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直到2020年，中微半導體成為全球第一家成功研制出5nm精度刻蝕機的企業，并獲得了臺積電認可，用于臺積電5nm芯片工藝生產線。 然而就在近日，根據4月6日權威媒體報道，中微正式官宣，該公司研發的等離子刻蝕機設備已經進入客戶的5nm生產線。

4月27日，Ansys將推出主題網絡研討會『5nm InFO設計中的PI簽核方法介紹』， 本次活動特別邀請到中興微電子Sanechips高級物理設計工程師丁萍做相關介紹，歡迎預約本場活動，了解更多詳情。

點擊報名：https://v.ansys.com.cn/Live/j5Ed1CZe?source=jishulink

業內人士指出，將英特爾的制程轉換為“等效節點”（EN），預計英特爾原規劃的7nm的EN值為4.1nm，介于三星、臺積電的5nm和3nm之間；英特爾原規劃的5nm的EN值為2.4nm，介于三星、臺積電的3nm和2nm之間。[23] Tom's Hardware指出，對于不了解內情的人，英特爾的10nm Superfin架構聽起來遠不如AMD使用的臺積電7nm，這是具有欺騙性的。

將其應用于電磁屏蔽，nMAG的高電導率降低了其最低商用厚度(100 nm，20 dB)；將其應用于紅外探測，nMAG的強光致熱發射效應將石墨烯/硅二極管的響應波長從1.5 μm擴展到了4 μm。

利用佳能的NIL 技術，可繪制出最小線寬為14納米的線路，相當于當下最尖端的邏輯半導體的5納米節點。另外，通過改良掩膜，還有望繪制出10納米線路，即相當于2納米節點。

如果您查看圖 6 中的 TSMC 密度值，在 5nm 中，2-2 鰭式單元的密度比 2-2 單元高 1.39 倍，而 2-1 單元的密度提高了 1.56 倍。三星有兩個版本的 3nm，SF3E（3GAE）版本比 5nm 密度高 1.19 倍，SF3（3GAP）版本比 5nm 密度高 1.35 倍，進一步落后于臺積電行業領先的密度。

（source:三星）此外，三星也指出，相較于5nm制程，他們第一代3nm制程能降低45%功耗、提升23%效能、縮減16%面積；第二代3nm制程則可降低50%功耗、提升30%效能，并縮減35%面積，可全面優化芯片PPA指標。

DigiTimes表示，如果3nm良率問題繼續存在，許多客戶可能會延長5nm工藝節點的使用范圍。此外，臺積電的困境可能會影響PC世界最受歡迎的公司（如AMD和Nvidia）的產品路線圖。 消息來源解釋說，臺積電“不斷修改”其3nm產品，代工廠似乎這樣做是為了找到良率的最佳點。臺積電最新推出的是N3E，它是臺積電3nm制造工藝的低成本版本，在N3之后一年問世，讓業界觀察家感到驚訝。

據國外媒體報道，在7nm和5nm制程工藝的量產時間上基本能跟上臺積電節奏的三星電子，在更先進的3nm制程工藝上有望先于臺積電量產，有報道稱他們正推進在二季度量產。

與此同時，實現1nm及以下工藝，晶體管架構也要改變，我們知道臺積電及三星會在3nm或者2nm節點放棄FinFET轉向GAA結構，而在A5之后還要再轉向CFET晶體管結構。 其他的技術升級還有很多，包括布線、光刻機等等，需要一系列技術突破才有可能實現。

該知情人稱，2022年的P60 手機將采用 14nm 麒麟 9100 芯片。麒麟芯片是由華為的海思部門設計的，在美國將華為列入實體清單之前，華為是僅次于蘋果的臺積電第二大客戶。盡管采用 14nm 制程工藝節點生產，但知情人補充說，麒麟 9100 芯片的性能將與 5nm 芯片組相當。華為尚未對傳聞發表評論。我們建議對這個傳言持保留態度。14nm 芯片組無法提供 5nm 性能。

EUV 光刻依賴于與舊形式光刻相同的原理，但使用波長約為 13.5 nm 的光。ASML需要超過 60 億歐元和 17 年的時間來開發第一批可以銷售的 EUV 光刻機。但在它們完成之前，美國政府向荷蘭政府施壓，要求其禁止向中國出口，限制該國使用較舊的 DUV（深紫外線）技術。

他們大膽猜測其M0間距為28 nm，這就像在 5N 工藝中一樣，這是納米片的寬度約為35 nm，厚度約為6 nm。正是這樣的設計為其提供了240–250 nm的溝道寬度，或相當于當前鰭片高度的2+鰭片晶體管。 semiwiki在一篇文章介紹，臺積電研發組的Jin Cai在去年的VLSI研討會上開展了一場名為“下一個十年的 CMOS 器件技術”的討論。

Keysight副總裁兼EDA事業部總經理Niels Faché表示：“Keysight、Synopsys和Ansys進一步擴大了與臺積電的戰略技術協作，為先進的4nm射頻技術提供更高水平的射頻設計。我們目睹了射頻設計人員在采用老一代解決方案和流程時遇到的困難，這些解決方案和流程根本不適用于如今的5G/6G片上系統和射頻子系統設計。

Ansys電源完整性和電磁分析工具為高性能計算（HPC）、5G和AI等應用優化半導體產品 主要亮點 Ansys

俄芯片制造落后行業龍頭15年 設計產品停留在28nm 面對各個芯片公司的禁售，俄羅斯的相關產業情況并不樂觀。無論是芯片設計還是芯片制造，俄羅斯的公司均落后于行業頭部玩家。 根據聯合國商品貿易統計數據庫的數據，2020年，俄羅斯進口了大約價值4.4億美元的半導體設備，以及約12.5億美元的集成電路。

CINNO Research產業資訊，業界常識，工作在200 nm至280 nm UVC波段的LED一直都受制于輸出功率的提升。不過，這一瓶頸限制有望被打破，這要歸功于北京大學領導的中國團隊，他們的研究成果為標準尺寸UVC芯片輸出功率的提升開辟了新天地。

4LPP是4nm的低功耗版本，于2022年實現量產，這也是三星最后一個采用FinFET晶體管架構的制程節點。5nm臺積電表示，由于客戶對5nm需求強勁，該公司5nm系列在2022年的產能擴充計劃比2020年增長3.5倍以上，并在2023年達到2020年的4倍以上。臺積電還推出了5nm的新版本－N5A制程，目標在于滿足汽車應用對于運算能力日益增加的需求。

與此同時，該公司還推出了增強版的N5P工藝制程，晶體管的速度提升了5%，功耗降低了10%，這給HPC帶來了很好的發展機會。 此外，臺積電還基于N5平臺推出了N4工藝，其速度、功耗和密度都有了改善。其最大優勢同樣是與N5的兼容，使用5nm工藝設計的產品能夠輕易地轉移到4nm平臺上。這也能保證臺積電客戶的每一代投資，都能獲得更好的效益。