EM
關注創(chuàng)建者：AlainZhou 創(chuàng)建時間：2018-12-14
EM的視頻教程
Ansys EM和Ansys Workbench的安裝、破解和集成（基于Ansys 19.2）
Ansys Workbench和 Ansys EM（電子桌面） 的安裝、破解；基于Ansys 19.2和Ansys EM 19.2；以及Ansys Workbench和 Ansys EM的集成。Ansys 和Ansys EM 18.0——19.2，甚至2019R2的安裝、破解和集成過程都一樣。） 本視頻安裝、破解和集成全過程，并帶語音講解的。
￥3 11播放
查看
LS-DYNA EM：電磁模塊 電磁炮教程
這是一個關于LS-DYNA EM求解器的教程視頻 ，它解釋了電磁成形/焊接/彎曲應用的物理模型，關鍵字和主要概念。 本案例展示了EM求解器如何處理導體之間的接觸，特別關注對BEM網格的影響。 主要對軌道炮應用案例做了詳細介紹！
免費 15分鐘 1253播放
查看
EM計算方法計算原理講解（以實際問題為例，有助于新手理解）
本人以自己學習的基礎上講解了EM算法，基于個人理解，有助于快速理解算法，但是有些理解可能不透徹，期待大家在評論區(qū)交流。
免費 7分鐘
查看
EM的實例教程
EM3DS采用參數(shù)化建模，內嵌優(yōu)化工具，用戶可以在使用變量來定義對象的屬性，包括對象的位置、尺寸等，這樣就使得優(yōu)化設計變得更加的直接、方便，而不需要對結構進行多次修改。EM3DS新增加了智能FIT算法（SmartFIT），可以精確地計算給定頻率帶寬內的頻率點。前處理器和GUI得到了改進，增加了更多的新功能，使得用戶的建模變得更加的簡便。例如增加了數(shù)據的內部以及外部的有理數(shù)插值運算，增加了電流的更直觀的三維繪圖顯示（支持標量和矢量顯示），增加了模型抽取器允許抽取電路的集總單元來重生成電磁響應而不必理會電路的長度。EM3DS許可證可以是浮動的，即用戶可以使用一個許可證在不同的計算機上運行EM3DS軟件。
EM3DS在6.3版本加入了2.5D和3D電磁求解器，用戶只需使用鼠標輕輕一點即可實現(xiàn)2.5D和3D的轉換，2.5D模式中EM3DS求解速度可以得到50%到300%的提升。
同時，EM3DS還是第一款具備有計算壓電體與聲波耦合的電磁軟件。
EM3DS應用領域
EM3DS是一款高效電磁場仿真軟件，對整合各種介質板或介質棧的結構的電磁仿真有著極高的效率，即使是很復雜的復合介質層的模型仍然可獲得相當高的精度。EM3DS采用漸近線預測算法，對基于微帶、微帶線和cpw的結構具有相當高的計算效率，在大多數(shù)場合，采用該算法的EM3DS比市場上同類型的2.5D軟件都快。由于EM3DS采用新智能FIT算法（SmartFIT），使得計算一個具有非常多頻率點的模型所花的時間可以忽略不計。
此外，EM3DS是一款3D軟件，它能夠解決一些2D軟件所無法解決的問題，如介質諧振器等，這類設備的波導元件包括2個端口：例如濾波器膜的厚度很薄，并且它的能量損耗不可忽略。
展開 在去年九月的第二屆挑戰(zhàn)賽上，EM10取得了不俗的成績，此次新吉奧攜EM10純電動廂式運輸車和EV300純電動廂式輕卡迎戰(zhàn)挑戰(zhàn)賽，會有怎樣亮眼的表現(xiàn)呢？讓我們一起期待2018中國深圳第三屆新能源汽車(物流車)挑戰(zhàn)賽吧!
（文/電車資源 丘山）
電池擠壓多物理場分析.... 16
詳細內容，敬請下載：
LS-DYNA? 電磁（EM）白皮書
傳統(tǒng)方法是使用整個芯片最壞情況下的平均溫度來進行電遷移(EM)sign-off。這種方法不僅低效，還沒有將熱點熱量問題考慮在內。因此，在優(yōu)化導線設計的同時，估算導線的實際溫度是保證可靠性的必要條件。由于現(xiàn)代芯片中有著大量的導線，所以在所有導線上應用直接的熱場求解方法（如有限元法）是不可行的。本文介紹了一種創(chuàng)新方法，用于高效、精確地計算與自熱效應有關的溫升對數(shù)百萬條導線產生的影響。還介紹了兼顧自熱效應和芯片封裝系統(tǒng)(CPS)熱環(huán)境的熱感知EM方法。
圖1：電遷移的熱影響
芯片的導線溫度是關鍵數(shù)據，用于確定導線上的允許電流，以滿足Black方程（圖1）中所述的預期平均失效時間（MTTF）。這用于預測金屬導線的EM可靠性故障，隨著時間的推移會導致不希望出現(xiàn)的開路或短路。導線/器件溫度影響功耗（尤其是泄漏功耗，它是溫度的指數(shù)函數(shù)）、電阻、EM限值，進而影響EM、IR/動態(tài)壓降、信號完整性、ESD和定時。
精確估計導線在數(shù)千個時鐘周期內的穩(wěn)態(tài)溫度需要以下輸入：
1、CMOS設備在實際工作狀態(tài)（即切換模式或空閑模式）下的功耗
2、封裝中芯片的熱環(huán)境，如熱導率分布，包括用于三維IC設計的多晶粒加熱，以及CPS配置的變化
3、導線的自加熱分量，通常由導線之間的熱耦合和流經導線的平均或均方根（RMS）電流的功率耗散引起。
通常，設備發(fā)熱是芯片總功耗的主要部分。芯片級功耗分析工具，如Ansys、RedHawk或Totem生成芯片熱模型(CTM)，該模型以精細的網格功耗圖表示設備加熱的影響。Ansys Sentinel-TI是一個有限元工具，用于模擬和求解集成電路封裝（如3D-IC）中芯片的熱分布。
展開 課程內容：
本次網絡研討會將重點介紹如何使用Ansys可靠性簽核方案為FinFET工藝下的SoC設計提供全面的熱、EM和ESD可靠性簽核分析。包含基于Ansys Totem及Redhawk-SC平臺的從標準單元庫、數(shù)模混合IP、數(shù)字SoC到封裝和系統(tǒng)級別的熱分析，以及考慮了熱效應的EM簽核分析，還將介紹基于Ansys PathFinder平臺的從IO、IP、SoC到封裝和系統(tǒng)級別的ESD完整性簽核分析。
