3D NAND技術(shù)
關(guān)注創(chuàng)建者：匿名 創(chuàng)建時間：2026-01-04
3D NAND技術(shù)的實例教程
通過將Optane和QLC 3D NAND這兩種獨有的技術(shù)整合到存儲器和儲存解決方案當(dāng)中，并引領(lǐng)運算技術(shù)進入一個新的時代。
英特爾高級副總裁兼非揮發(fā)性存儲器解決方案事業(yè)部總經(jīng)理Rob Crooke表示：“英特爾Optane和3D NAND技術(shù)確保電腦與儲存系統(tǒng)架構(gòu)師和開發(fā)人員隨時隨地讀取關(guān)鍵資料。這兩項技術(shù)彌補了正在使用的資料與待讀取資料之間的巨大鴻溝。”
英特爾Optane技術(shù)和英特爾QLC 3D NAND技術(shù)的結(jié)合，能夠加快最常訪問資料的讀取速度，同時利用硬盤快閃存儲器技術(shù)的優(yōu)勢實現(xiàn)大型存放區(qū)。英特爾此舉在于打破瓶頸，以更好的解決方案幫助用戶釋放資料的價值。
面向消費端的英特爾SSD 660p和面向資料中心的英特爾SSD D5-P4320是全球首個針對不同應(yīng)用領(lǐng)域的QLC PCIe 3D NAND SSD，并以極高性價比為客戶提供市場上最高的PCIe面密度。其中，660p在單個驅(qū)動器內(nèi)的儲存空間達到2TB，而P4320則達到8TB（后續(xù)還有更大空間版本），這兩款QLC SSD將有能力取代硬盤。
此外，660p的M.2 80mm規(guī)格相比基于TLC的存儲器提供多達兩倍的容量。在資料中心方面，P4320相比傳統(tǒng)解決方案能夠幫助使用者儲存更多資料，節(jié)省更多空間，實現(xiàn)更多功能。
來源：CTIMES
展開 報道稱，清華紫光的子公司長江存儲（YMTC）從7日出席美國《 美國的快閃記憶體高峰會（Flash Memory Summit）》，公開32層、64層3D NAND。YMTC的CEO楊士寧7日做主旨演講，介紹新產(chǎn)品。
YMTC此次公開的NAND當(dāng)中，32層產(chǎn)品將于2018年下半年進入試產(chǎn)階段。目前三星和SK海力士生產(chǎn)的是96層、72層產(chǎn)品。
YMTC透露，新產(chǎn)品使用的是3D NAND架構(gòu)創(chuàng)新技術(shù)X-tacking，有效提高了數(shù)據(jù)處理速度。
X-tacking架構(gòu)的細(xì)節(jié)
該架構(gòu)將用于其即將推出的3D NAND閃存芯片。該技術(shù)涉及使用兩個晶圓構(gòu)建NAND芯片：一個晶圓包含基于電荷陷阱架構(gòu)的實際閃存單元，另一個晶圓采用CMOS邏輯。
傳統(tǒng)上，NAND閃存的制造商使用單一工藝技術(shù)在一個芯片上產(chǎn)生存儲器陣列以及NAND邏輯（地址解碼，頁面緩沖器等）。相比之下，長江存儲打算使用不同的工藝技術(shù)在兩個不同的晶圓上制作NAND陣列和NAND邏輯，然后將兩個晶圓粘合在一起，使用一個額外的工藝步驟通過金屬通孔將存儲器陣列連接到邏輯。
Xtacking架構(gòu)旨在使NAND獲得超快的I/O接口速度，同時最大化其內(nèi)存陣列的密度。
長江存儲表示，其64層3D NAND芯片的I/O接口速度為3Gbps，比三星最新的V-NAND快兩倍，比主流3D NAND快三倍。
從理論上講，高I/O性能將使SSD供應(yīng)商能夠只用較少的NAND通道制作低容量SSD而不會影響性能，從而抵消了高傳輸率的低并行性。
展開 作為NAND行業(yè)的新晉者，長江存儲科技有限責(zé)任公司（以下簡稱：長江存儲）公開發(fā)布其突破性技術(shù)——Xtacking?。該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。
圖片來源：長江存儲官網(wǎng)
采用Xtacking?，可在一片晶圓上獨立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)輸入輸出及記憶單元操作的外圍電路。這樣的邏輯電路加工工藝，可以讓NAND獲取所期望的高I/O接口速度和功能。存儲單元同樣也將在另一片晶圓上被獨立加工。
當(dāng)兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的Xtacking?技術(shù)只需一個處理步驟就可通過數(shù)百萬根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯(lián)通道)將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。
