LGBT芯片技術(shù)的案例
車規(guī)級(jí)安全芯片與芯片安全測(cè)試技術(shù)
表格 3 國(guó)內(nèi)外廠商車規(guī)級(jí)安全芯片方案
3. 芯片安全測(cè)試技術(shù)
毋庸置疑，對(duì)于車載安全芯片，在應(yīng)用于車輛終端系統(tǒng)時(shí)，其信息安全特性需要經(jīng)過第三方機(jī)構(gòu)嚴(yán)格規(guī)范的測(cè)試與評(píng)價(jià)。
車載芯片的安全測(cè)試技術(shù)沿襲自集成電路安全測(cè)試技術(shù)，主要通過模擬黑客安全攻擊的方式執(zhí)行，以芯片可抵抗各類安全攻擊的真實(shí)情況，并結(jié)合系統(tǒng)性分析，作為其安全指標(biāo)。
針對(duì)芯片的安全攻擊測(cè)試技術(shù)，主要包括主動(dòng)與被動(dòng)兩類：
主動(dòng)攻擊測(cè)試：
測(cè)試者對(duì)芯片的輸入或運(yùn)行環(huán)境進(jìn)行控制，使安全芯片運(yùn)行行為出現(xiàn)異常，在這種情況下，通過分析芯片工作的異常行為，獲得芯片內(nèi)的密鑰等關(guān)鍵敏感信息。主動(dòng)攻擊常用故障注入的方式，包括電磁、激光、紅外、高電壓注入等測(cè)試方法。
被動(dòng)攻擊測(cè)試：
測(cè)試者令芯片等密碼設(shè)備大多數(shù)情況下按照其規(guī)范運(yùn)行，甚至完全按照其規(guī)范運(yùn)行。在這種情況下，通過觀測(cè)芯片的物理特性（如執(zhí)行時(shí)間、能量消耗等），測(cè)試者可能獲得密鑰等關(guān)鍵敏感信息。被動(dòng)測(cè)試常用方式為側(cè)信道攻擊，包括分析芯片的時(shí)序、功率、電磁輻射等信號(hào)特征。
展開 車規(guī)級(jí)安全芯片與芯片安全測(cè)試技術(shù)
車載芯片的安全測(cè)試技術(shù)沿襲自集成電路安全測(cè)試技術(shù)，主要通過模擬黑客安全攻擊的方式執(zhí)行，以芯片可抵抗各類安全攻擊的真實(shí)情況，并結(jié)合系統(tǒng)性分析，作為其安全指標(biāo)。
針對(duì)芯片的安全攻擊測(cè)試技術(shù)，主要包括主動(dòng)與被動(dòng)兩類：
主動(dòng)攻擊測(cè)試：測(cè)試者對(duì)芯片的輸入或運(yùn)行環(huán)境進(jìn)行控制，使安全芯片運(yùn)行行為出現(xiàn)異常，在這種情況下，通過分析芯片工作的異常行為，獲得芯片內(nèi)的密鑰等關(guān)鍵敏感信息。主動(dòng)攻擊常用故障注入的方式，包括電磁、激光、紅外、高電壓注入等測(cè)試方法。
被動(dòng)攻擊測(cè)試：測(cè)試者令芯片等密碼設(shè)備大多數(shù)情況下按照其規(guī)范運(yùn)行，甚至完全按照其規(guī)范運(yùn)行。在這種情況下，通過觀測(cè)芯片的物理特性（如執(zhí)行時(shí)間、能量消耗等），測(cè)試者可能獲得密鑰等關(guān)鍵敏感信息。被動(dòng)測(cè)試常用方式為側(cè)信道攻擊，包括分析芯片的時(shí)序、功率、電磁輻射等信號(hào)特征。
芯片的安全測(cè)試需要專業(yè)設(shè)備與專業(yè)人員，測(cè)試執(zhí)行方式主要包括非侵入式、半侵入式和侵入式三類，詳細(xì)情況見表格4：
表格4安全芯片安全測(cè)試方式
國(guó)家智能網(wǎng)聯(lián)汽車創(chuàng)新中心以信息安全實(shí)驗(yàn)室為依托，針對(duì)車載終端安全測(cè)試，已建設(shè)了全面的安全測(cè)試與驗(yàn)證能力。測(cè)試對(duì)象包括車載網(wǎng)關(guān)、T-BOX、ADAS和IVI等關(guān)鍵控制器等。測(cè)試項(xiàng)包含硬件安全、固件安全、密鑰安全、傳感器信號(hào)安全、數(shù)字證書安全和通信安全測(cè)試等。
