刻蝕是用化學(xué)或物理方法對(duì)襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性腐蝕或剝離的過程。目前干法刻蝕在半導(dǎo)體刻蝕中占據(jù)絕對(duì)主流地位，市場(chǎng)占比超過90%。據(jù)東方財(cái)富研報(bào)，刻蝕設(shè)備作為半導(dǎo)體設(shè)備的中堅(jiān)力量，有望率先完成國(guó)產(chǎn)替代。

從國(guó)內(nèi)市場(chǎng)來看，刻蝕機(jī)尤其是介質(zhì)刻蝕機(jī)，是我國(guó)最具優(yōu)勢(shì)的半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，也是國(guó)產(chǎn)替代占比最高的重要半導(dǎo)體設(shè)備之一。我國(guó)目前在刻蝕設(shè)備商代表公司為中微公司、北方華創(chuàng)等。

在等離子體刻蝕設(shè)備市場(chǎng)中主要是兩類的設(shè)備：CCP（Capacitively Coupled Plasma）電容性高能等離子體刻蝕機(jī)和ICP（Inductively Coupled Plasma）電感性低能等離子體刻蝕機(jī)。CCP設(shè)備主要是刻蝕深寬比較高的、較硬的介質(zhì)材料；而ICP主要是刻蝕尺度小，厚度薄的較軟的材料。由于微觀器件越做越小，薄膜厚度越來越薄，線寬控制越來越嚴(yán)，ICP刻蝕機(jī)取代以往的CCP刻蝕設(shè)備成為市場(chǎng)規(guī)模占主導(dǎo)地位的設(shè)備。

2004年由尹志堯博士等人回國(guó)創(chuàng)立，2007年首臺(tái)CCP刻蝕設(shè)備研制成功，2012年首臺(tái)MOCVD設(shè)備研制成功，目前產(chǎn)品已具備國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力，公司ICP刻蝕設(shè)備已趨于成熟，截至2021年6月已交付100臺(tái)，Mini LED用MOCVD設(shè)備已獲得大批量訂單，產(chǎn)品品類拓展疊加市場(chǎng)份額提升，公司長(zhǎng)期發(fā)展向好。此外，公司已成為世界排名前列的氮化鎵（GaN）基LED設(shè)備制造商。

目前公司正加速平臺(tái)化布局，現(xiàn)已組建團(tuán)隊(duì)開發(fā)LPCVD設(shè)備和EPI設(shè)備，同時(shí)通過外延式發(fā)展方式持有拓荊科技、睿勵(lì)儀器、理想萬里暉、山東天岳、德龍激光等公司股權(quán)，與德國(guó)DAS公司戰(zhàn)略合作以開拓半導(dǎo)體行業(yè)尾氣處理設(shè)備領(lǐng)域。公司技術(shù)積累深厚，正逐步打造成為國(guó)際一流的平臺(tái)型設(shè)備企業(yè)。