業(yè)內(nèi)知名人士Gregory Wong認(rèn)為：“隨著3D NAND更新?lián)Q代，在單顆NAND芯片存儲容量大幅提升后，要維持或提升相同容量SSD的性能將會越來越困難。若要推動SSD性能繼續(xù)提升，更快的NAND輸入輸出速度及多plane并行操作功能將是必須的。”
長江存儲CEO楊士寧博士表示：“目前，世界上最快的3D NAND輸入輸出速度的目標(biāo)值是1.4Gbps，而大多數(shù)NAND供應(yīng)商僅能供應(yīng)1.0 Gbps或更低的速度。利用Xtacking?技術(shù)我們有望大幅提升NAND 輸入輸出速度到3.0Gpbs，與DRAM DDR4的I/O速度相當(dāng)。這對NAND行業(yè)來講將是顛覆性的。”
傳統(tǒng)3D NAND架構(gòu)中，外圍電路約占芯片面積的20~30%，降低了芯片的存儲密度。隨著3D NAND技術(shù)堆疊到128層甚至更高，外圍電路可能會占到芯片整體面積的50%以上。Xtacking?技術(shù)將外圍電路置于存儲單元之上，從而實現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲密度。
展開 今天小編給大家推薦兩款性價比高的國產(chǎn)存儲芯片，存儲芯片 - HS-SSD-E3000采用SSD控制器和3D NAND閃存，并與海康威視自主設(shè)計的NAND閃存管理固件配合使用，確保讀寫速度和數(shù)據(jù)安全。在生產(chǎn)端，HS-SSD-E3000采用優(yōu)質(zhì)的3D NAND閃存和BGA，由自動化生產(chǎn)線制造。它已根據(jù)視頻監(jiān)控服務(wù)器的標(biāo)準(zhǔn)進行了測試，因此提供了更好的穩(wěn)定性。廣泛應(yīng)用于電子消費類產(chǎn)品、個人臺式電腦以及筆記本電腦等設(shè)備，為目標(biāo)系統(tǒng)提供穩(wěn)定的服務(wù)。
存儲芯片 - HS-SSD-E3000的特性：
極速讀寫：
-PCIe 接口，讀取速度達 3500 MB/s
3D 堆疊技術(shù)：
3D NAND 技術(shù)進一步將容量、性能與穩(wěn)定性提升到更高水平
抗震防摔：
無機械結(jié)構(gòu)，采用電子芯片控制，數(shù)據(jù)更安全
存儲芯片 - PTS11，PTS11系列SSD采用SSD主控和3D NAND Flash技術(shù)，搭配海康威視自主研發(fā)的NAND Flash管理軟件，確保讀寫速度和數(shù)據(jù)安全。在產(chǎn)品層面，PTS11系列SSD采用高質(zhì)量的3D NAND Flash，由自動化SMT產(chǎn)線生產(chǎn)，經(jīng)海康數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)測試，確保提供穩(wěn)定服務(wù)。廣泛應(yīng)用于工控行業(yè)，為目標(biāo)系統(tǒng)提供穩(wěn)定的服務(wù)。
存儲芯片 - PTS11的特性：
主要部件
-3D TLC NAND閃存
-Standard Endurance Technology (SET)
形態(tài)規(guī)格
-M.2 2280 key
穩(wěn)定性
-老化測試 168 小時以上無錯誤。
展開 例如每年的會議中，都包含有關(guān)非易失性存儲器的會議，大多數(shù)NAND閃存制造商都會分享其最新發(fā)展的技術(shù)細(xì)節(jié)。在會議上，我們能獲得的信息超出了這些公司通常在新聞發(fā)布會上愿意分享的信息，并且演講通常涉及來年即將上市的技術(shù)。
在本周的ISSCC 2021上，六家主要的3D NAND閃存制造商中的四家將展示他們最新的3D NAND技術(shù)。三星，SK hynix和Kioxia（+ Western Digital）正在共享其最新的3D TLC NAND設(shè)計，而英特爾將展示其144層3D QLC NAND。美光公司（去年年底宣布推出176L 3D NAND）和中國存儲新兵長江存儲今年都不參加。
3D TLC（每個cell有3位）更新
三星，SK hynix和Kioxia / WD介紹了有關(guān)其下一代3D TLC的信息。
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3D NAND技術(shù)的最新內(nèi)容