展開 當(dāng)中國(guó)芯片股狂跌時(shí)，這家美國(guó)大廠又把芯片技術(shù)推向極限了
但隨著芯片制造制程進(jìn)入個(gè)位數(shù)納米，問題來了，制造芯片的材料是硅（硅基芯片），而當(dāng)硅基芯片制程低于10nm，就會(huì)出現(xiàn)量子隧穿效應(yīng)，使得在芯片中穿行的電子失控。
而解決問題的方法，就是采用GAA這種芯片制造技術(shù)，這也是目前臺(tái)積電、三星們重點(diǎn)攻關(guān)的領(lǐng)域。
不過，雖然IBM此次在實(shí)驗(yàn)室中使用three-stack GAA造出了2nm制程芯片，但量產(chǎn)是不可能量產(chǎn)的。IBM最終還是需要與三星、英特爾合作，使用IBM實(shí)驗(yàn)室研發(fā)的芯片制造技術(shù)在未來實(shí)現(xiàn)2nm芯片走向商用。
一面是發(fā)達(dá)國(guó)家一眾芯片大廠們你追我趕的把芯片制造技術(shù)推向巔峰與極限，一面是大陸芯片企業(yè)龍頭海思、中芯國(guó)際被限，小弟們更是一個(gè)個(gè)半死不活天天挨踹，此刻，我的心情是哇涼哇涼的。
展開 芯片反擊開始了！官媒正式發(fā)聲：中國(guó)用芯片封裝技術(shù)繞過美禁令
芯片性能隨著制程的不斷提升而逐步放緩，到了4nm，3nm工藝，進(jìn)一步突破摩爾定律極限，外界以為芯片性能可以呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，可是性能提升的幅度并沒有超出預(yù)期，而且伴隨而來的是功耗問題。另外美國(guó)芯片規(guī)則的存在，讓國(guó)產(chǎn)芯片需要做更多的努力。
一、芯片封裝的反擊
芯片是一個(gè)復(fù)雜的集成電路元器件，一顆指甲蓋大小的芯片，采用了高端先進(jìn)的5nm，4nm制程技術(shù)可以，可以容納上百根晶體管。晶體管越多，計(jì)算能力越強(qiáng)，也意味著更強(qiáng)大的性能水準(zhǔn)。在傳統(tǒng)的芯片制造產(chǎn)業(yè)中，提升芯片性能的方式有很多。要么是從供應(yīng)鏈入手，由ASML提供更好的光刻機(jī)設(shè)備產(chǎn)品，要么是從芯片制造商作為切入點(diǎn)，提高芯片制程。
不過這些方法都離不開多方的協(xié)同配合，即便芯片制造商解決了制程問題，探索出更先進(jìn)的芯片制造技術(shù)，如果沒有半導(dǎo)體設(shè)備，材料供應(yīng)商的配合，也很難完成芯片生產(chǎn)，更別說提高芯片性能了。
但眼下國(guó)產(chǎn)芯片需要解決的不僅僅是提升芯片性能問題，還得確保芯片產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)進(jìn)步。從國(guó)產(chǎn)化28nm到14nm，甚至更先進(jìn)的制程技術(shù)，都有待長(zhǎng)期探索。只是美國(guó)制定了芯片規(guī)則，在獲取一些頂級(jí)的EUV光刻機(jī)設(shè)備方面有一定的變數(shù)。
所以該如何讓芯片在沒有EUV光刻機(jī)的參與下，還能取得更大的性能突破嗎？有官媒正式發(fā)聲，指出芯片封裝技術(shù)可以繞過美禁令。
按此所說，封裝技術(shù)會(huì)作為芯片反擊的方式，那么什么是芯片封裝技術(shù)呢？芯片封裝是芯片制造的后端產(chǎn)業(yè)，一顆芯片會(huì)經(jīng)過設(shè)計(jì)，制造以及封裝等環(huán)節(jié)。而封裝環(huán)節(jié)需要將制造好的芯片用特殊的封裝技術(shù)，固定在集成電路芯片所用的外殼，讓芯片能夠和其它電子元器件連接。傳統(tǒng)的封裝工藝主要采用2D封裝，但隨著芯片制造技術(shù)的加強(qiáng)，也漸漸發(fā)展到2.5D以及3D封裝。
