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模流分析之STMicroelectronics用
Moldex
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成功優(yōu)化IC
封裝
制程
大綱STMicroelectronics 工程師運(yùn)用
Moldex
3D
芯片
封裝
解決方案將樹脂充填不完整的風(fēng)險降到最低。首先,軟件能重現(xiàn)因流動行為不平衡而引發(fā)的包封形成情況。接下來運(yùn)用
Moldex
3D
模擬將
封裝
設(shè)計優(yōu)化,降低發(fā)生問題的風(fēng)險。最后藉由更改幾何形狀發(fā)現(xiàn)對充填前推進(jìn)有驚人效果,能在成型過程中避免產(chǎn)生結(jié)構(gòu)瑕疵。
2134
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??? 3年前
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Moldex
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模流分析之晶片
封裝
成型功能導(dǎo)覽(一)
Moldex
3D
模擬真實的填膠過程步驟,預(yù)測可能產(chǎn)生的空洞位置。注意:
Moldex
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芯片
封裝
成型模塊支持solid與eDesign (僅轉(zhuǎn)注成型) 網(wǎng)格模型。
4093
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??? 2年前
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模流分析之覆晶
封裝
底部填膠模塊
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毛細(xì)底部填膠模塊 (
Moldex
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Underfill) 可模擬毛細(xì)流動,此現(xiàn)象是受到倒裝芯片底部填膠在點膠制程中底膠材料表面張力,及底膠材料、錫球與基板之間的接觸角度影響。
Moldex
3D
覆晶
封裝
底部填膠模塊允許用戶輸入實際的點膠制程,并預(yù)測底部點膠制程中的氣孔位置,以大幅提高生產(chǎn)力。
Moldex
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毛細(xì)底部填膠模塊仿真是在
Moldex
3D
「
封裝
」模塊中建立的。
2585
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??? 1年前
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Moldex
3D
模流分析之個別指定金線材料預(yù)測芯片
封裝
缺陷
常見的金線材料則包含金、銅、鋁等等,由于金線的管徑細(xì)小,因此金線缺陷往往是芯片
封裝
制程最重要的挑戰(zhàn)之一,而金線缺陷包括金線偏移、斷裂以及交叉。而為了確保良率及提升性能,
封裝
制程廣泛使用多種類的線料。以下將說明如何透過
Moldex
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IC
封裝
模塊,進(jìn)行多種金線材料定義的偏移分析。
2061
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??? 2年前
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模流分析之晶片
封裝
成型準(zhǔn)備模型(二)
在Studio中再由
封裝
組件精靈分別建立配置圖中的部件并給予屬性及相關(guān)設(shè)置,之后在生成網(wǎng)格時,
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會自動偵測模型來呼叫
封裝
組件實體網(wǎng)格精靈 (Encapsulation Solid Mesh Wizard) 來讓用戶利用一系列的參數(shù)來長成足夠精度的網(wǎng)格模型。
3729
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??? 2年前
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芯片
封裝
壓縮成型模塊
芯片
封裝
產(chǎn)業(yè)
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建議產(chǎn)品
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Advanced Package
2261
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??? 3年前
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仿真分析之芯片
封裝
制程挑戰(zhàn)與不確定性
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解決方案
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芯片
封裝
模塊目前支持的分析項目相當(dāng)完善,以準(zhǔn)確的材料量測為基礎(chǔ),除了基本的流動充填與硬化過程模擬;并延伸到其他先進(jìn)制造評估,例如 : 金線偏移、芯片偏移、填充料比例、底部填充
封裝
、后熟化過程、應(yīng)力分布與結(jié)構(gòu)變形等。
2033
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??? 3月前
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3D
模流分析之個別指定金線材料預(yù)測晶片
封裝
缺陷
常見的金線材料則包含金、銅、鋁等等,由于金線的管徑細(xì)小,因此金線缺陷往往是芯片
封裝
制程最重要的挑戰(zhàn)之一,而金線缺陷包括金線偏移、斷裂以及交叉。而為了確保良率及提升性能,
封裝
制程廣泛使用多種類的線料。以下將說明如何透過
Moldex
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IC
封裝
模塊,進(jìn)行多種金線材料定義的偏移分析。
3716
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??? 2年前
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模流分析之芯片
封裝
模擬方案
Moldex
3D
解決方案
Moldex
3D
芯片
封裝
模塊目前支持的分析項目相當(dāng)完善,以準(zhǔn)確的材料量測為基礎(chǔ),除了基本的流動充填與硬化過程模擬;并延伸到其他先進(jìn)制造評估,例如 : 金線偏移、芯片偏移、填充料比例、底部填充
封裝
、后熟化過程、應(yīng)力分布與結(jié)構(gòu)變形等。
2417
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??? 1年前
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模流分析之IC
封裝
制程靈活運(yùn)用
材料設(shè)定由
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材料庫指定各種屬性組件的材料,用戶也能依照各自情況自定義材料。圖六 依照各對象屬性設(shè)定材料4.
