三星電子、SK海力士已向ASML下單可用于2nm工藝的High NA EUV曝光設備

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CINNO Research產業資訊,韓國半導體廠商三星電子和SK海力士荷蘭阿斯麥公司(ASML訂購了新一代半導體設備“High NA”極紫外線(EUV)曝光設備臺積電(TSMC和英特爾Intel之后,韓國半導體制造商也即將導入可以實現2nm工藝生產的設備,預計最尖端的半導體工藝領域的競爭將越來越激烈。


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根據韓媒ETNews報道,ASML在19日的業績公告中表示:“對于EUV High NA業務,隨著獲取新的Twin Scan EXE:5200設備訂單,目前所有的EUV客戶都已下單了High NA的設備產品。”High NA EUV設備是將表示光的集光能力的鏡頭開口數(NA)從0.33提高到0.55的設備。與現有EUV設備相比,High NA EUV設備可以繪制出更細微的半導體電路。因此業內普遍認為,要實現2nm工藝,High NA設備是必須的。

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英特爾和臺積電已經正式表明導入High NA EUV設備。英特爾去年以重新進入Foundry市場為契機,發布綜合半導體企業(IDM 2.0)戰略時曾稱,公司最先采購了High NA EUV設備。這是為了先發制人地導入新一代設備,追趕臺積電和三星電子的系統半導體生產能力。此后,臺積電也宣布已簽訂High NA EUV設備采購合同,但三星電子和SK海力士方面對于設備采購合同的簽訂卻閉口不言。此次ASML的發布,實際上正式公開了韓國半導體廠商導入了High NA設備。但是三星電子和SK海力士方面表示,導入High NA EUV設備是“無法公開聲明的問題”。ASML現有的EUV設備客戶主要包括三星電子和SK海力士、英特爾、臺積電和Micro等。

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隨著全球半導體制造廠商全部向ASML下了 High NA EUV設備訂單,預計從大規模量產開始的2025年起,將展開激烈的競爭。High NA EUV設備雖然比目前使用的EUV設備價格高,但因能夠一次性實現超細微工藝(單次平移),從而可大幅提升生產效率。特別是三星電子在3nm工藝量產后,為了量產2nm工藝,也有必要主動確保High NA EUV設備。據推測,現有的EUV設備價格為2000億至3000億韓元(約10~15億人民幣),而High NA EUV設備價格高達5000億韓元(約25億人民幣)。

根據ASML在當天發布的第三季度經營業績,公司實現凈銷售額58億歐元,毛利率為51.8%,當期凈利潤為17億歐元。預計第四季度凈銷售額為61億至66億歐元。

ASML首席執行官(CEO)兼總裁Peter Wennink稱:“由于包括通貨膨脹、消費者信心指數下跌、經濟衰退風險等多個全球宏觀經濟的憂慮問題,存在市場不確定性,雖然感知到不同市場的不同需求變化,但整體上ASML的系統需求仍然強勁“,并稱“在此情況下,第三季度High NA系統等EUV設備銷售額達到38億歐元,最大季度預訂銷售額約89億歐元。”

ASML的High NV EUV設備開發路線圖

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