在這些封裝技術(shù)中，根據(jù)客戶的需求，掌握封裝能力的廠商，會(huì)采用不同的封裝工藝。
展開 
AI芯片新機(jī)遇 —— ISSCC 2019 人工智能芯片技術(shù)前瞻
芯片性能的提升手段可以是令人乍舌的新工藝，或者是善用矩陣的稀疏性等等：
值得指出的是，其實(shí)上述在存內(nèi)計(jì)算或者是智能機(jī)器人芯片中的許多設(shè)計(jì)都滿足了這個(gè)小目標(biāo)。
來源：內(nèi)容來自「矽說」，謝謝。
香港“芯片大劫案”，連劫匪都開始搶芯片了！關(guān)乎中國(guó)制造崛起的技術(shù)產(chǎn)品有哪些呢？
目前全行業(yè)都非常焦慮，各大廠商都絞盡腦汁地備貨芯片，導(dǎo)致全球晶圓代工廠商的訂單都爆了，各家代工巨頭已多次上調(diào)了代工價(jià)格，且漲價(jià)的趨勢(shì)大概率仍將繼續(xù)。
最近海外疫情肆虐，外國(guó)撤企的傳聞不斷涌現(xiàn)，對(duì)中國(guó)制造業(yè)、外貿(mào)出口都是一個(gè)壓力。其實(shí)這些年美國(guó)一直鼓勵(lì)本國(guó)企業(yè)回流，就連曹德旺也表示，雖然就現(xiàn)在來看，全球產(chǎn)業(yè)鏈都離不開中國(guó)，但從長(zhǎng)遠(yuǎn)來看全球產(chǎn)業(yè)鏈會(huì)逐漸減少對(duì)中國(guó)的依賴。
中國(guó)制造業(yè)目前已取得了舉世矚目的成就，從落后挨打，到現(xiàn)在巨龍騰飛，中國(guó)制造人付出了巨大心血和努力。然而不可否認(rèn)的是，中國(guó)目前許多產(chǎn)品仍然高度依賴進(jìn)口，中國(guó)制造在以下這些領(lǐng)域的研發(fā)和生產(chǎn)中，依然存在難以攻破的技術(shù)難關(guān)......
01 芯片
小到平時(shí)使用的智能手機(jī)，大到登月用的超級(jí)計(jì)算機(jī)，芯片可以說是無處不在。2018年中國(guó)芯片市場(chǎng)超過4000億美元，然而令人遺憾的是中國(guó)核心集成電路國(guó)產(chǎn)芯片占有率多項(xiàng)為0，貿(mào)易逆差高達(dá)1657億美元，芯片之痛是中國(guó)制造難以抹去的陰影。
盡管我國(guó)正在加大攻關(guān)芯片技術(shù)的力度，但中國(guó)企業(yè)在全球芯片產(chǎn)業(yè)格局中仍處于中低端領(lǐng)域，目前中國(guó)能自主制造類比、分離等低端芯片，但邏輯、存儲(chǔ)等高端芯片目前都無法自給。
展開 熱仿真在芯片研發(fā)中的作用及熱阻講解—為什么任正非說芯片熱分析是尖端技術(shù)？
隨著現(xiàn)代社會(huì)的智能化發(fā)展，在人類生活的各個(gè)角落，無論是汽車電子還是人工智能，再或是AR、VR，以及其他新科技應(yīng)用領(lǐng)域，半導(dǎo)體芯片都是智能化控制的最基礎(chǔ)、最核心的部分。高度集成的封裝及電路控制可以幫助人類完成各種各樣的工作。
高度集成化的芯片封裝
為滿足智能化、微型化的需求，芯片被最大程度地封裝集成，多個(gè)芯片(chip）或并列封裝于一個(gè)Package中，形成SIP(System In a Package)系統(tǒng)級(jí)封裝，或進(jìn)行Stacked堆疊封裝,形成堆棧裸片封裝。
SIP系統(tǒng)級(jí)封裝
Stacked Die堆棧封裝示意圖
眾所周知，當(dāng)電流流經(jīng)導(dǎo)體時(shí)，必然會(huì)生成焦耳熱，熱量的不平均勢(shì)必引起導(dǎo)體的熱變形等不良現(xiàn)象，那么對(duì)于高度集成的芯片封裝，在其工作時(shí)，芯片內(nèi)部的熱耗勢(shì)必急劇增大，進(jìn)而導(dǎo)致芯片內(nèi)部溫度升高，因此在芯片封裝的研發(fā)過程中，芯片封裝的過熱問題必須得到良好的控制。