今天小編給大家推薦一款性價比高的國產(chǎn)存儲芯片，存儲芯片 - PTS11，PTS11系列SSD采用SSD主控和3D NAND Flash技術(shù)，搭配海康威視自主研發(fā)的NAND Flash管理軟件，確保讀寫速度和數(shù)據(jù)安全。在產(chǎn)品層面，PTS11系列SSD采用高質(zhì)量的3D NAND Flash，由自動化SMT產(chǎn)線生產(chǎn)，經(jīng)海康數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)測試，確保提供穩(wěn)定服務(wù)。
推薦產(chǎn)品：固態(tài)硬盤PTS11系列
PTS11系列SSD采用先進的SSD主控和3D NAND Flash 技術(shù)，搭配自主研發(fā)的NAND Flash管理軟件，確保讀寫速度和數(shù)據(jù)安全，經(jīng)海康數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)測試，確保提供穩(wěn)定服務(wù)；在保障高速性能的情況下，具有強散熱、低功耗的良好表現(xiàn)，輕松滿足用戶日常各類使用所需。
存儲芯片 - HS-SSD-E3000的特性：
極速讀寫：
-PCIe 接口，讀取速度達 3500 MB/s
3D 堆疊技術(shù)：
3D NAND 技術(shù)進一步將容量、性能與穩(wěn)定性提升到更高水平
抗震防摔：
無機械結(jié)構(gòu)，采用電子芯片控制，數(shù)據(jù)更安全
這是來自工采網(wǎng)代理的國產(chǎn)存儲芯片 - HS-SSD-E3000，廣泛應(yīng)用于電子消費類產(chǎn)品、個人臺式電腦以及筆記本電腦等設(shè)備，為目標(biāo)系統(tǒng)提供穩(wěn)定的服務(wù)。
存儲芯片 - HS-SSD-E3000的特性：
極速讀寫：
-PCIe 接口，讀取速度達 3500 MB/s
3D 堆疊技術(shù)：
3D NAND 技術(shù)進一步將容量、性能與穩(wěn)定性提升到更高水平
抗震防摔：
無機械結(jié)構(gòu)，采用電子芯片控制，數(shù)據(jù)更安全
存儲芯片 - PTS11，PTS11系列SSD采用SSD主控和3D NAND Flash技術(shù)，搭配海康威視自主研發(fā)的NAND Flash管理軟件
存儲芯片 - HS-SSD-E3000的特性：
極速讀寫：
-PCIe 接口，讀取速度達 3500 MB/s
3D 堆疊技術(shù)：
3D NAND 技術(shù)進一步將容量、性能與穩(wěn)定性提升到更高水平
抗震防摔：
無機械結(jié)構(gòu)，采用電子芯片控制，數(shù)據(jù)更安全
這是來自工采網(wǎng)代理的國產(chǎn)存儲芯片 - HS-SSD-E3000，廣泛應(yīng)用于電子消費類產(chǎn)品、個人臺式電腦以及筆記本電腦等設(shè)備，為目標(biāo)系統(tǒng)提供穩(wěn)定的服務(wù)。
東芝和三星在3D NAND方面的開拓性工作帶來了兩項主要的3D NAND技術(shù)。
3D NAND現(xiàn)在可以達到64層甚至更高的層，其輸出已經(jīng)超過2D NAND。
東芝開發(fā)了Bit Cost Scalable（BiCS）的工藝。
根據(jù)東京電子的相關(guān)披露，在3D NAND的工藝技術(shù)下，刻蝕設(shè)備的資本開支占比高達49%，與2D NAND下僅16%形成鮮明反差。整體來看，目前3D NAND已經(jīng)進入64層量產(chǎn)階段，未來96層、128層也在研發(fā)試產(chǎn)中，預(yù)計相關(guān)產(chǎn)品也將很快問世。
因此集成電路生產(chǎn)商開始在器件結(jié)構(gòu)上追求突破，例如在邏輯芯片領(lǐng)域，隨著柵極長度縮小到20 納米以下，為了避免“短溝道效應(yīng)”，3D FinFET 技術(shù)應(yīng)運而生，推動了邏輯芯片計算速度的進一步提高；又例如在存儲芯片領(lǐng)域，原有的 2D NAND 閃存技術(shù)被 3D NAND 閃存技術(shù)所取代，DRAM 動態(tài)記憶體芯片結(jié)構(gòu)中電容結(jié)構(gòu)高寬比也不斷增加，分別在同等晶圓面積上極大提升了存儲芯片的存儲容量。
長江存儲3D NAND閃存技術(shù)的快速發(fā)展，得益于其獨創(chuàng)的“把存儲陣列(Cell Array)和外圍控制電路(Periphery)分開制造，再合并封裝在一起”的XtackingTM技術(shù)。
圖9.長江存儲的XtackingTM技術(shù)演示(來源：長江存儲官網(wǎng))
據(jù)報道，美光最新一代的176層3D NAND將直接取代96層的版本。
長江存儲3D NAND閃存技術(shù)的快速發(fā)展，得益于其獨創(chuàng)的“把存儲陣列(Cell Array)和外圍控制電路(Periphery)分開制造，再合并封裝在一起”的XtackingTM技術(shù)。
