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本文利用HFSS仿真工具，在軟件中模擬芯片近場掃描。

本文利用HFSS仿真工具，在軟件中模擬芯片近場掃描。

本文利用HFSS仿真工具，在軟件中模擬芯片近場掃描。

正文基于CST-FEKO的電大尺寸復雜陣列天線+電大尺寸載體的一體化仿真的途徑大致如下：1）使用CST進行天線單元的設計與仿真；2）利用CST的陣列天線仿真模塊，建模陣列天線并進行仿真；3）以陣列天線波束指向角為參量，進行波束掃描仿真，并保存過程文件；4）在CST中導出所有掃描角狀態下的近場數據；5）按照FEKO近場數據格式，對CST近場數據進行修改；6）FEKO調用修改后的近場數據，進行近場

通過這類仿真，我們獲得了一個比較清晰的認知：平面近場：適用于高增益天線及相控陣設計，推薦角域在±30~50度內，關注采樣密度與掃描區域匹配。柱面近場：適合線陣類或寬波束扇形天線，反演范圍更廣，精度更穩定。球面近場：適用于全向或復雜形態天線，能提供全角域反演。

第2步：單位單元仿真-高度和半徑掃描在這一步中，我們掃描納米棒的高度和半徑，并獲得其透射、相位和近場信息，從而選擇出對應所需傳輸和相位特性的納米棒高度情況，然后保存相位與光場相對于半徑的結果以供后續步驟使用。RCWA求解算法將作為單元原子模擬的推薦/補充工具引入，并與FDTD進行比較以進行驗證。

第2步：單位單元仿真-高度和半徑掃描在這一步中，我們掃描納米棒的高度和半徑，并獲得其透射、相位和近場信息，從而選擇出對應所需傳輸和相位特性的納米棒高度情況，然后保存相位與光場相對于半徑的結果以供后續步驟使用。RCWA求解算法將作為單元原子模擬的推薦/補充工具引入，并與FDTD進行比較以進行驗證。

第2步：單位單元仿真-高度和半徑掃描在這一步中，我們掃描納米棒的高度和半徑，并獲得其透射、相位和近場信息，從而選擇出對應所需傳輸和相位特性的納米棒高度情況，然后保存相位與光場相對于半徑的結果以供后續步驟使用。RCWA求解算法將作為單元原子模擬的推薦/補充工具引入，并與FDTD進行比較以進行驗證。

JCMsuite計算近場分布。下圖顯示了當波長為193nm時，平面波從襯底側垂直入射到結構內的近場強度。S偏振光照明的近場強度P偏振光照明的近場強度后處理傅里葉變換計算透射衍射級次的振幅。參數掃描Matlab?腳本data_analysis/run_scan_illumination.m提供對入射角的掃描。

JCMSuite計算近場分布。下圖顯示了從襯底一側以193 nm波長垂直入射的結構內的近場強度。S偏振照明的近場強度 P偏振照明的近場強度 傅立葉變換后處理計算透射衍射級的振幅。 參數掃描 Matlab?腳本data_analysis/run_can_illlightation.m提供對入射角度的掃描。

參數掃描 Matlab?腳本data_analysis/run_can_illlightation.m提供對入射角度的掃描。

JCMsuite計算近場分布。下圖顯示了當波長為193nm時，平面波從襯底側垂直入射到結構內的近場強度。S偏振光照明的近場強度P偏振光照明的近場強度后處理傅里葉變換計算透射衍射級次的振幅。 參數掃描Matlab?腳本data_analysis/run_scan_illumination.m提供對入射角的掃描。

JCMsuite計算近場分布。下圖顯示了當波長為193nm時，平面波從襯底側垂直入射到結構內的近場強度。S偏振光照明的近場強度P偏振光照明的近場強度后處理傅里葉變換計算透射衍射級次的振幅。 參數掃描Matlab?腳本data_analysis/run_scan_illumination.m提供對入射角的掃描。

，右擊曲線，選擇“0D from 1D”，即可以查看目標頻點（16GHz）處的傳輸特性幅度和相位隨參數掃描的變化。

JCMsuite計算近場分布。下圖顯示了當波長為193nm時，平面波從襯底側垂直入射到結構內的近場強度S偏振光照明的近場強度P偏振光照明的近場強度后處理傅里葉變換計算透射衍射級次的振幅。參數掃描Matlab?腳本data_analysis/run_scan_illumination.m提供對入射角的掃描。

右：Purcell因子警告由于波長掃描的采樣率為0.1nm，Purcell因子的最大值丟失（遠高于80）近場和遠場圖@969nm下圖顯示了直柱和上述非理想柱的三個偶極子的近場和遠場強度（垂直偶極子極化的偽彩色圖與水平偶極子的比例不同）。

JCMsuite計算近場解。后處理用于計算吸收和衍射截面，并導出場輪廓。 近場強度(偽色，對數尺度)在兩個截面和三角形網格的幾何結構 計算域定義為xy平面上的一個平行四邊形。在第6行中，選擇了將y軸定義為坐標系的旋轉對稱軸。球體由一個(旋轉的)扇形(23-33行)定義，基片由一個(旋轉的)平行四邊形定義。 密度積分后處理可用于計算吸收截面。

JCMsuite計算近場解。后處理用于計算吸收和衍射截面，并導出場輪廓。 近場強度(偽色，對數尺度)在兩個截面和三角形網格的幾何結構 計算域定義為xy平面上的一個平行四邊形。在第6行中，選擇了將y軸定義為坐標系的旋轉對稱軸。球體由一個(旋轉的)扇形(23-33行)定義，基片由一個(旋轉的)平行四邊形定義。 密度積分后處理可用于計算吸收截面。

右：Purcell因子警告由于波長掃描的采樣率為0.1nm，Purcell因子的最大值丟失（遠高于80）近場和遠場圖@969nm下圖顯示了直柱和上述非理想柱的三個偶極子的近場和遠場強度（垂直偶極子極化的偽彩色圖與水平偶極子的比例不同）。

JCMsuite計算近場分布。下圖顯示了當波長為193nm時，平面波從襯底側垂直入射到結構內的近場強度S偏振光照明的場矢量P偏振光照明的場矢量后處理傅里葉變換計算透射衍射級次的振幅。參數掃描Matlab?腳本data_analysis/run_scan_illumination.m提供對入射角的掃描。