焦耳熱引起的導(dǎo)體溫升及熱變形
某芯片內(nèi)部的電流云圖、某芯片的溫度云圖分布
正如華為總裁任正非2018年接受記者采訪時(shí)講到“我們把芯片疊起來，但最大的問題是要把兩個(gè)芯片中間的熱量散出來，這也是尖端技術(shù)，所以說，熱學(xué)將是電子工業(yè)中最尖端的科學(xué)，這方面我們的研究也是領(lǐng)先的，就是太抽象了”，那么在芯片封裝的研發(fā)過程中，工程師可以使用ANSYS Icepak對(duì)芯片封裝內(nèi)部的熱流場(chǎng)進(jìn)行CAE仿真計(jì)算，也可以和ANSYS其他模塊一起，進(jìn)行芯片封裝的多物理場(chǎng)耦合模擬計(jì)算，以便調(diào)控?zé)崃鱾鬟f路徑，更好地降低芯片Die的溫度，提高其熱可靠性。下圖為某芯片內(nèi)部的熱流密度及溫度云圖，可以看出，芯片內(nèi)部的溫度極其不均勻。
展開 芯片制造的6個(gè)關(guān)鍵步驟--封裝技術(shù)：臺(tái)積電Chiplets和3D封裝技術(shù)詳解
科普|芯片制造的6個(gè)關(guān)鍵步驟
在智能手機(jī)等眾多數(shù)碼產(chǎn)品的更新迭代中，科技的改變悄然發(fā)生。蘋果A15仿生芯片等尖端芯片正使得更多革新技術(shù)成為可能。這些芯片是如何被制造出來的，其中又有哪些關(guān)鍵步驟呢？
智能手機(jī)、個(gè)人電腦、游戲機(jī)這類現(xiàn)代數(shù)碼產(chǎn)品的強(qiáng)大性能已無需贅言，而這些強(qiáng)大的性能大多源自于那些非常小卻又足夠復(fù)雜的科技產(chǎn)物——芯片。世界已被芯片所包圍：2020年，全世界共生產(chǎn)了超過一萬億芯片，這相當(dāng)于地球上每人擁有并使用130顆芯片。然而即使如此，近期的芯片短缺依然表現(xiàn)出，這個(gè)數(shù)字還未達(dá)到上限。
盡管芯片已經(jīng)可以被如此大規(guī)模地生產(chǎn)出來，生產(chǎn)芯片卻并非易事。制造芯片的過程十分復(fù)雜，今天我們將會(huì)介紹六個(gè)最為關(guān)鍵的步驟：沉積、光刻膠涂覆、光刻、刻蝕、離子注入和封裝。
沉積
沉積步驟從晶圓開始，晶圓是從99.99%的純硅圓柱體（也叫“硅錠”）上切下來的，并被打磨得極為光滑，然后再根據(jù)結(jié)構(gòu)需求將導(dǎo)體、絕緣體或半導(dǎo)體材料薄膜沉積到晶圓上，以便能在上面印制第一層。這一重要步驟通常被稱為 "沉積"。
隨著芯片變得越來越小，在晶圓上印制圖案變得更加復(fù)雜。沉積、刻蝕和光刻技術(shù)的進(jìn)步是讓芯片不斷變小，從而推動(dòng)摩爾定律不斷延續(xù)的關(guān)鍵。這包括使用新的材料讓沉積過程變得更為精準(zhǔn)的創(chuàng)新技術(shù)。
光刻膠涂覆
晶圓隨后會(huì)被涂覆光敏材料“光刻膠”（也叫“光阻”）。
展開 詳解四大芯片互連技術(shù)
盡管小芯片的功能是該技術(shù)的一個(gè)明顯優(yōu)勢(shì)，但采用它們的主要原因是成本效益。當(dāng)所有功能都在單個(gè)芯片上實(shí)現(xiàn)時(shí)，芯片尺寸會(huì)增加，并且不可避免地導(dǎo)致晶圓生產(chǎn)過程中良率的損失。此外，雖然芯片的某些區(qū)域可能需要昂貴且復(fù)雜的技術(shù)，但其他區(qū)域可以使用更便宜的傳統(tǒng) 技術(shù)來完成。因此，由于芯片無法分離，制造工藝變得昂貴，因此即使只有很小的面積需要精細(xì)技術(shù)，也要將精細(xì)技術(shù)應(yīng)用于整個(gè)芯片。然而，小芯片技術(shù)能夠分離芯片功能，從而可以使用先進(jìn)或傳統(tǒng)的制造技術(shù)，從而節(jié)省成本。