課程簡介：
采用新一代FinFET技術的SoC設計具有眾多優(yōu)勢，如更低的漏電流、更高的性能、更小的封裝面積、更大的集成度等。鑒于這些優(yōu)勢，越來越多的高性能SoC選擇使用FinFET工藝，并廣泛地應用在移動通信、5G、高性能計算、AI和ADAS等領域。然而FinFET工藝也給設計人員帶來更多地可靠性挑戰(zhàn)，如更高電流密度引起的更高溫度、自發(fā)熱、電遷移（EM）和靜電放電（ESD）等。可靠性設計已經成為FinFET工藝下SoC設計的關鍵考慮因素，設計人員需要在設計中的每一個階段對熱、EM和ESD進行準確的簽核分析，以確保最終產品的質量和可靠性。
Ansys和主流代工廠在FinFET先進工藝下合作定義了完整的多物理場可靠性簽核方案，支持從IP到SoC到封裝和系統(tǒng)的整個設計流程中進行熱、EM和ESD仿真，找到設計中的缺陷，提供準確的簽核分析，保障產品一次流片成功。
培訓時間：
2020年10月20日（周二） 16:00~ 17:00
主講講師：
楊晨
點擊圖片或點擊報名鏈接報名：http://event.31huiyi.com/1909637972/index?c=jishulink
展開 
EM的相關專題、標簽、搜索
EMEM評估Ansys EMansys em多核ansys em仿真ansys em視頻 em error: the em fem-bem solver did not converge please try to reduce the em time stepem error: the em fem-bem solver did not converge please try to reduce the em time stepem error: the em fem-bem solver did not converge在ls-prepost中對電磁成形過程進行仿真時，出現(xiàn)em error:the em fem-bem solver did not converge please try to reduce the em time stepemsem
EM的最新內容
n=3612-29643" rel="noopener noreferrer" target="_blank"><strong><em>點擊這里，即可查看/下載</em></strong></a></p><p><br></p><p><strong>為什么這本論文集值得收藏？
《AI智能體驅動Abaqus 仿真全流程自動化》車福炎</em></strong></p><p>1. AI 智能體簡介</p><p>2. AI 智能體與 Abaqus 集成方法</p><p>3. 使用 AI 驅動 Abaqus 自動化建模與仿真</p><p>4. 示例演示：自然語言指令驅動Abaqus仿真</p><p><strong><em>02.
而班加羅爾是印度第三大城市，擁有650萬人口，EMS類公司密集，是電子行業(yè)生產基地、國際級高科技及電子公司的匯聚地，超過1500家IT軟硬件公司在這里落戶，素有印度的“硅谷”之稱，年均58.9%的高經濟增長率，各類科研機構及工業(yè)類院校密集，被聯(lián)合國譽為“全球第四大科技創(chuàng)新地”。
部分展商名單：
Advance Tech ? Agate & Agate ?
image_process=/format,webp" data-initial-src="https://img.jishulink.com/202605/attachment/2c5f6670454148d2b2b2dcaaa9edd6d2.png">
</figure>
</figure><p><em>* 以上日程為初步擬定內容，具體安排請以最終發(fā)布為準</em></p><p>參與方式
溫度分布</em></p><p><br></p><p>可以繪制茶壺的熱通量矢量圖，如圖 4 所示。
: 2em; visibility: visible; overflow-wrap: break-word !
-p top.top -o em.tpr -maxwarn 1
gmx mdrun -v -deffnm em
能量最小化后進行2 ns的平衡模擬:
gmx grompp -f md.mdp -c em.gro -p top.top -o md.tpr -maxwarn 1
gmx mdrun -v -deffnm md
模擬分析
經過2ns的平衡模擬后，可以看到四個匹格列酮小分子已經成功發(fā)生了自組裝
測試文章11111119天前
</p><p>立即掃碼，即可<strong>免費</strong>預約</p><p><em>「爬蟲技術原理 + 實戰(zhàn)應用 + 副業(yè)發(fā)展」</em></p><p>大佬直播在線答疑，開啟高薪之路！</p><p><br></p>
然而，使用傳統(tǒng)的電磁（EM）求解器并不總能實現(xiàn)這種精度水平。因此，設計人員通常選擇將MOM電容器視為分立組件，并將其模型直接連接到測試臺進行仿真。
制造MIM電容器是一項更大的挑戰(zhàn)，因為在制造過程中需要額外的掩膜層。技術文件中會引入專用的MIM層，以定義和設計MIM電容器。在完整布局環(huán)境中對完整的MIM結構進行建模，對于預測電容精度至關重要。
-0-0" class="public-DraftStyleDefault-block public-DraftStyleDefault-ltr" style="overflow: initial;">
<span data-offset-key="em424-0-0">努力皆有回響，耕耘終得碩果。
