SOC驗(yàn)證
關(guān)注創(chuàng)建者：匿名 創(chuàng)建時(shí)間：2021-12-29
SOC驗(yàn)證的視頻教程
1-62基于matlab的鋰電池的模型構(gòu)建、參數(shù)識(shí)別和驗(yàn)證、SoC估計(jì)，Simulink采用擴(kuò)展卡爾曼濾波器（EKF）
基于matlab的鋰電池的模型構(gòu)建、參數(shù)識(shí)別和驗(yàn)證、SoC估計(jì)，Simulink采用擴(kuò)展卡爾曼濾波器（EKF），m腳本采用（EKF和(無跡卡爾曼濾波)UKF）。程序已調(diào)通，可直接運(yùn)行。 購買后可下載視頻中的源程序文件。
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SOC驗(yàn)證的實(shí)例教程
隨著SOC芯片的規(guī)模和功能的不斷急劇膨脹，SOC驗(yàn)證一般可以占到整個(gè)項(xiàng)目的60%以上，驗(yàn)證已成為了整個(gè)SOC芯片開發(fā)的瓶頸。芯片驗(yàn)證不充分，輕則重新投片，時(shí)間資本上損失慘重，重則資金耗盡，公司關(guān)張。芯片江湖的也有“七種武器”，這七種武器合理運(yùn)用，可以最大限度確保芯片驗(yàn)證充分，降低芯片流片失敗的風(fēng)險(xiǎn)。
本周五14:00，新思科技「從微架構(gòu)到系統(tǒng)：基于新思科技RISC-V驗(yàn)證方案構(gòu)建高效可靠的RISC-V 驗(yàn)證閉環(huán)」正式開講！感興趣的下滑預(yù)約學(xué)習(xí)??
時(shí)間：5月15日 周五，14:00-15:00
內(nèi)容簡(jiǎn)介：
本課程將深度剖析RISC-V在現(xiàn)代SoC設(shè)計(jì)中的核心驗(yàn)證難點(diǎn)及挑戰(zhàn)，并重點(diǎn)介紹新思科技RISC-V相關(guān)的動(dòng)態(tài)驗(yàn)證方案，通過將STING的高效激勵(lì)生成能力與ImperasDV的精準(zhǔn)檢查能力與新思科技的VCS、Verdi深度融合，展示如何構(gòu)建一個(gè)涵蓋“激勵(lì)生成 - 高速仿真 - 深度調(diào)試 - 覆蓋率收斂”的仿真驗(yàn)證方案。
講師介紹：
范宇杰，新思科技資深應(yīng)用工程師，擁有多年SOC與CPU驗(yàn)證經(jīng)驗(yàn)，近年來專注于RISC-V生態(tài)系統(tǒng)及新思科技RISC-V及CPU相關(guān)驗(yàn)證方案的推廣與支持。
形式：線上
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展開 新思科技芯課程全新RISC-V系列即將推出，本次課程內(nèi)容共4講，首場(chǎng)【從微架構(gòu)到系統(tǒng)：基于新思科技RISC-V驗(yàn)證方案構(gòu)建高效可靠的RISC-V 驗(yàn)證閉環(huán)】將于5月15日上線，深度剖析RISC-V在現(xiàn)代SoC設(shè)計(jì)中的核心驗(yàn)證難點(diǎn)及挑戰(zhàn)，并重點(diǎn)介紹新思科技RISC-V相關(guān)的動(dòng)態(tài)驗(yàn)證方案，通過將STING的高效激勵(lì)生成能力與ImperasDV的精準(zhǔn)檢查能力與新思科技的VCS、Verdi深度融合，展示如何構(gòu)建一個(gè)涵蓋“激勵(lì)生成- 高速仿真- 深度調(diào)試-覆蓋率收斂”的仿真驗(yàn)證方案。歡迎了解并預(yù)約更多系列課程：
1. 5/15: 從微架構(gòu)到系統(tǒng)：基于新思科技RISC-V驗(yàn)證方案構(gòu)建高效可靠的RISC-V 驗(yàn)證閉環(huán)
2. 5/22: 形式驗(yàn)證為RISC-V內(nèi)核保駕護(hù)航
3. 5/29: ZeBu高性能Emulator 助力RISC-V高效驗(yàn)證
4. 6/5: FC QIK & AI FUSION：高效賦能RISC-V后端實(shí)現(xiàn)
講師簡(jiǎn)介：
范宇杰 | 新思科技資深應(yīng)用工程師
擁有多年SOC與CPU驗(yàn)證經(jīng)驗(yàn)，近年來專注于RISC-V生態(tài)系統(tǒng)及新思科技RISC-V及CPU相關(guān)驗(yàn)證方案的推廣與支持。
課程時(shí)間：
2026.05.15（周五），14:00-15:00