雖然chiplet技術(shù)的概念已經(jīng)存在十多年了，但由于缺乏能夠互連芯片的封裝技術(shù)的發(fā)展，它并沒有被廣泛采用。然而，芯片到晶圓 (C2W) 混合鍵合的最新進(jìn)展顯著加速了小芯片技術(shù)的采用。C2W 混合鍵合具有多種優(yōu)勢(shì)。首先，它允許無焊料鍵合，從而減少鍵合層的厚度、縮短電氣路徑并降低電阻。因此，小芯片可以高速運(yùn)行而無需任何妥協(xié)——就像單個(gè)芯片一樣。其次，通過直接將銅與銅接合，可以顯著減小凸塊上的間距。目前，使用焊料時(shí)很難實(shí)現(xiàn) 10 微米 (μm) 或更小的凸塊間距。然而，銅對(duì)銅直接鍵合可以將間距減小到小于一微米，從而提高芯片設(shè)計(jì)的靈活性。第三，它提供了先進(jìn)的散熱功能，這一封裝功能在未來只會(huì)繼續(xù)變得越來越重要。最后，上述的薄粘合層和細(xì)間距影響了封裝的形狀因數(shù)，因此可以大大減小封裝的尺寸。
然而，與其他鍵合技術(shù)一樣，混合鍵合仍然需要克服挑戰(zhàn)。為了確保穩(wěn)定的質(zhì)量，必須在納米尺度上改進(jìn)顆粒控制，而控制粘合層的平整度仍然是一個(gè)主要障礙。同時(shí)，SK海力士計(jì)劃使用最高功率的封裝解決方案來開發(fā)混合鍵合，以便將其應(yīng)用于未來的HBM產(chǎn)品。
展開 國(guó)產(chǎn)無線充電芯片的技術(shù)和應(yīng)用分析
WPC在發(fā)展針對(duì)廚房家電、電動(dòng)自行車和AGV等大功率設(shè)備的無線充電標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，AirFuel RESONANT標(biāo)準(zhǔn)在這一細(xì)分市場(chǎng)進(jìn)展更快，其中最有代表性的就是從MIT獨(dú)立出來的大功率無線充電技術(shù)公司W(wǎng)iTricity。
中大功率設(shè)備終端，尤其是手機(jī)端為代表的智能終端的充電功率迅速提升，從一開始的充電功率只有5W到現(xiàn)在可以實(shí)現(xiàn)100W甚至更高的充電功率，并且部分型號(hào)手機(jī)還搭配的反向無線充電的技術(shù)，可以為智能手表、TWS耳機(jī)等設(shè)備充電。手機(jī)端無線充電應(yīng)用要克服機(jī)體輕薄、效率、發(fā)熱、對(duì)位、材料屬性、空間限制和置入成本等技術(shù)難點(diǎn)，故而手機(jī)內(nèi)部的接收端芯片設(shè)計(jì)技術(shù)更為復(fù)雜且技術(shù)壁壘較高。
下面以美芯晟充電功率100W同時(shí)具備18W反向充電的無線充電接收端芯片為例，來說明智能終端高功率應(yīng)用的設(shè)計(jì)方案。通過采用自創(chuàng)的高功率RX+2:1電荷泵雙芯片架構(gòu)，該接收端芯片MT5785集成了無線充電接收功能所需的一切，可提供高達(dá)100W的輸出功率，同時(shí)具備18W反向充電功能，轉(zhuǎn)化效率達(dá)到98.5%，支持WPC最新的BPP與EPP認(rèn)證，同時(shí)支持主要手機(jī)廠商的專有無線快充協(xié)議，可廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、筆記本電腦、電動(dòng)工具等領(lǐng)域。據(jù)了解，美芯晟已經(jīng)成功研發(fā)并量產(chǎn)1W~100W無線充電接收端和發(fā)射端全系列芯片，部分關(guān)鍵性能指標(biāo)處于行業(yè)領(lǐng)先水平，終端產(chǎn)品覆蓋了小米、榮耀、傳音等知名品牌。
展開 電動(dòng)汽車 IGBT 芯片技術(shù)綜述和展望
