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在硅通孔電熱耦合,內(nèi)部材料銅中間二氧化硅外部硅材料,給銅一端接1v電勢,一端接地。為什么得到的溫度很高?




把三個(gè)濃度設(shè)置到11(記作M濃度)、12(記作B濃度)、13(P濃度)溫度自由度上,使用溫度-位移耦合模塊,進(jìn)行瞬態(tài)分析。邊界條件是1000的B濃度,無載荷。 我的做法是邊界條件隨增量步從0.1到1000,但是外部結(jié)點(diǎn)加上邊界條件,內(nèi)部結(jié)點(diǎn)濃度就會(huì)變?yōu)樨?fù)數(shù)。

Ansys Workbench流固耦合,設(shè)置瞬態(tài)結(jié)構(gòu)時(shí)間步后,流固耦合面不可用workbench使用Fluent+Transient Structural流固耦合,設(shè)置多個(gè)分析步(Step)后,流固耦合面(Fluid Solid Interface)就變?yōu)閱柼?hào)不可用應(yīng)該怎么解決
用ansys怎么分析,瞬態(tài)單向流固耦合呀
我在瞬態(tài)結(jié)構(gòu)里用apdl把單元換成了solid227,為什么在系統(tǒng)耦合模塊里還是不顯示能傳輸熱量 命令流是放在幾何結(jié)構(gòu)下面的 et, matid, solid227, 11 是不是還有什么要設(shè)置的 請各位大佬幫幫忙!!


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