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Ansys DDR Plus——全自動化的DDR協議SI仿真軟件面向高速DDR設計的自動化SI仿真平臺，智能識別DDR協議通道，一鍵完成建模與仿真，顯著縮短DDR的Sign-off周期。

這些仿真表明，在30度入射角下，對于550nm（綠光）光，向紅色active區域的功率傳輸約為3%。高級角響應上述結果是根據Si表面的Poynting向量計算得出的。沒有考慮Si層內吸收的空間分布。例如，我們沒有考慮光在被吸收之前進入硅的距離。相同的參數掃描收集數據，我們將在Si 內部特定區域上對每單位體積loss進行積分。

示例：小球形粒子的重力沉降 以一個小的球形粒子為例，當它掉落在一個以速度 u （SI 單位：m/s）勻速流動的流體中時，遵循牛頓第二運動定律 (1) 其中， m_p（SI 單位：kg）是粒子的質量 q（SI 單位：m）是粒子的位置矢量 F_t（SI 單位：N）是作用在粒子上的凈力或總力

SystemSI-PBA的前仿真能力（包括3D全波Via-wizard建模能力）確保精確的寬帶模型能夠快速產生并與其他系統模塊連接。而后仿真能力允許用戶加入優化的、包含更多細節信息的實際版圖模型并進行最終的驗證分析。所有的SI效應如導體/介質損耗、反射、ISI碼間干擾、串擾以及同步翻轉噪聲（SSN）等都能在一個仿真引擎中同步考慮。

張偉 | Ansys高級應用工程師 在電磁電路仿真分析領域從業十二年，作為SI/PI/EMC仿真軟件專家，具備豐富的SI/PI/EMC仿真分析經驗。

仿真應用1　1）基于PollEx SI求解器仿真DDR接口4. 仿真應用2　1）基于PollEx性能驗證工具DFE/DFE+　2）如何進行DDR接口電性能驗證5.

SystemSI-PBA的前仿真能力（包括3D全波Via-wizard建模能力）確保精確的寬帶模型能夠快速產生并與其他系統模塊連接。而后仿真能力允許用戶加入優化的、包含更多細節信息的實際版圖模型并進行最終的驗證分析。所有的SI效應如導體/介質損耗、反射、ISI碼間干擾、串擾以及同步翻轉噪聲（SSN）等都能在一個仿真引擎中同步考慮。

對于剛體仿真，ADAMS中包含Gstiff、Wstiff、Dstiff以及Constant_BDF求解器可供選擇。Gstiff求解器可直接求解DAE方程，有I3、SI2、SI1三種積分格式，計算速度快，位移精度高，I3格式時速度會產生誤差，小步長可能會出現奇異，SI2及SI1積分格式時，步長很小時也基本可以保持穩定。

張偉 | Ansys高級應用工程師 在電磁電路仿真分析領域從業十二年，作為SI/PI/EMC仿真軟件專家，具備豐富的SI/PI/EMC仿真分析經驗。

點擊立即報名 11/12 | 仿真自動化降本增效 – Pyaedt SI/PI仿真自動化流程培訓講師簡介：郭永生 | Ansys 首席應用工程師主題簡介：降本增效一直都是企業研發追求的目標之一，特別是近些年人力成本的不斷增加，企業更加關注是不是可以通過自動化流程來減小人力資源的消耗。

因此，通過Ansys Lumerical MODE模塊中的FDE Solver仿真了絕熱型定向耦合器的有效折射率與構成定向耦合器的上下波導（下端波導為Si劈尖波導，上端波導為 劈尖波導）的有效折射率的差值，通過分析比較二者的折射率差值大小來確定絕熱型定向耦合器2根劈尖波導的形狀，以達到最優的模斑轉換效率。

數據處理芯片/封裝/系統設計 數據中心高速PCB SI/PI分析 電磁兼容分析 系統散熱設計與優化 Ansys為5G提供從nm級場景到km級場景的多物理域仿真方案：Ansys 5G解決方案，覆蓋了從芯片設計到3D-IC到PCB仿真到自動駕駛再到城市級場景分析的跨緯度仿真方案，也包含了電磁，結構，流體，光學，半導體，系統等多物理域解決方案，實現了真正的多物理全場景的

分析表明，在坐標系中Si隨著水平軸的鋰濃度變化應力歷史出現滯后現象，這表明Si在吸收和解吸鋰的過程中發生了不可逆的變化。在機械性能方面，觀察到了由于鋰進入Si陽極引起的陽極原子鋰化，造成了彈性模量等有所下降[2]。Si陽極吸收鋰后，不僅造成了膨脹變形，還導致了Si-Si鍵斷裂和Si-Li的形成。在電子學上，通過費米能級的態密度的變化，證實了硅陽極從半導體態轉變為金屬態 [1].

隨著大屏顯示技術的不斷演進，大尺寸顯示屏不僅朝著高分辨率、高刷新率方向快速發展，且因屏幕尺寸持續增大，需要同時驅動的多顆 Display IC數量，這使得高速信號鏈路的信號完整性（SI）和電源完整性（PI）問題日益突出。本論文基于Ansys仿真平臺，針對大尺寸屏的高速信號鏈路LVDS接口進行系統性仿真分析。

CST電纜工作室 專業的線纜線束SI、EMI、EMS仿真工具，用于電纜線束的信號完整性（SI）和電磁兼容性（EMC）分析。 CST電磁工作室 包含靜場和低頻場求解器，用于傳感器、驅動裝置、變壓器、線性電機等電磁仿真。 CST粒子工作室 用于自由移動帶電粒子的完全一致性仿真。

在 Ansys 各種電磁場仿真器協同分析的綜合環境下，用戶可以進行快速、高精度的電路分析和系統分析。用戶可以選擇使用最適合 SI 分析、RF 分析的接口及求解器功能。

Ansys SI/PI 2023 R1新功能介紹

封裝/PCB2.1 SI仿真寄生參數/抽取2.2 SI通道分析及DOE優化2.3 電源DC及電熱耦合分析2.4 電源AC去耦及瞬態分析2.5 散熱及結構可靠性分析客戶案例1. 2.5D IC HBM 仿真2. 2.5D IC的系統級電源性能優化分析3. 系統SI性能優化分析4. 系統PI優化分析5. 封裝/系統散熱分析6.

仿真顯示，5層結構與11層的耦合損耗差異可忽略，如圖2所示。公式： 圖2三種梯度折射率透鏡的性能比較。（a）折射率分布；（b）電場演化；（c）耦合損耗（三）互補錐結構：參數優化實現低損耗轉換互補錐的長度（ ）與Si逆錐尖端寬度（ ）是關鍵參數。