鑒于車規(guī)級(jí)功率模塊的應(yīng)用場(chǎng)景需求分析，硅基 IGBT 芯片仍是電動(dòng)汽車逆變器應(yīng)用上的主流功率器件，且極具發(fā)展?jié)摿Γ?em>芯片技術(shù)演進(jìn)歷程如圖 1 所示。本文重點(diǎn)就電動(dòng)汽車 IGBT 芯片大電流密度、低損耗優(yōu)化技術(shù)，高壓/高溫技術(shù)和智能集成技術(shù) 3 個(gè)關(guān)鍵優(yōu)化方向?qū)﹄妱?dòng)汽車 IGBT 芯片技術(shù)進(jìn)行梳理總結(jié)，并在此基礎(chǔ)上展望電動(dòng)汽車 IGBT芯片技術(shù)的發(fā)展方向。
1 車規(guī)級(jí)芯片大電流密度、低損耗技術(shù)
目前，為滿足電動(dòng)汽車的功率需求，牽引逆變器中一般使用多芯片并聯(lián)的功率模塊。然而，多芯片并聯(lián)會(huì)帶來并聯(lián)芯片間電流分布不均，回路雜散電感增大和散熱效率下降等問題；同時(shí)，受到封裝尺寸的限制，現(xiàn)有技術(shù)下標(biāo)準(zhǔn)模塊的功率很難得到有效地提升。因此，亟需通過提高單個(gè)芯片的電流密度，來實(shí)現(xiàn)模塊功率密度以及模塊電、熱性能的綜合提升。
1.1 溝槽柵技術(shù)
相比于平面柵結(jié)構(gòu)，溝槽柵技術(shù)由于消除了結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(junction gate field-effect transistor，JEFT)區(qū)域，具有元胞緊湊和通態(tài)壓降小的特點(diǎn)，可以實(shí)現(xiàn)更大的電流密度，因此被廣泛用于電動(dòng)汽車芯片領(lǐng)域，如圖 2 所示。
Nakagawa 在 2006 年 ISPSD 會(huì)議上討論了臺(tái)面寬度(即溝槽間距，mesa)對(duì) IGBT 芯片 V-I 曲線的影響，指出在一定范圍內(nèi)，通過減小臺(tái)面寬度，提高電子注入效率，可以提升 IGBT 芯片在相同導(dǎo)通電壓下的電流密度，如圖 3 所示。
英飛凌公司于 2000 年推出了采用溝槽柵技術(shù)的 IGBT3，后續(xù)主要通過調(diào)整溝槽柵間距來實(shí)現(xiàn)芯片迭代優(yōu)化設(shè)計(jì)，如圖 4 所示。相比于傳統(tǒng)溝槽柵結(jié)構(gòu)，TRENCHSTOPTM 5 柵極結(jié)構(gòu)更加緊湊，導(dǎo)電溝道寬度顯著提高，導(dǎo)通損耗減小 10%。
展開 
中國(guó)芯片設(shè)計(jì)云技術(shù)白皮書2.0
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在移動(dòng)設(shè)備加密技術(shù)領(lǐng)域中應(yīng)用的加密芯片
無論邏輯加密芯片還是安全芯片，都要具備完善的密鑰管理機(jī)制。
工采網(wǎng)代理的韓國(guó)Neowine加密芯片 - GEN -FA有32 Kbits的EEPROM。配置數(shù)據(jù)和用戶數(shù)據(jù)可以保存在EEPRO m。數(shù)據(jù)由密碼和加密n保護(hù)。GEN有SHA-256核心。SHA-256用于身份驗(yàn)證。它是一個(gè)從設(shè)備，總通過串行總線與單片機(jī)一起運(yùn)行。GEN內(nèi)部置8 MHz時(shí)鐘。當(dāng)MCU在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)不訪問GEN時(shí)，GEN將進(jìn)入睡眠模式。8MHz的OSC在睡眠模式下不振蕩。
加密芯片 -GEN -FA的特性：
用戶可編程復(fù)制保護(hù)集成電路
32 Kbits EEPROM，保留期(10年）
擦除/寫入持久性：100K@25℃
支持AES128加密和解密SHA256/AES128身份驗(yàn)證
