行家說 “一周要聞” 又來了！

碳化硅方面，今天給大 家 盤點一下 斯達半導體 、 英飛凌 、 利普思 、 清純半導體 等企業的最新動態。

在氮化鎵領域， 臺積電 即將發布第二代氮化鎵，性能提升 50% ； EPC 等氮化鎵也有新的產品和 收購案 發生。

碳化硅

斯達微碳化硅項目封頂

據嘉興日報，連日來嘉興全市上下吹響了復工復產的“集結號”，其中提到，嘉興斯達微電子有限公司新建項目部分廠房已經封頂。

高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發及產業化項目是省重點項目之一，也是南湖高新區第一個復工復產的重大項目。該項目由嘉興斯達微電子有限公司投資建設，“多虧了政府部門的及時跟進，為我們復工復產解決了難題，在極短的時間內恢復了施工，我要為嘉興優質的營商環境點個贊！”嘉興斯達微電子有限公司副總陸建華說道。

斯達半導體2021財報：

凈利潤同比增長120.49%

近日，IGBT模塊龍頭企業斯達半導體公布2021年年報。年報顯示，斯達半導體2021年實現營業收入約17億元，同比增長77.22%；實現凈利潤3.98億元，同比增長120.49%。

2021年，斯達半導體IGBT模塊實現產銷兩旺，分別達到930萬只和878萬只，對應同比增長約7成；功率半導體器件毛利率同比增長5.12個百分點，達到36.55%。

清純半導體：

推出首款國產15V驅動SiC Mosfet

清純半導體日前宣布發布國內首款15V驅動的1200V SiC Mosfet器件平臺產品，填補了國內15V驅動SiC Mosfet產品空白，使得國內SiC功率器件技術躋身國際領先水平。

首款1200V 75mΩ SiC Mosfet已獲得國內領先新能源逆變器制造商的批量訂單，后續將陸續推出該平臺下的系列規格產品。

英飛凌擴展 CoolSiC M1H 產品組合

4 月 13 日，英飛凌科技推出了一種全新的 CoolSiC 技術：CoolSiC MOSFET 1200 V M1H。SiC 芯片將使用流行的 Easy 模塊系列以及 XT 互連分立封裝技術，將在廣泛擴展的產品組合中實施。

據說M1H芯片具有很高的靈活性，適用于必須滿足峰值需求的太陽能系統，例如逆變器。該芯片還非常適用于快速電動汽車充電、儲能系統和其他工業領域等應用。

頂立科技獲得戰略投資

近日，湖南頂立科技有限公司宣布獲得戰略融資，本輪融資由北京高創、湖南五礦高創、湖南高創、長沙東方鑫業、中安海通、嘉興國儀和陳才參投。

據悉，頂立科技是一家專業從事先進新材料及高端熱工裝備研制、生產的“國家重點高新技術企業”，是上市公司楚江新材的全資子公司。公司主要產品有碳及碳化硅復合材料熱工裝備、高端真空熱處理系列裝備、粉末冶金系列熱工裝備、新材料、霧化制粉裝備，廣泛適用于碳及碳化硅復合材料、真空熱處理、粉末冶金等多個領域。  

利普思：

推出緊湊型 SiC MOSFET 解決方案

4月11日，無錫利普思半導體發布了其E0系列產品。E0 系列是壓合式 SiC MOSFET 功率模塊，具有業界公認的低電感占位面積。

為了生產高度可靠的 E0 系列 SiC MOSFET 功率模塊，利普思使用了高級 Si3N4 AMB 基板，該基板結合了最佳的機械穩健性和出色的散熱性能，具有極高的功率密度。與競爭對手不同，E0 模塊采用環氧樹脂而不是硅樹脂，可實現 3 倍甚至更高的功率和熱循環特性。

此外，所有 E0 SiC 模塊均提供同類最佳的低開關損耗。

三社電機：

開始銷售1200V耐壓SiC MOSFET

4 月 12 日，三社電機宣布，從 2022 年 4 月開始銷售電流容量為50A 的 SiC MOSFET。

通過在傳統模塊產品（150A、100A）的基礎上增加50A分立產品， 能夠 滿足廣泛的客戶需求。

該產品搭載內置續流二極管功能的SiC MOSFET芯片，可減少不必要的電感，并采用發揮SiC MOSFET性能的4引腳結構，實現高速開關和低損耗。

氮化鎵

臺積電第二代氮化鎵性能提升50%

4月15日，臺積電發布了2021年財報，其中提到了氮化鎵研發情況。

據報告，臺積電的硅基氮化鎵Gen-1 技術平臺于 2021 年進一步增強，以支持客戶的各種市場應用。目前Gen-2 技術正在開發中，計劃于 2022 年完成。

2021年，臺積電通過了第一代650V增強型GaN高電子遷移率晶體管（E-HEMT）的改進版本，并開始滿負荷量產，并被用于130多個適配器。為此，臺積電公司不斷擴大產能以滿足客戶需求。

臺積電第二代650V和100V功率E-HEMT，FOM（品質因數）提升50%，將于2022年投產。臺積電100V耗盡型GaN高電子遷移率晶體管（D-HEMT）完成器件開發，2022年即將投產 。此外，臺積電開始研發第三代650V電源E-HEMT，預計2025年交付。

“韓版薩德”搭載氮化鎵材料

4月6日，遠程地對空導彈系統（L-SAM）的多功能雷達（MFR）性能測試在韓華系統龍仁研究中心進行。

據了解，L-SAM  搭載了氮化鎵材料，氮化鎵 緊密嵌入 L-SAM MFR 天線原型單元 1 和 2 中。 這些設備中的每一個都獨立運行，發射電磁波以確定目標的位置、移動方向和速度。

L-SAM的目標是到2024年完成系統開發，這是一種比韓國軍方任何其他防空武器系統都可以在更遠距離跟蹤和摧毀朝鮮導彈的武器系統。因其性能堪比美國高空導彈防御系統（THAAD），被稱為“韓國版薩德”。

 

SEMILAB ：

收購 GaN、SiC電阻率測量企業

4月6日，Semilab 發布消息稱，2022 年 3 月 10 日起，Semilab 已經收購了位于德國弗萊堡的 SemiMap Scientific Intruments GmbH，該公司是 Corema 晶圓測量產品的制造商。

SemiMap 是射頻應用中使用的半絕緣、高電阻率基板材料電阻率測量的全球領導者，Corema 產品和服務將繼續通過 Semilab 提供。

核磁共振采用氮化鎵電源

4 月 13 日，休斯頓大學的科學家計劃開發一種基于 GaN 的微型脈沖電源系統，該系統將為移動手持式 MRI 機器提供動力。

美國能源部高級研究計劃署能源部 (ARPA-E) 最近授予該團隊 100 萬美元的贈款，用于建造基于 GaN 的微型脈沖電源系統。

EPC：

推出 4mΩ、40V 抗輻射 GaN 功率晶體管

4 月 14 日，EPC Space LLC 推出了 EPC7019G，這是一款 40V、4mΩ、530A脈沖抗輻射增強型氮化鎵 (GaN) 功率晶體管。

EPC7019G 具有大于 1Mrad 的總劑量等級和 85MeV/(mg/cm2 ) 的 LET（線性能量轉移）的 SEE（單事件效應）抗擾度。這些器件將采用具有雙柵極的全新緊湊型密封封裝，占位面積小于 45mm2。