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展開 回顧麒麟980發(fā)展過程，2015年華為剛開始投入7nm工藝研究；基于長(zhǎng)期的研究與開發(fā)，2016年實(shí)現(xiàn)定制特殊基礎(chǔ)單元，構(gòu)建高可靠性IP；2017年實(shí)現(xiàn)SoC工程化驗(yàn)證；2018年實(shí)現(xiàn)SoC大規(guī)模量產(chǎn)；后在經(jīng)歷了2個(gè)大版本迭代、5000多個(gè)工程驗(yàn)證開發(fā)板后，麒麟980終于實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。所以說，如今麒麟980的面世是來之不易的。
當(dāng)然，一直以來致力于7nm工藝的也不止華為一家。早前，臺(tái)積電高層便在法說會(huì)上表示臺(tái)積電在7納米制程的布局已經(jīng)有12個(gè)產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案，第二代的7納米制程則會(huì)在2019年達(dá)成量產(chǎn)的目標(biāo)。另外，三星也表示7nm LPP工藝將會(huì)在2018年下半年投入生產(chǎn)。
雖說7nm工藝已經(jīng)成為2018年的關(guān)鍵詞，但像臺(tái)積電、三星已經(jīng)開始朝著5nm進(jìn)發(fā)。盡管7nm曾被稱為現(xiàn)有半導(dǎo)體的物理極限，但隨著技術(shù)的發(fā)展，5nm工藝開始為人所關(guān)注，也有觀點(diǎn)表示，5nm工藝將成為半導(dǎo)體行業(yè)下一個(gè)追逐熱點(diǎn)。
今年年初臺(tái)積電就建設(shè)了一座全新的5nm晶圓廠，之后臺(tái)積電再次宣布將開始5nm制程的“風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)”，時(shí)間將是明年上半年；而三星則在美國(guó)舉行的三星工藝論壇SFF 2018 USA之上，宣布將連續(xù)進(jìn)軍5nm、4nm、3nm工藝，直逼物理極限。
從國(guó)內(nèi)政策來看，半導(dǎo)體業(yè)已成為重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)，系列先進(jìn)技術(shù)的研發(fā)也在逐步推進(jìn)并取得不錯(cuò)的成就，比如此次華為麒麟980的發(fā)布。接下來，攻關(guān)5nm及以下工藝技術(shù)，爭(zhēng)取2030年集成電路達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，將成為未來幾年的重點(diǎn)目標(biāo)。
業(yè)內(nèi)人士表示，未來的“芯片”對(duì)于手機(jī)而言越來越重要，誰握有最先進(jìn)的技術(shù)，誰將成為市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的升級(jí)，智能手機(jī)市場(chǎng)也可能因此迎來新熱潮，我們拭目以待。
展開 恒潤(rùn)科技提供了新能源汽車控制的整體解決方案，可讓工程師在實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下，完成對(duì)整車控制器（HCU）、電池管理單元（BMS）、電機(jī)控制器（MCU）、功能的驗(yàn)證。可以模擬實(shí)車測(cè)試中遇到的所有工況范圍，在實(shí)車試驗(yàn)之前即可對(duì)ECU功能進(jìn)行全面測(cè)試。
本文將提供針對(duì)新能源車輛的HCU、MCU以及BMS三個(gè)控制器測(cè)試的解決方案。
技術(shù)難點(diǎn)
針對(duì)BMS的工作電壓測(cè)試、單體電池電壓、溫度測(cè)試、SOC計(jì)算功能測(cè)試、充放電控制測(cè)試、電池?zé)崞胶鉁y(cè)試、高壓安全功能測(cè)試、通訊測(cè)試、故障診斷測(cè)試等等一系列測(cè)試，OEM面臨著諸多挑戰(zhàn)。
采用真實(shí)的電池組測(cè)試BMS有著諸多的弊端：
? 極限工況模擬給測(cè)試人員帶來安全隱患，例如過壓、過流和過溫，有可能導(dǎo)致電池爆炸。
? SOC估計(jì)算法驗(yàn)證耗時(shí)長(zhǎng)，真實(shí)的電池組充放電試驗(yàn)耗時(shí)一周甚至更長(zhǎng)的時(shí)間。
? 模擬特定工況難度大，例如均衡功能測(cè)試時(shí)，制造電池單體間細(xì)微SOC差別，電池?zé)崞胶鉁y(cè)試時(shí)，制造單體和電池包間細(xì)微的溫度差別等。
? 以及其他針對(duì)BMS功能測(cè)試，如電池組工作電壓、單體電池電壓、溫度、SOC計(jì)算功能、充放電控制、電池?zé)崞胶狻⒏邏喊踩δ?、均衡功能、通訊、故障診斷、傳感器等一系列的測(cè)試，OEM都面臨著諸多挑戰(zhàn)。
