他們建議，散熱器可以成為VLSI芯片的一個組成部分，他們的演示證明微通道散熱器可以支持每平方米800W的令人印象深刻的熱通量。從那時起，這個想法在大學(xué)中一直存在，但只對數(shù)據(jù)中心的實際硅產(chǎn)生了切身影響。

?? Hughes Microelectronics 在 IEEE ISSCC 推出了第一款采用 Fowler Nordheim 浮柵 EEPROM 的 CMOS NOVRAM 256 位芯片（非易失性 SRAM）。 ?? George Perlegos 設(shè)計了Intel 2816，它于 1980 年推出，成為第一個商業(yè)上成功的 EEPROM。

IMEC 3D 系統(tǒng)集成研發(fā)副總裁 Eric Beyne也指出，在2022 年的 VLSI 論文中，實現(xiàn)了將背面處理與 2.5D金屬-絕緣體-金屬電容器 (MIMCAP) 相結(jié)合，該電容器用作去耦電容器。2.5D MIMCAP 將電容密度提高了4到5倍，進(jìn)一步改善了 IR 壓降。他們的工作表明，背面供電可以通過新的設(shè)計選項創(chuàng)建一個非常動態(tài)的設(shè)計空間，幫助解決傳統(tǒng)2D IC縮放的缺點。

正是這樣的設(shè)計為其提供了240–250 nm的溝道寬度，或相當(dāng)于當(dāng)前鰭片高度的2+鰭片晶體管。 semiwiki在一篇文章介紹，臺積電研發(fā)組的Jin Cai在去年的VLSI研討會上開展了一場名為“下一個十年的 CMOS 器件技術(shù)”的討論。

2021年，臺積公司持續(xù)提供6納米射頻技術(shù)支援5G收發(fā)器設(shè)計，也提供40納米特殊制程支援在6GHz以下設(shè)計的5G射頻前端模塊（FEM），以及提供28納米高效能精簡型強(qiáng)效版（HPC+）制程支援5G毫米波FEM設(shè)計。

如此一來，納米片可以在相同尺寸下，提供比鰭片還要高的驅(qū)動電流，而這正是持續(xù)微縮CMOS元件的關(guān)鍵優(yōu)勢。 此外，納米片架構(gòu)也提供了調(diào)整通道寬度的彈性，在設(shè)計上更自由。也就是說，設(shè)計人員可以選擇不去調(diào)高驅(qū)動電流，而是進(jìn)一步降低元件尺寸與電容：采用較窄的通道設(shè)計，通常可以降低層片之間的寄生電容。

與FinFET 相比，MBCFET 具有更好的閘極控制，在相同的面積下，也有更大的等效寬度以提供更大的驅(qū)動電流，并可依照不同的應(yīng)用來調(diào)整通道寬度，提高電路設(shè)計之彈性。

以CMOS器件變遷歷史為例。最初，CMOS器件越小性能越好，更小的尺寸意味著更快的導(dǎo)通，工作電壓也更小。在某種程度上，尺寸縮小帶來的副作用影響了器件性能，例如漏電流增加，寄生電容增加等。

以CMOS器件變遷歷史為例。最初，CMOS器件越小性能越好，更小的尺寸意味著更快的導(dǎo)通，工作電壓也更小。在某種程度上，尺寸縮小帶來的副作用影響了器件性能，例如漏電流增加，寄生電容增加等。

通過這種方式，納米片結(jié)構(gòu)的晶體管可以提供比鰭片更大的驅(qū)動電流，也是進(jìn)一步微縮CMOS的基礎(chǔ)。同時納米片結(jié)構(gòu)還允許可變的器件寬度，在設(shè)計中具備更高的靈活性。因為驅(qū)動電流有所增加，設(shè)計人員可以減少單元尺寸和電容，以降低每片之間的寄生電容。