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來(lái)源：科學(xué)與技術(shù) 作者：蔣瑞 高天一 關(guān)鍵字：相控陣?yán)走_(dá) 天線冷板 散熱仿真 本文根據(jù)某機(jī)載相控陣?yán)走_(dá)天線艙內(nèi)的空間布局，對(duì)天線冷板進(jìn)行了結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，并運(yùn)用有限元體積法的Icepak軟件對(duì)三維模型進(jìn)行散熱效能仿真，對(duì)仿真結(jié)果進(jìn)行分析，驗(yàn)證了冷板的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)滿足了相控陣?yán)走_(dá)天線陣面發(fā)熱插件通風(fēng)散熱要求。

Ebsd.答疑

圖5 EBSD分析的工作原理(Phase discriminated, Orientation determined) 通過(guò)步進(jìn)間距將樣品表面劃分為m*n個(gè)采樣點(diǎn)，并依次獲得這m*n個(gè)采樣點(diǎn)菊池花樣和匹配的Phase、Orientation實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，最后對(duì)m*n個(gè)采樣點(diǎn)的這些數(shù)據(jù)進(jìn)行整理、匯總、計(jì)算等，可以進(jìn)行晶粒尺寸分析、織構(gòu)分析、相分析、應(yīng)變分析、再結(jié)晶分析、晶界分析、斷裂分析等

，其準(zhǔn)確程度取決于斷裂能參數(shù)的選擇，與更精細(xì)的實(shí)驗(yàn)對(duì)比，如原位的ebsd拉伸將成為良好的校核手段。

JCMsuite案例展示衰減相移掩膜的仿真分析在本示例中，模擬了衰減相移掩模。 該掩模將線/空間圖案成像到光刻膠中。 掩模的單元格如下圖所示： 掩模的基板被具有兩個(gè)開(kāi)口的吸收材料所覆蓋。在其中一個(gè)開(kāi)口的下方，位于相移區(qū)域。掩模的布局是由一個(gè)描述襯底吸收層和上層的多層膜組成的。兩個(gè)平行四邊形用于定義包括移相器的開(kāi)口。

5 結(jié)論 本文利用OTPA技術(shù)很快捷的確認(rèn)了工況下的問(wèn)題路徑，結(jié)合CAE分析手段，確定了問(wèn)題的根源，從而制定了切實(shí)有效的問(wèn)題解決方案，通過(guò)優(yōu)化方案的實(shí)施，優(yōu)化了路噪問(wèn)題，節(jié)約了開(kāi)發(fā)時(shí)間。然而OTPA技術(shù)必須和其它輔助手段相結(jié)合（如CAE分析），以免產(chǎn)生誤判。

由于其高熔點(diǎn)，單一BCC相元素金屬的制造難度大，同時(shí)單一相元素金屬的性質(zhì)單一，限制了合金的性能。因此，本研究探討Nb、Mo和混合MoNbTi粉末的成型分析，F(xiàn)LOW-3D模擬首次成功證明了，利用激光加工可以從粉末混合物中原位合金化生產(chǎn)MoNbTi中熵合金。通過(guò)數(shù)值仿真優(yōu)化制造參數(shù)，從而縮短流程設(shè)計(jì)周期。此外，本研究分析了非平衡固化過(guò)程中MoNbTi合金樣品的雙相微觀結(jié)構(gòu)。

結(jié)合電子背散射衍射（EBSD）實(shí)驗(yàn)與耦合熱–力的多晶相場(chǎng)模擬，揭示電鍍 TXV-Cu 在退火過(guò)程中的晶粒演化行為及其對(duì)可靠性的影響;基于相場(chǎng)方法的退火晶粒演化模型，將溫度依賴(lài)的界面遷移率、界面能及熱膨脹效應(yīng)納入描述框架，從而在數(shù)值模擬中再現(xiàn) TXV-Cu 的微觀組織演變過(guò)程。

EBSD是一種重要的表征方法，是獲取材料微區(qū)取向的一門(mén)理想技術(shù)。通過(guò)對(duì)EBSD數(shù)據(jù)的分析，可以獲得豐富的晶體學(xué)信息，這些信息不僅可以幫助科研Friends們發(fā)表高質(zhì)量的論文，還可以直接應(yīng)用到工業(yè)生產(chǎn)中，幫助生產(chǎn)高質(zhì)量的材料。在掃描電鏡的EBSD探頭上測(cè)試完數(shù)據(jù)以后，會(huì)生成兩個(gè)源數(shù)據(jù)和一個(gè)檢測(cè)報(bào)告。這兩個(gè)源數(shù)據(jù)的格式分別為.cpr和.crc格式。

圖像進(jìn)行建模，并將模擬結(jié)果與ebsd得到的是研究過(guò)進(jìn)行了詳細(xì)的對(duì)比，對(duì)于使用xfem預(yù)測(cè)裂紋擴(kuò)展方面的研究很有啟發(fā)性。

在本示例中，模擬了衰減相移掩模。 該掩模將線/空間圖案成像到光刻膠中。掩模的單元格如下圖所示：掩模的基板被具有兩個(gè)開(kāi)口的吸收材料所覆蓋。在其中一個(gè)開(kāi)口的下方，位于相移區(qū)域。掩模的布局是由一個(gè)描述襯底吸收層和上層的多層膜組成的。兩個(gè)平行四邊形用于定義包括移相器的開(kāi)口。掩模是在正入射的S和P偏振情況下模擬的。

很多材料模擬研究者和工程仿真團(tuán)隊(duì)的日常平臺(tái)其實(shí)仍然以 Windows 為核心：Abaqus/CAE 的建模、網(wǎng)格與接觸邊界設(shè)置，實(shí)驗(yàn)配套軟件（EBSD 取向處理、DIC 應(yīng)變場(chǎng)分析、顯微圖像工具）、常用的腳本與可視化流程往往都圍繞 Windows 生態(tài)展開(kāi)。

使用平均場(chǎng)模型評(píng)估NIPS(非溶劑誘導(dǎo)相分離)過(guò)程溶劑蒸發(fā)和相分離是聚合物膜生產(chǎn)中的重要過(guò)程。模擬被用于評(píng)估相互作用、初始條件等對(duì)膜內(nèi)部結(jié)構(gòu)的影響。在J-OCTA和OCTA案例中，耗散粒子動(dòng)力學(xué)(DPD)、粗粒化MD和平均場(chǎng)方法應(yīng)用于定向自組裝(DSA)[1]、電極漿料涂層[2]和旋轉(zhuǎn)涂層[3]。NIPS(非溶劑誘導(dǎo)相分離)是一種生產(chǎn)細(xì)多孔膜的技術(shù)。

5、多相材料（multi-phase material）模型的建立。 6、多孔結(jié)構(gòu)（porous structure）模型，導(dǎo)入后手動(dòng)建立網(wǎng)格部件，并刪除白色部分單元集。 使用演示 在進(jìn)行圖像導(dǎo)入時(shí)，一般需要對(duì)圖像進(jìn)行預(yù)處理操作，通過(guò)限定顏色的數(shù)量等方式來(lái)控制的模型中材料的種類(lèi)。