MCU在研發(fā)過程中涉及被控對(duì)象的仿真。而電機(jī)本體的工作原理主要基于電磁感應(yīng)原理，其各物理量（如磁通量、感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)、電磁力等）的交互變化速度遠(yuǎn)大于機(jī)械系統(tǒng)的力與速度的變化，為了保證較高的仿真精度，要求模型的仿真步長(zhǎng)要遠(yuǎn)小于一般機(jī)械系統(tǒng)模型的仿真步長(zhǎng)。
相應(yīng)的，區(qū)別于汽車上一般的電控系統(tǒng)，MCU的特殊之處也是在于它具有較高的控制頻率和很高的輸入信號(hào)頻率。
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SOC驗(yàn)證的最新內(nèi)容
與CPU驗(yàn)證經(jīng)驗(yàn)，近年來專注于RISC-V生態(tài)系統(tǒng)及新思科技RISC-V及CPU相關(guān)驗(yàn)證方案的推廣與支持。
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范宇杰，新思科技資深應(yīng)用工程師，擁有多年SOC與CPU驗(yàn)證經(jīng)驗(yàn)，近年來專注于RISC-V生態(tài)系統(tǒng)及新思科技RISC-V及CPU相關(guān)驗(yàn)證方案的推廣與支持。
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仿真與驗(yàn)證是SoC設(shè)計(jì)流程中最復(fù)雜、最耗時(shí)的環(huán)節(jié)，約占整個(gè)芯片開發(fā)周期的50%~80%，采用先進(jìn)的設(shè)計(jì)與仿真驗(yàn)證方法已成為SoC設(shè)計(jì)成功的關(guān)鍵。
另外作為 Cadence 華東地區(qū)總代理，我們熟練掌握 Cadence 芯片設(shè)計(jì)驗(yàn)證全流程工具的使用方法與應(yīng)用，能為客戶提供專業(yè)而且快速高效的 FPGA 轉(zhuǎn) ASIC 以及 SoC 芯片設(shè)計(jì)驗(yàn)證、后端實(shí)現(xiàn)及芯片設(shè)計(jì)咨詢服務(wù)。
到目前為止，服務(wù)過的客戶有 58 所，607 所，614 所，615 所，772 所，715所，218所，華東光電研究所等。
標(biāo)定實(shí)驗(yàn)
這是對(duì)整車動(dòng)力性，經(jīng)濟(jì)性，環(huán)境適應(yīng)性，耐久性，熱平衡，SOC算法驗(yàn)證的過程。
產(chǎn)品和服務(wù)包括了Cadence EDA軟件、設(shè)計(jì)驗(yàn)證管理系統(tǒng)、高速PCB設(shè)計(jì)服務(wù)、電磁熱仿真服務(wù)、SOC/FPGA驗(yàn)證服務(wù)，集成電路教育等。
隨著SOC芯片的規(guī)模和功能的不斷急劇膨脹，SOC驗(yàn)證一般可以占到整個(gè)項(xiàng)目的60%以上，驗(yàn)證已成為了整個(gè)SOC芯片開發(fā)的瓶頸。芯片驗(yàn)證不充分，輕則重新投片，時(shí)間資本上損失慘重，重則資金耗盡，公司關(guān)張。
PathFinder：規(guī)劃、驗(yàn)證芯片Soc設(shè)計(jì)，以實(shí)現(xiàn)ESD（靜電放電）的完整性和魯棒性。通過Pathfinder分析可以快速識(shí)別出在CDM（充電器件模型）、HBM（人體模型）等事件中造成的芯片損壞問題。
PathFinder：規(guī)劃、驗(yàn)證芯片Soc設(shè)計(jì)，以實(shí)現(xiàn)ESD（靜電放電）的完整性和魯棒性。通過Pathfinder分析可以快速識(shí)別出在CDM（充電器件模型）、HBM（人體模型）等事件中造成的芯片損壞問題。
自主可控真的很難，但必須做
在手機(jī)處理器方面，從2009年，海思推出第一款面向公開市場(chǎng)的K3處理器開始，一直到2018年推出麒麟980，華為海思花了10年的時(shí)間，僅麒麟980項(xiàng)目研發(fā)耗資就超過3億美元，其在2015年立項(xiàng)，包括聯(lián)合臺(tái)積電進(jìn)行7nm工藝研究、定制特殊基礎(chǔ)單元和構(gòu)建高可靠性IP、SoC工程化驗(yàn)證，最終定型、量產(chǎn)，前后投入36多個(gè)月，1000多名半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與工藝專家，5000