用戶標(biāo)識(shí)、用戶串行、MIDR、RVC
3.3V工作電壓，I2C I/F
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展開 華為芯片堆疊封裝技術(shù)來了
（蘋果發(fā)布會(huì)截圖）
據(jù)了解，堆疊技術(shù)也可以叫做3D堆疊技術(shù)，是利用堆疊技術(shù)或通過互連和其他微加工技術(shù)在芯片或結(jié)構(gòu)的Z軸方向上形成三維集成，信號(hào)連接以及晶圓級(jí)，芯片級(jí)和硅蓋封裝具有不同的功能，針對(duì)包裝和可靠性技術(shù)的三維堆疊處理技術(shù)。
該技術(shù)用于微系統(tǒng)集成，是在片上系統(tǒng)（SOC）和多芯片模塊（MCM）之后開發(fā)的先進(jìn)的系統(tǒng)級(jí)封裝制造技術(shù)。 在傳統(tǒng)的SiP封裝系統(tǒng)中，任何芯片堆棧都可以稱為3D，因?yàn)樵赯軸上功能和信號(hào)都有擴(kuò)展，無論堆棧位于IC內(nèi)部還是外部。
目前，3D芯片技術(shù)的類別包括：基于芯片堆疊的3D技術(shù)，基于有源TSV的3D技術(shù)，基于無源TSV的3D技術(shù)，以及基于芯片制造的3D技術(shù)。
筆者注意到，去年華為就曾被曝出“雙芯疊加”專利，這種方式可以讓14nm芯片經(jīng)過優(yōu)化后比肩7nm性能。但當(dāng)時(shí)曝光的這種通過堆疊的方式與蘋果的“Ultra Fusion”架構(gòu)還是有所不同。
也許有很多人理解雙芯片堆疊是指將兩顆獨(dú)立芯片進(jìn)行物理堆疊的方式去實(shí)現(xiàn)性能突破，其實(shí)這是非常嚴(yán)重的錯(cuò)誤，如果單單依靠物理堆疊，那么會(huì)有非常多的弊端無法解決，例如兼容性，穩(wěn)定性，發(fā)熱控制這些都是沒法通過物理堆疊來解決問題的，在設(shè)計(jì)思路上面就會(huì)走上歧路，得不償失也毫無意義。
雙芯疊加層級(jí)運(yùn)用于設(shè)計(jì)和生產(chǎn)初期，也就是說在設(shè)計(jì)過程中將原來的一顆芯片設(shè)計(jì)成雙層芯片然后利用自己獨(dú)特的技術(shù)，來將這兩層芯片封裝在一顆芯片中，通過同步信號(hào)方式與一些其他方法就可以激活雙層芯片共同發(fā)力，從而實(shí)現(xiàn)芯片性能突破。所以說一個(gè)物理層堆疊，一個(gè)設(shè)計(jì)之初就開始改變?cè)O(shè)計(jì)思路，這是完全不同的兩個(gè)方式。
因此，雖然同樣是指雙芯片組合成單個(gè)主芯片，但蘋果與華為可以說是兩種截然不同的方式。
展開 AI芯片公司的技術(shù)路線抉擇！
同時(shí)我們也可以注意到國(guó)內(nèi)不少自動(dòng)駕駛汽車創(chuàng)業(yè)公司，選擇了自研芯片，如零跑汽車與大華集團(tuán)合作開發(fā)AI自動(dòng)駕駛芯片“凌芯01”。但Xilinx絕不會(huì)放棄自己獨(dú)家優(yōu)勢(shì)，將采取FPGA實(shí)現(xiàn)自動(dòng)駕駛，去對(duì)抗GPU或ASIC的路線。
深鑒科技在被收購(gòu)前后，也放出消息說把業(yè)務(wù)領(lǐng)域從安防轉(zhuǎn)移到自動(dòng)駕駛，XIlinx不管是為了收回前期投資，還是繼續(xù)為技術(shù)路線延拓，收購(gòu)深鑒科技，都釋放出一個(gè)信號(hào)——FPGA可以和GPU的英偉達(dá)體系或其他ASIC體系相抗衡。歸根結(jié)底，技術(shù)路線的選擇，也許還要看公司自身的技術(shù)積累，以及垂直領(lǐng)域細(xì)分應(yīng)用的需求去做選擇。
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