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創建者：三花貓 創建時間：2016-10-26

fds的視頻教程

汽車網絡安全講解
汽車網絡安全講解

車內網絡在規模和復雜性方面近年來不斷發展，越來越多的節點會連接到CAN FD網絡，與此同時很多黑客增借此對汽車網絡增加了潛在的攻擊。此次視頻將對汽車網絡安全進行分析的同時分享如何為未來汽車提升其安全基石的技巧和技術。

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無網格劃分仿真設計軟件midas MeshFree 3.0首發直播
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_wv=1027&k=5k45fd1 第一期midas MeshFree無網格劃分新技術原理【已結束】 直播時間：2019-03-28 19:00 1、midas MeshFree與傳統有限元方法的區別； 2、midas MeshFree無網格劃分新技術原理，如何做到無需模型清理簡化和無需網格劃分； 3、midas MeshFree軟件特點、功能以及優勢； 4、midas MeshFree

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fds的實例教程

總體來說，FD-SOI很好地解決了PD-SOI之中存在的既有問題，且由于是平面工藝，不需要花費更多成本來進行遷移，是未來功率半導體向前發展的最合適選擇之一。 那些FD-SOI廠商 首先需要明確的是，目前全球有三家公司具備FD-SOI代工能力，分別是意法半導體、三星和格芯。 先來說意法半導體，2012年，意法半導體宣布其克羅勒工廠已經具備28nm FD-SOI制程量產能力，是首個商業化代工FD-SOI的公司，其分別于2012年和2014年將FDSOI工藝授權給格芯和三星。 2018年，意法半導體宣布選定格芯22nm FD-SOI技術平臺，采用格芯可量產的22FDX工藝和生態系統，為未來智能系統提供第二代FD-SOI解決方案，與格芯在FD-SOI技術的發展上基本達成了一致。 再來說GF格芯，作為FD-SOI制造技術的推動者，獲得意法半導體授權后，2017年在原來的基礎上發布了22 nm FD-SOI代工平臺，截至2020年年底已實現營收45 億美元，交付芯片超過3.5 億顆。 2018年，格芯投產12 nm FD-SOI代工平臺，該平臺生產的產品幾乎擁有10 nm FinFET 工藝產品同等的性能，功耗和生產成本比16 nm FinFET工藝產品還低，需要注意的是，格芯曾宣布將獨立開發7nm制程FD-SOI技術，但之前已宣布正式放棄。
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一、 制造工藝現狀 目前全球有三家公司具備FD-SOI代工能力，分別是STM、三星和Globalfoundries（GF）。近年來，GF是FD-SOI制造技術的推動者和引領者，其于2016年推出的12nm FD-SOI工藝技術12FDX是目前市面上最先進的FD-SOI制造工藝。因此，GF是FD-SOI制造技術發展的風向標。2018年9月5日，GF宣布無限期中斷7納米投資計劃的舉動釋放出兩個信號：（1）GF將加大對現有FD-SOI技術的投入；（2）GF也將放慢開發12nm節點以下FD-SOI先進制程的腳步。IBS預測，近10年內，FD-SOI代工工藝仍將集中在28nm、22nm、12nm節點。未來幾年，業界將會把主要精力放在完善FD-SOI產業鏈、提高FD-SOI的產能以及擴張FD-SOI的市場規模上。 與此同時，研發FD-SOI先進工藝的重任則主要由Leti承擔。目前，Leti已經積累了豐富的10nm節點以下FD-SOI制造工藝技術。除此之外，Leti基于FD-SOI技術開發出了先進的3D集成技術-CoolCUBE。Leti認為，隨著工藝的成熟，CoolCUBE將為未來芯片3D集成提供一條絕佳的解決方案。 圖：Leti 的CoolCUBE 3D集成技術（Leti） 二、 產品應用現狀 由于產業發展的歷史原因，FD-SOI到目前為止仍缺乏殺手級的產品，導致其遠無法和FinFET抗衡。因此，FD-SOI必須能夠提供差異化的產品，以縮短產品進入市場周期。結合FD-SOI自身的優勢和未來半導體發展的趨勢，業界普遍認為FD-SOI在汽車電子、物聯網（IoT）等應用領域具有一定的前景。下面梳理各公司在這些應用領域的最近進展。 （1）汽車電子領域 汽車電子是未來FD-SOI應用的最大市場之一。
