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) 建立完模型后對第一增量步的晶體取向(初始取向)進行驗證，如圖9所示，說明有限元模型被正確的賦予了這些隨機取向，并驗證了取向計算程序的正確。

同時進行同取向晶體單一材料模擬對比分析，應力圖如下： 同材料Voronoi晶體的軸壓試驗中，不同晶格之間的應力無明顯差異性，無晶格取向的晶體力學性能更趨向于各項同性材料，因此多晶結構的差異主要在于晶體取向的不同。

5，后處理與結果展示（默認圖片中單晶取向與表順序相同）不同取向單晶拉伸的應力分布云圖不同取向單晶的累計塑性應變分布云圖不同取向單晶拉伸過程中應力應變響應同取向單晶拉伸過程中取向演化（紅色為初始取向，藍色為變形后的取向）立方取向單晶織構演化旋轉立方取向單晶織構演化銅型取向單晶織構演化黃銅取向單晶織構演化戈斯取向單晶織構演化

圖5：單晶CPFE模擬的張力模型(a).在立體三角形邊緣和中心的特定晶體取向(b)。 圖6：多晶體的邊界條件(a).包含200個隨機分布晶粒的RVE模型圖(b)。通過CPFE模擬，預測了不同取向單晶的力學響應，如圖7所示。與[001]-[111]對稱軸相比，其他方向的應力-應變曲線(如[212]和[213])的應變硬化速率更接近標準立體三角形中的[101]區域軸。

同時對于多滑移系統處理方案之間并不是通用的，因此，在程序內對取向進行更新，同時以狀態變量的形式進行保存，可以很容易避免這類問題。由于網上更新取向的通常只是公式的簡單介紹，這里嘗試結合lingzhi的鎂合金更新取向的方案對黃永剛的原始程序進行修改，并以狀態變量的形式保存。將三個歐拉角分別存儲為SDV123，SDV124，SDV125。

一 軟件介紹DAMASK 是一個統一的多物理晶體塑性模擬包。連續體力學邊值問題的求解需要連接每個材料點的變形和應力的本構響應,該問題在 DAMASK 中基于晶體可塑性使用各種本構模型和均質化方法能夠被有效解決。除此之外，孤立地處理力學已不足以研究新興的先進高強度材料，在這些材料中，變形的發生與位移相變、顯著加熱和潛在的損傷演變相關，DAMASK 能夠有效處理多物理問題。

本案例采用該代碼，研究FCC，BCC兩種結構在單向拉伸，壓縮，平面應變壓縮等75%的變形量下織構的演變（需要注意的是，這個代碼的輸出使用的Kocks輸出表示取向，為了使用方便，已經在程序中修改bunge標號，可用MTEX直接繪制極圖）使用包含500個隨機取向的單元預測取向演化初始隨機取向一：FCC織構演化單向壓縮75%的取向分布單向拉伸75%的取向分布平面應變壓縮

CPFE結果還揭示了梯度應力和梯度塑性應變的非均勻空間分布，這是隨機晶粒取向和梯度晶粒尺寸共同作用的結果。

Voce硬化公式為初始幾何模型根據Neper生成（晶體取向隨機），模型如下：模擬計算時間如下（大約2小時）：模擬結果如下:應變分布情況應力分布情況變形之后取向分布應力應變響應案例二：包含500個晶粒10萬單元的小球沖擊模擬，檢驗程序在接觸方面的穩定性。

依托作者提供的思路，完成了８００組初始不同取向的初始RVE拉伸摸摸模擬，并使用機器學習方法，完成了織構和應力應變取向的直接關聯，治理需要指出的是作者使用了FCC常見軋制織構分量用于數據訓練，這對一般的隨機織構表現并不理想如下圖所示：加入大量的隨機取向訓練后，預測效果明顯改善，最終訓練效果如下：可以看到預測的精度顯著提升，加入隨機織構后，相比于單次ＣＰＦＥＭ模擬整體速度有極大的提升

Full Random表示晶體取向完全隨機；X Rotation表示所有晶體取向的X方向不變；其他兩個選項亦同。 6. 插件通用參數說明 (1) 生成算法：Uniform和Random算法。

) 圖4.8 后處理應力應變分布(隨機晶體取向參數)晶粒隨機取向的結果與相同取向的差異較大。

當多晶體的晶粒取向相對于材料宏觀的某一參考面（或方向）集中分布在某一個或某些取向附近的時候，我們稱這種現象為擇優取向（Preferred orientation），而織構就是多晶體的擇優取向。從廣義來看，多晶體中晶粒取向偏離隨機分布的現象都可以稱之為織構。 在金屬材料中，織構現象的存在具有普遍性。

一 軟件介紹DAMASK 是一個統一的多物理晶體塑性模擬包。連續體力學邊值問題的求解需要連接每個材料點的變形和應力的本構響應,該問題在 DAMASK 中基于晶體可塑性使用各種本構模型和均質化方法能夠被有效解決。除此之外，孤立地處理力學已不足以研究新興的先進高強度材料，在這些材料中，變形的發生與位移相變、顯著加熱和潛在的損傷演變相關，DAMASK 能夠有效處理多物理問題。

圖8 274個晶粒的初始織構(0~180°隨機織構)建立完模型后對第一增量步的晶體取向(初始取向)進行驗證，如圖9所示，說明有限元模型被正確的賦予了這些隨機取向，并驗證了取向計算程序的正確。圖9 建立模型后對第一步晶體取向的驗證塑性變形邊界條件Abaqus構建有限元模型關鍵步驟如圖10所示。

Full Random表示晶體取向完全隨機；X Rotation表示所有晶體取向的X方向不變；其他兩個選項亦同。

Full Random表示晶體取向完全隨機；X Rotation表示所有晶體取向的X方向不變；其他兩個選項亦同。 6. 插件通用參數說明 (1) 生成算法：Uniform和Random算法。