課程內容：

本次網絡研討會將重點介紹如何使用Ansys可靠性簽核方案為FinFET工藝下的SoC設計提供全面的熱、EM和ESD可靠性簽核分析。包含基于Ansys Totem及Redhawk-SC平臺的從標準單元庫、數模混合IP、數字SoC到封裝和系統級別的熱分析，以及考慮了熱效應的EM簽核分析，還將介紹基于Ansys PathFinder平臺的從IO、IP、SoC到封裝和系統級別的ESD完整性簽核分析。

課程簡介：

采用新一代FinFET技術的SoC設計具有眾多優勢，如更低的漏電流、更高的性能、更小的封裝面積、更大的集成度等。鑒于這些優勢，越來越多的高性能SoC選擇使用FinFET工藝，并廣泛地應用在移動通信、5G、高性能計算、AI和ADAS等領域。然而FinFET工藝也給設計人員帶來更多地可靠性挑戰，如更高電流密度引起的更高溫度、自發熱、電遷移（EM）和靜電放電（ESD）等。可靠性設計已經成為FinFET工藝下SoC設計的關鍵考慮因素，設計人員需要在設計中的每一個階段對熱、EM和ESD進行準確的簽核分析，以確保最終產品的質量和可靠性。

Ansys和主流代工廠在FinFET先進工藝下合作定義了完整的多物理場可靠性簽核方案，支持從IP到SoC到封裝和系統的整個設計流程中進行熱、EM和ESD仿真，找到設計中的缺陷，提供準確的簽核分析，保障產品一次流片成功。

培訓時間：

2020年10月20日（周二） 16:00~ 17:00

主講講師：

楊晨

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