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吸收邊界由于計(jì)算機(jī)容量的限制，F(xiàn)DTD只能在有限區(qū)域內(nèi)進(jìn)行模擬。為了能夠模擬開放區(qū)域電磁過(guò)程，在有限的計(jì)算區(qū)域截?cái)?em>邊界處必須給出吸收邊界條件。常用的吸收邊界有Mur吸收邊界和完美匹配層吸收邊界。Mur吸收邊界在PML出現(xiàn)之前，Mur吸收邊界在FDTD的發(fā)展中發(fā)揮了重要作用。即使在今天，我們?nèi)匀豢梢岳眠@種簡(jiǎn)單的邊界條件在FDTD模擬中獲得相當(dāng)好的結(jié)果。

一個(gè)用于所有界面上的匹配邊界條件的s矩陣。 特征值求解器計(jì)算每層均勻介質(zhì)在k域內(nèi)的電場(chǎng)解。s-矩陣算法通過(guò)遞歸匹配邊界條件來(lái)計(jì)算整個(gè)膜層系統(tǒng)的響應(yīng)。這是一種以其無(wú)條件數(shù)值穩(wěn)定性而聞名的方法，因?yàn)榕c傳統(tǒng)的傳遞矩陣不同，它避免了計(jì)算步驟中的指數(shù)增長(zhǎng)函數(shù)。

入射到玻璃基板上的金屬涂層上的光被反射、透射和吸收。 這個(gè)模型包括建模域左右兩側(cè)的 Floquet 周期性邊界條件以及頂部和底部的端口邊界條件。頂部的端口邊界條件以指定的入射角發(fā)射平面波，并計(jì)算反射光，而底部的邊界條件則計(jì)算透射光。我們可以對(duì) 金屬層內(nèi)的損失進(jìn)行積分 來(lái)計(jì)算鍍金層內(nèi)的吸收率。

吸收介質(zhì)中的輻射束接口中第二個(gè)輻射束的 入射強(qiáng)度特征的屏幕截圖，用于底部域中的強(qiáng)度。 最后，讓我們討論當(dāng)光線到達(dá)第二層底部并擊中硅晶圓襯底時(shí)會(huì)發(fā)生什么。我們將假設(shè)硅晶片是摻雜的，因此它具有高度吸收性和非反射性。由于所有到達(dá)這個(gè)邊界的光都將在足夠小的距離內(nèi)被吸收，因此可以說(shuō)光在邊界處被吸收。對(duì)于這種情況，不透明表面 邊界條件將在所選邊界處沉積所有能量，這就完成了激光在結(jié)構(gòu)中傳播時(shí)的建模。

結(jié)果和討論 減音器的性能取決于它吸收的聲能。一個(gè)完美的諧振器在頻率范圍內(nèi)具有1的恒定吸收系數(shù)，這意味著進(jìn)入系統(tǒng)的所有噪聲都被吸收。 在后處理（PLAS，ALPHA）中繪制系統(tǒng)的吸收系數(shù)。 為了分析吸收系數(shù)，比較了邊界層阻抗（BLI）和低頻率（LRF）模型，如下圖所示： 兩種模型都給出了接近的結(jié)果。

一個(gè)用于所有界面上的匹配邊界條件的s矩陣。 特征值求解器計(jì)算每層均勻介質(zhì)在k域內(nèi)的電場(chǎng)解。s-矩陣算法通過(guò)遞歸匹配邊界條件來(lái)計(jì)算整個(gè)膜層系統(tǒng)的響應(yīng)。這是一種以其無(wú)條件數(shù)值穩(wěn)定性而聞名的方法，因?yàn)榕c傳統(tǒng)的傳遞矩陣不同，它避免了計(jì)算步驟中的指數(shù)增長(zhǎng)函數(shù)。

一個(gè)用于所有界面上的匹配邊界條件的s矩陣。 特征值求解器計(jì)算每層均勻介質(zhì)在k域內(nèi)的電場(chǎng)解。s-矩陣算法通過(guò)遞歸匹配邊界條件來(lái)計(jì)算整個(gè)膜層系統(tǒng)的響應(yīng)。這是一種以其無(wú)條件數(shù)值穩(wěn)定性而聞名的方法，因?yàn)榕c傳統(tǒng)的傳遞矩陣不同，它避免了計(jì)算步驟中的指數(shù)增長(zhǎng)函數(shù)。 更多信息：層矩陣（S矩陣） 系統(tǒng)構(gòu)建模塊-已采樣的介質(zhì) VirtualLabFusion提供一個(gè)不同材料的綜合目錄，可以用于膜層。

一個(gè)用于所有界面上的匹配邊界條件的s矩陣。 特征值求解器計(jì)算每層均勻介質(zhì)在k域內(nèi)的電場(chǎng)解。s-矩陣算法通過(guò)遞歸匹配邊界條件來(lái)計(jì)算整個(gè)膜層系統(tǒng)的響應(yīng)。這是一種以其無(wú)條件數(shù)值穩(wěn)定性而聞名的方法，因?yàn)榕c傳統(tǒng)的傳遞矩陣不同，它避免了計(jì)算步驟中的指數(shù)增長(zhǎng)函數(shù)。

這可以與“原始”分析預(yù)計(jì)的結(jié)果(虛線)相比較，其中假設(shè)根據(jù)纖芯和包層面積之比的恒定吸收系數(shù)。傳播一段時(shí)間后，由于上述影響，兩條曲線明顯不同。 圖2顯示了光纖末端的強(qiáng)度分布。纖芯和包層邊界用灰色圓圈表示。圖2:光纖末端的強(qiáng)度分布。 可以通過(guò)使用 D 形泵浦包層來(lái)提高泵浦的吸收率：本質(zhì)上，我們?cè)诒闷职鼘拥捻敳壳械粢徊糠帧?/div>