power Integrity)、Thermal，Mechanical等問題。 要解決的是不同功能芯片之間信號傳遞功能，要求信號路徑盡可能小來保證SI要求。
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安世亞太 ??? 3年前
世界頂尖的電子系統設計網絡研討會系列 
六.Altair PollEx 致力于板級SI-PI仿真利用 Altair? PollEx 進行板級SI、PI仿真，加速PCB產品設計過程網絡研討會內容大綱：1. PCB設計面臨的諸多挑戰2. PollEx 功能介紹與工作流程3. PollEx 基于規則的快速驗證4.
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ALTAIR ??? 3年前
電源完整性仿真與EMC分析 
三、高速PCB的電源完整性仿真要領與實例 高速PCB的SI與PI分析是高速電路設計的重要部分，SI和PI兩者是相輔相成的關系，完善的PI
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電子設計聯盟 ??? 4年前
你會喜歡那個 Pi 的一些 CFD 嗎？ 
雖然我對 Momentum Analysis 和 Rheologic 所做的工作感到滿意，但我很高興我沒有停止使用預編譯的 OpenFOAM 構建。撕毀電子設備、解密錯誤消息以及學習如何在適合我手掌的設備上編譯和運行 CFD 軟件真是太棒了。如果您對這個項目感興趣并計劃購買自己的 Raspberry Pi，這里有一些我在此過程中學到的經驗教訓。 使用良好的電源。
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Fidelity CFD ??? 3年前
功率模塊封裝用高熱導率Si3N4陶瓷的研究進展 
圖16.不同預燒結溫度對兩步燒結后 Si3N4 微結構的影響((a)1500 ℃， (b)1525 ℃， (c)1550 ℃和(d)1600 ℃), (e)預燒結和兩不同預燒結溫度對兩步燒結后 Si3N4 微結構的影響((a)1500 ℃， (b)1525 ℃， (c)1550 ℃和(d)1600 ℃), (e)預燒結和兩步燒結后Si3N4樣品的相對密度（f）兩步燒結后Si3N4的熱導率和彎曲強度。
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熱管理博覽會 ??? 2年前
一文了解5G通信設備、基站與場景仿真解決方案 
光通信芯片/封裝/系統設計 光模塊SI/PI設計 高速連接器設計 電磁兼容分析 系統散熱設計與優化 電-熱-結構多物理場分析03核心網（數據中心）5G核心網是5G網絡實現不同場景切片的關鍵，涉及大量的數據中心和人工智能技術，此場景下的熱分析和電磁兼容分析是保證穩定可靠的關鍵。
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Ansys中國 ??? 4年前
具有三維結構的高導熱絕緣PI/BNNS@rGO復合薄膜 
通過闡明雙組分多通道三維網絡的導熱機理，優化納米片納米纖維膜的堆疊結構，與PI/50BNNS相比，PI/50BNNS@2.5rGO納米纖維復合膜的力學性能提高了168%。這是由于BNNS和rGO之間的堆積效應和界面相互作用。此外，BNNS與還原氧化石墨烯之間的協同效應降低了有效聲子散射，從而降低了界面熱阻。隨著BNNS含量的增加，獲得了類似天然珍珠質的層狀微觀結構。
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熱管理博覽會 ??? 2年前
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