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圖8、SOITEC研發的FDSOI襯底優化的Smart-CutTM技術 圖9、Smart-CutTM技術形成的“與絕緣層整合” 優化后的FDSOI襯底，功耗范圍大大擴展，產品線擴展到：RF-SOI、power-SOI、FDSOI、POI、光學SOI、成像SOI，性能提升的同時，應用產品線大大豐富，充分展示了FD-SOI廣闊應用前景，特別是基于這些產品線下可能的混合型芯片技術，性能比較高，將有助于AIOT在自動駕駛領域的廣泛應用。 圖10、Smart-CutTM技術應用領域 值得一提的是，隨著國內AIOT技術的快速發展，面向AIOT應用的FDSOI產業生態也逐漸形成。 圖11、國內FDSOI生態系統 當然，業界當下仍然對FD-SOI晶圓硅片的成本和供應有所顧慮。Planar技術，導致FD-SOI的晶圓襯底比硅晶片昂貴一些。但如果從制成品的成本和性能來看，28nm FDSOI比28nm bulk CMOS晶圓(28nm或22nm)可提供多30-50%的性能，22nm FD-SOI又比14nm FinFET成品晶圓成本降低20-30%，但由于具備射頻、體偏壓和集成優勢，又能夠提供幾乎相同的性能。從與FinFET技術對比而言，FDSOI當下更關注那些低功耗、性能靈活(能夠從休眠模式到高速計算靈活切換)、集成模擬/RF/混合信號的應用。最好的例子是三星能夠為無晶圓廠同時提供這兩種類型的解決方案：用于物聯網、人工智能、低功耗計算和5G應用的FD-SOI，以及用于極高性能但高成本的FinFET。
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使用火災動力學模擬器(FDS)完成火災CFD模擬課程（英） 發布于2026年3月 MP4 | 視頻：h264, 1920x1080 | 音頻：AAC, 44.1 KHz, 雙聲道 語言：英語 | 時長：12小時45分鐘 | 大小：9.42 GB **FDS實用火災建模 — 熱釋放速率、暖通空調、控制系統及高級CFD應用** **您將學到什么** - 使用FDS和 PyroSim 構建完整的火災模擬模型，從幾何設置到結果解讀。 - 設計結構化計算網格，并利用特征火災直徑計算合適的單元尺寸。 - 定義材料、反應、組分和表面，以準確模擬火災增長和煙氣行為。 - 布置和配置測量裝置，用于測量溫度、能見度、煙氣層高度、熱釋放速率和流量。 **課程要求** - 具備傳熱學和流體力學等工程基礎的基本理解會有幫助，但非強制要求。 - 無需具備FDS或PyroSim的先驗經驗。課程循序漸進地涵蓋基礎知識和高級概念。 - 需要一臺能夠運行PyroSim和FDS模擬的計算機。 - 必須具備學習計算火災建模并應用工程判斷的意愿。 **課程描述** 火災建模在性能化消防安全設計中已不再是可選項 — 它是必不可少的。 這門關于火災動力學模擬器(FDS)的完整專業課程，將帶您從零基礎走向高級實際火災建模應用。無論您是消防工程師、CFD工程師、機械工程師、安全顧問還是研究人員，本課程旨在讓您在構建、運行和解讀火災模擬方面具備專業能力。 我們從火災動力學基礎、燃燒原理以及理解FDS工作原理所需的CFD基礎知識開始。
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9 計算及結果 （1）單擊主菜單Analysis→Run FDS按鈕，彈出FDS Simulation對話框開始計算。 （2）計算結束后，自動啟動后處理模塊，顯示計算結果。
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（a）波導結構示意圖；（b）K空間分析圖 圖3 基于RMG的L型光柵波導布局圖 光柵優化：RCWA結合PSO的精準設計 為實現理論推導的衍射效率分布，團隊采用嚴格耦合波分析（RCWA）結合粒子群優化（PSO）算法，對折疊光柵、出耦合光柵及入耦合光柵的結構進行了優化設計： 1.確定光柵核心參數：選用532nm波長，HOYA-FD60W玻璃為波導基底（折射率1.817），波導厚度1mm
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