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在傳統的SiP封裝系統中，任何芯片堆棧都可以稱為3D，因為在Z軸上功能和信號都有擴展，無論堆棧位于IC內部還是外部。 目前，3D芯片技術的類別包括：基于芯片堆疊的3D技術，基于有源TSV的3D技術，基于無源TSV的3D技術，以及基于芯片制造的3D技術。 筆者注意到，去年華為就曾被曝出“雙芯疊加”專利，這種方式可以讓14nm芯片經過優化后比肩7nm性能。

在相同技術下，除了提高存儲密度、水平方向增加芯片數量以外，一種多層存儲（3D堆疊）技術被大量優化采用。堆疊封裝可以在更小的空間內提供更多的功能。堆疊封裝可以開發具有不同功能的多芯片封裝，或者將多個存儲芯片放在一個容量增加的封裝中。

一般分為功能性堆疊和造型堆疊，利用相似或相同的單體，通過大小、位置、數量、方向上的變化，構成一個排列。

新方案使用了一種單片堆疊式紅綠藍結構，設計人員可以獨立驅動芯片以發出紅、綠和藍三種顏色。這也被認為是制造高分辨率微型顯示器，最理想RGB像素結構。圖2. 紅綠藍三色堆疊型芯片極其發光狀態示意圖2中展示了RGB堆疊式LED外延結構（左）及其發光圖像（右）的示意圖，其中，RGB三層通過隧道結串聯連接。該結構在最終用作實際微顯示器前，還會添加電流阻擋層，最終這三層可以被獨立驅動。

基于ANSYS的多層堆疊模塊焊接殘余應力分析及選材優化 張 彥，許 典，趙希芳 ( 南京電子技術研究所，江蘇 南京 210039)摘 要：分析了某多層堆疊模塊的焊接殘余應力，討論了各功能層不同選材、焊接順序對模塊殘余應力的影響，并給出了優化方案。

首爾偉傲世生產的這種垂直堆疊式Micro-LED產品，可顯示特別清晰的圖像，尤其是其黑色畫面的表現。另外，使用這種垂直堆疊結構的Micro-LED，觀看者可以欣賞到任何方向都不會失真的清晰畫面。該公司將在德國的IFA2022展會上展示這項面向未來的垂直堆疊式Micro-LED創新技術，目前該方案可用于可制造100至200英寸的4K顯示屏。

近日一篇《華為又一項芯片堆疊封裝專利曝光》的文章刷屏芯片封裝工程師的朋友圈。它是一個避免使用TSV的3D封裝設計，吸引了我的芯片封裝設計精品課學習型仿真工程師的好奇和關注。眾所周知，TSV的制作工藝復雜，可靠性差，尤其是TSV first和TSV middle都需要在fab廠做，甚至會影響芯片器件可靠性，今天我們就來聊聊芯片堆疊封裝那些事。

該團隊提出利用聚合誘導的對芳綸納米纖維(PANF)的框架形成特性和六方氮化硼納米片(BNNS)的高導熱性，通過簡單的真空輔助自堆疊方法成功制備了三維層壓的PANF- BNNS氣凝膠，該氣凝膠可作為環氧樹脂(EP)的導熱骨架。在所制備的PANF-BNNS/EP納米復合材料中，13.2%的BNNS負載時，其導熱系數為3.66 W/mK。通過有限元分析驗證了熱傳導路徑的有效性。

ORNL正在與材料、計算和制造科學以及 3D 打印、人工智能和大數據合作，以推進反應堆堆芯設計。 ▲ 3D打印在核能發電方面的應用 ? 3D科學谷白皮書橡樹嶺國家實驗室的轉型挑戰反應堆計劃希望通過部署 3D 打印和人工智能來設計和生產反應堆核心技術，將核能帶入 21 世紀。

若有需要可使用 導引線(Guide Curve) 或 漸變(Biasing)，但本文之撒點皆不設置漸變(=None)及額外的導引線 -Region 2: 先使用 Tool工具欄 的 平面線建面(Planar Surface) 功能生成一曲面，再利用撒點、建立面上網格、合并建立側邊的表面網格，并使用 3D旋轉 (3D Rotate) 功能將表面網格復制到特征線交界處，如圖所示。

對木料堆在重力載荷下的運動進行了建模。首先進行了木料之間無摩擦接觸的模擬，然后通過改變接觸為有摩擦的方式重復模擬。增加足夠大的摩擦力有助于木料堆保持整體性。模擬采用顯式動力學分析，并假設木料為剛性體，因為它們的應變不是本次模擬關注的重點.

晶圓需求主要來自3D堆疊元件，與2020年相較，晶圓總體成長為CAGA 8.5%。 其中包含FCBGA、扇出型、WLCSP和3D堆疊封裝，3D堆疊IC的目標是在未來五年中以24.8％的CAGR成長，其中HBM占48%、3D占27%，而3D NAND占82%。臺積電仍保持領先地位，其2019年占扇出型封裝市場69%市占率。

其中，WoW就是將兩層Die以鏡像方式垂直堆疊起來，上述蘋果M1 Ultral芯片以及今年年初Graphcore推出的IPU都采用的這種封裝技術。

，可實現對其最新的3D-IC WoW堆疊技術進行仿真，這將有助于提高邊緣AI、圖形處理和無線通信系統的功耗、效率和性能。

而得益于近十年來先進封裝與芯片堆疊技術的發展，例如3D堆疊、SiP等，也使得異構集成成為了大幅存在可能。下圖顯示了先進芯片封裝技術的趨勢。

Co-EMIB 在兩個 3D 小芯片堆棧之間形成高密度互連的橋梁。橋本身是嵌入封裝有機基板中的一小塊硅。硅上的互連線的密度可以是有機襯底上的兩倍。 Co-EMIB 管芯還將高帶寬內存和 I/O 小芯片連接到“基礎塊”，這是堆疊其余部分的最大小芯片。 基礎tile使用英特爾的 3D 堆疊技術，稱為 Foveros，在其上堆疊計算和緩存小芯片。

3D-IC設計面臨的多物理場挑戰盡管3D-IC優勢突出，但其復雜的堆疊結構和密集的互連也引入了一系列多物理場挑戰——即多種物理現象相互交織、相互影響的問題，主要包括傳熱、電遷移、應力應變和熱膨脹。熱膨脹與應力翹曲3D-IC中使用了多種材料（硅、金屬、介質等），它們的熱膨脹系數不同。

三、超聲波增材制造(UAM)這項工藝由Fabrisonic開發，通過熔合和堆疊金屬條來制造金屬工件。這項工作是在混合機床上完成的，機床能夠隨著增材制造的進行而對工件進行CNC銑削。通過堆疊金屬條進行構建，可以實現快速構建速度，從而使大型部件變得實用。UAM是如何工作的？在UAM中，材料不會熔化，而是通過超聲波焊接進行連接。這種焊接使用高頻振動來連接表面，同時金屬保持固體。

② More than Moore是從系統角度出發，走堆疊技術，使得在單位面積上密度會增加。 堆疊封裝的演進 從1980年就出現了由多個芯片堆疊的系統級封裝(SiP)/MCM，此后封裝技術一直在演進。