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廣汽的碳化硅投資版圖 來源：《2022碳化硅（SiC）產業調研白皮書》基本半導體今年6月份，廣汽參與了基本半導體的C2輪融資。

根據《2022碳化硅（SiC）產業調研白皮書》，經過過去20多年設備研發積累, 中電科48所、北方華創、恒普科技、優晶光電、納設、晶盛機電和季華實驗室等國產設備企業已研制出4-6英寸SiC外延生長設備，并且在成膜質量、生產率、穩定性、重復性和運行維護性等指標上實現了突破，縮短了與國外設備之間的差距，有力地支撐了國產碳化硅外延的大規模量產。

###{a%5E%E9%87%8F%E8%8A%AF%E5%BE%AE%2Cb%5E%2Cc%5E%2Cr%5E%2Crt%5E%E6%96%B0%E9%97%BB%2Cl%5E2%2Cu%5E%E6%A2%81%E7%87%95}@@來源：《2022碳化硅（SiC）產業調研白皮書》，參編請點文末“閱讀原文”羅姆：8吋SiC提前2年量產據了解，2015年，

2022年7月27日，由北京國聯萬眾半導體科技有限公司主辦的主題為“SiC功率半導體產業高峰論壇”，通過線上+線下的方式成功舉辦。

（source：小米）隨著2050年凈零碳排（Net Zero）目標逼近，各國在交通政策與產業推動上都朝燃油車電氣化的方向邁進，帶動整體電動車產業。碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）能同時應用于汽車產業，尤其碳化硅（SiC）在車載領域及可靠性上更具優勢，在電動車的系統應用方面主要包含逆變器、車載充電器（OBC）及直流變壓器等。

這段時間，國外的SiC產業不斷擴產，連特斯拉也投資碳化硅工廠。

SiC汽車產業的發展離不開SiC器件支持，不過，目前SiC核心器件市場還高度集中于Wolfspeed、安森美、英飛凌、意法半導體、博世等國際大廠手中，本土車企主要基于國際供應商供應的產品進行相關碳化硅平臺開發，國產供應商中，目前已有中電科55所、斯達半導、三安光電、芯聚能、比亞迪半導、露笑科技等企業開始嶄露頭角，但從技術及出貨量來說，本土SiC品牌仍需繼續發力。

800V充電架構將有很大的應用前景，由于整個800V SiC市場屬于新興市場，其發展速度取決于整體的產業鏈布局，一旦實現供應鏈端、整車以及基建等整套系統的全部打通，碳化硅產業將從中大大受益。

在1月舉行的產業媒體交流會上， 中科漢韻 代表介紹到，規劃中的2022年 6英寸碳化硅Mosfet 芯片產線已經開始啟動前置工作。 2021年12月12日， 英唐智控 發布公告稱，計劃投資約 18.1億元 建設 年產72萬片 的 FAB 6英寸特色(含SiC)工藝線，預計2023年10月建成投產，2025年1月實現達產。

而沙特政府之所以跟這家車企合作 ，碳化硅技術“功不可沒”。該車企憑借優秀的 SiC逆變器 曾“力壓” 特斯拉 ，拿下了“年度汽車”寶座。 這次簽約對于整個碳化硅產業來說，是個積極的信號，該車企的SiC主驅有多強？SiC供應商是誰？

高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發及產業化項目是省重點項目之一，也是南湖高新區第一個復工復產的重大項目。該項目由嘉興斯達微電子有限公司投資建設，“多虧了政府部門的及時跟進，為我們復工復產解決了難題，在極短的時間內恢復了施工，我要為嘉興優質的營商環境點個贊！”

近日，韓國碳化硅產業也非常火熱。前幾天，TRinno計劃投資4.7億在韓國建碳化硅項目；而昨天，恒諾微電子（HANA）宣布其6寸線正式量產1200V SiC MOSFET，還獲得了中國、韓國、日本汽車等企業訂單。

而在新能源汽車及直流充電樁技術快速發展的背后，是以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體材料的應用在發揮巨大作用。第三代半導體指的是碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化物半導體（如氧化鋅ZnO）、III族氮化物（如氮化鋁AlN）、金剛石半導體等寬禁帶半導體材料。

三菱電機首席執行董事 半導體元件事業部部長一一竹見政義先生（圖片出自：mynavi）在功率半導體領域，得益于近年汽車的電動化發展，如今三菱電機正專注于碳化硅（SiC）半導體。與硅（Si）基半導體比較，碳化硅可實現電力損耗大幅度減少。三菱電機的目標是繼續保持碳化硅半導體在消費領域TOP1的市占率。

2021年1月，蘇州納維科技有限公司舉行總部大樓奠基儀式，項目占地面積超1.4萬平方米，總建筑面積超3.4萬平方米，建成后，年產氮化鎵單晶襯底及外延片可達5萬片2021年4月29日，漢磊（Episil）宣布將投資50億新臺幣（約11.6億人民幣），全力發展氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）外延和器件代工。

(半導體產業網)2、中科院上海微系統所團隊實現基于III-V 族量子點確定性量子光源和 CMOS 兼容碳化硅的 混合集成光量子學芯片。近日，中國科學院上海微系統與信息技術研究所異質集成 XOI 團 隊實現基于 III-V 族量子點確定性量子光源和 CMOS 兼容碳化硅的混合集成光量子學芯片。

7月15日，上市公司連城數控發布定增草案，擬向特定對象發行股票不超過 3900 萬股（含），募資 13.6 億元，用于碳化硅襯底裝備等項目。連城數控稱，此次募集資金將主要用于擴產、補充流動資金。同時，為把握第三代半導體產業發展的新機遇，提升半導體設備的銷售規模，將募資1.38億元用于碳化硅襯底加工裝備生產項目。

與此同時，供應方面，一是半導體產業整體調整。由于2022年下半年以來，全球半導體市場出現了供過于求的情況，導致價格下跌、庫存積壓、產能過剩等問題。為了應對市場變化，許多半導體廠商紛紛采取了減產、降價、清庫存等措施，以恢復供需平衡。這也導致了IGBT等部分產品的產能被壓縮或轉移。二是電動汽車廠商搶占資源。

半導體材料2022年正值中國產業升級與“雙碳”政策推進的關鍵階段，半導體和新能源行業再度成為關注的焦點。隨著第四次工業革命到來，大量新技術需要依靠芯片來實現，但在過去的幾十年間，中國的半導體材料過度依賴進口，無法自給自足的半導體產業限制了中國信息技術產業的發展。

此次研發內容在本次研究中，首先在硅基底上分別生成一層厚度為3um的氮化鎵層和厚度為1um的碳化硅層（3C-SiC，一種晶體結構類似于金剛石的碳化硅材料，屬于立方體系）。隨后，從硅基底上剝離上述兩層。然后，利用表面活性化結合法，將上述兩層再與金剛石基底結合，即可制成尺寸為1英寸見方的氮化鎵晶體管（圖3a，b）。