2386
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??? 3年前
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模流分析之芯片
封裝
基本步驟
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芯片
封裝
成型的應(yīng)用基本步驟 (Basic Procedures)
Moldex
3D
芯片
封裝
成型模塊支持不同的芯片
封裝
成型分析:轉(zhuǎn)注成型分析、毛細(xì)底部填膠分析、成型底部填膠分析、壓縮成型分析、嵌入式晶圓級
封裝
分析,以及非流動性底部填膠分析/非導(dǎo)電性黏著分析。在
Moldex
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開始使用時,點擊新增來創(chuàng)建新的芯片
封裝
項目或開啟來使用既有的。
2478
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??? 2年前
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Moldex
3D
模流分析之嵌入式晶圓級
封裝
制程(eWLP)
模塊導(dǎo)覽 (Modules Overview)
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支持的芯片
封裝
成型制程:轉(zhuǎn)注成型 (Transfer Molding)轉(zhuǎn)注成型制程將芯片
封裝
,避免芯片受到任何外在因素的損傷。常用的材料為陶瓷與塑料(環(huán)氧成型塑料EMC),由于塑料成本較低,因此塑料轉(zhuǎn)注成型是常用的
封裝
制程技術(shù)。
2434
1
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??? 1年前
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模流分析之芯片
封裝
模組導(dǎo)覽
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模擬真實的填膠過程步驟,預(yù)測可能產(chǎn)生的空洞位置。注意:
Moldex
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芯片
封裝
成型模塊支持solid與eDesign (僅轉(zhuǎn)注成型) 網(wǎng)格模型。
Moldex
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芯片
封裝
成型的應(yīng)用1.
2334
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??? 2年前
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模流分析之晶片
封裝
準(zhǔn)備分析(三)
點擊確認(rèn)來決定設(shè)置,
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會檢查此預(yù)填料的大小是否適當(dāng)。 點膠:點膠路徑描述點膠頭的移動及給料,在邊界條件頁簽點擊點膠即可開啟設(shè)定精靈。點擊選擇圖示并選擇一預(yù)先匯入或建立在進(jìn)澆口BC上的曲線來指定為點膠路徑。指定好路徑的顏色、啟動時間(點膠頭開始移動的時間)、持續(xù)時間(移動完成所花的時間)及重量(在移動期間提供多少料)。
2449
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??? 2年前
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模流分析之Transfer Molding
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芯片
封裝
成型的應(yīng)用基本步驟 (Basic Procedures)
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芯片
封裝
成型模塊支持不同的芯片
封裝
成型分析:轉(zhuǎn)注成型分析、毛細(xì)底部填膠分析、成型底部填膠分析、壓縮成型分析、嵌入式晶圓級
封裝
分析,以及非流動性底部填膠分析/非導(dǎo)電性黏著分析。在
Moldex
3D
開始使用時,點擊新增來創(chuàng)建新的芯片
封裝
項目或開啟來使用既有的。
2517
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??? 1年前
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模流分析之充填/硬化分析
? 金線偏移 (Wire Sweep)在芯片
封裝
成型的充填階段時,環(huán)氧塑料的黏性流體施加在金在線的拖曳力 (drag force) 將造成金線變形,更嚴(yán)重會使金線接觸彼此,導(dǎo)致芯片
封裝
成型失敗。此現(xiàn)象為金線偏移問題,
Moldex
3D
芯片
封裝
成型模塊能提供便利的工具用應(yīng)力分析引擎來預(yù)測金線偏移,并在
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Project中直接顯示分析結(jié)果。
3904
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??? 2年前
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模流分析之晶圓級
封裝
(EWLP)制程
壓縮區(qū)設(shè)定?輸出實體
封裝
模型。輸出的模型包含環(huán)氧樹脂、芯片及導(dǎo)線架的屬性設(shè)定。
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將在輸出
封裝
模型前檢查金線交叉問題。
2255
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??? 2年前
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模流分析之芯片
封裝
模擬方案
Moldex
3D
解決方案
Moldex
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芯片
封裝
模塊目前支持的分析項目相當(dāng)完善,以準(zhǔn)確的材料量測為基礎(chǔ),除了基本的流動充填與硬化過程模擬;并延伸到其他先進(jìn)制造評估,例如 : 金線偏移、芯片偏移、填充料比例、底部填充
封裝
、后熟化過程、應(yīng)力分布與結(jié)構(gòu)變形等。
2294
Moldex3D 中國
??? 1年前
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3D
模流分析之底部填膠模組
Moldex
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毛細(xì)底部填膠模塊 (
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Underfill) 可模擬毛細(xì)流動,此現(xiàn)象是受到倒裝芯片底部填膠在點膠制程中底膠材料表面張力,及底膠材料、錫球與基板之間的接觸角度影響。
Moldex
3D
覆晶
封裝
底部填膠模塊允許用戶輸入實際的點膠制程,并預(yù)測底部點膠制程中的氣孔位置,以大幅提高生產(chǎn)力。
Moldex
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毛細(xì)底部填膠模塊仿真是在
Moldex
3D
「
封裝
」模塊中建立的。
4064
Moldex3D 中國
??? 2年前
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模流分析之使用IC模組
為了預(yù)測IC芯片在
封裝
過程中受到環(huán)氧樹脂流動所造成的金線偏移量值與行為,
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IC
封裝
模塊 目前設(shè)定
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線性求解器作為默認(rèn)方式;因為線性仿真能夠快速進(jìn)行小變形分析,加速取得金線偏移結(jié)果。然而目前常見的重點分析案例,金線偏移都是基于大變形的結(jié)果,故使用線性分析的結(jié)果值,容易高估整體變形量。
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