寄生參數提取
關注創建者：匿名 創建時間：2026-01-04
寄生參數提取的視頻教程
多導體系統及功率器件寄生參數計算與電路分析應用
多導體系統及功率器件寄生參數計算與電路分析應用會議包括 1.基于SimLab PE的導體阻抗參數計算； 2.基于PSIM的功率器件電路建模與分析應用。點擊參會
免費 1小時17分鐘 7播放
查看
準靜態拉伸模擬及提取期刊論文曲線參數方法、層狀復合材料拉伸模擬
目前共分為三章： （1）對Johnson-Cook模型的應用及參數進行細致講述，同時在abaqus軟件材料定義部分具體的操作詳細講解； （2）在abaqus中建立模型的全過程，進行詳細講述； （3）后處理階段，分析準靜態和力-位移曲線。 第一次做視頻，希望大家見諒。
￥25 1小時2分鐘 799播放
查看
寄生參數提取的實例教程
最近有同學問小編CST是否可以提取3D模型的局部寄生參數。其實CST官方公眾號里面寫了好幾篇關于寄生參數提取的文章。而且CST的library里面也有相關案例。正好小編最近也在擺弄IGBT的模型。那么小編今天就來舉個栗子，分享一個利用CST的提取IGBT的局部寄生參數。
因為我們要提取的是局部寄生參數，所以這里不能用CST的高頻工作室，如果用高頻工作室的S參數去提取寄生參數，那么提取的就不是局部的寄生參數了，而是環路的寄生參數。所以這里我們需要用到CST里面低頻工作室的RLC求解器。
首先建立仿真項目的時候如圖所示
然后選擇Home-->simulation-->Partial RLC Solver
導入IGBT模型。如圖所示。注意：如果要把IGBT模型的管腳也加入到寄生參數提取里面，那么管腳的材料不能用PEC，我這邊改成銅了。
邊界條件全部設置為電壁
選擇Sources and Loads-->RLC Node
小編這邊選擇仿真這個IGBT模塊下橋的其中一個IGBT裸die和反向續流二極管的寄生參數，如何建立Node，可以去CST官網公眾號去找方法，寫的很詳細，沒必要再講一遍。如圖，這些綠色的點就是我建立的Node，分別設置了IGBT的集電極和柵極這兩路的寄生參數提取。
在求解器設置里面設置pair，代表兩個Node的進出關系，如圖
求解得到：
IGBT上走線，包括綁定線，銅層，引腳的寄生電感和電阻如圖，這里不是任意兩個Node之間的寄生電感和電阻。
寄生電容如圖，這里仿得結果是任意兩個Node之間的寄生電容。
展開 那么我們的RLC局部寄生參數的提取，這一小部分的仿真工作就完成了，如果要把整個IGBT的模型的寄生參數提取出來，那這個工作量是真的不小。沒有辦法只能一個一個來。九層之臺，起于壘土。
IGBT應用及封裝設計
· IGBT特征化建模和開關特性測試
· IGBT寄生參數提取及系統性能分析
· IGBT電磁性能分析和傳導路徑優化
· IGBT多物理場耦合特性分析
· IGBT熱模型提取及系統性能分析
· IGBT輻射干擾分析
2. 驅動/控制系統設計
3. 永磁同步電機降階模型抽取
· 永磁同步電機降階模型原理
· ECE模型提取流程（以永磁同步電機PMSM為例）
· IPM電機ECE模型抽取
· 矢量控制算法仿真（Clark、Park、SVPWM）
4. 控制代碼自動生成
· 功能原理
· 模塊構成
----SCADE Suite Advanced Modeler（高級建模器）
----SCADE Suite MTC（模型覆蓋率分析）
----SCADE Suite KCG（代碼生成器）
----SCADE Suite RM GATEWAY（需求管理工具）
· 應用方案技術指標
· 應用方案特點
5. 電驅動系統集成化設計
6. 電驅動系統EMI/EMC
· 重要性
· 技術難題
· ANSYS解決方案
· ANSYS解決方案的典型應用
----線纜選型和寄生參數提取
----線纜電磁輻射分析與布局優化
----電磁設備傳導及輻射特性分析
----PCB控制板的電磁干擾分析
----機箱機柜屏蔽效能分析
----系統電磁環境對醫療設備的干擾
----系統設備布局和電磁隔離度分析
7. 電驅動系統熱設計
二、本期資料如何獲??？
掃碼關注“上海安世亞太”微信公眾號
后臺回復“JSL”
即可獲得完整版資料冊
資料將在1-3個工作日內
發送至您的郵箱
展開 同時，基于華大九天模擬/混合信號全流程IC設計平臺的工藝數據包，包括PDK, Spice模型, 物理驗證規則集以及寄生參數提取規則文件等，已被上傳至TowerJazz的eBiz系統供雙方客戶下載。
華大九天的模擬/混合信號IC設計全流程解決方案包括電路原理圖編輯器(Empyrean Aether? SE)、電路仿真器(Empyrean ALPS?)、版圖編輯器(Empyrean Aether? LE)、物理驗證工具（Empyrean Argus?）及RC寄生參數提取工具（Empyrean RCExplorer?）。
TowerJazz提供了廣泛、可定制的工藝技術，包括高性能模擬應用(HPA)的鍺硅(SiGe) BiCMOS工藝和基于Bulk或SOI的CMOS射頻（RF CMOS）工藝；CMOS圖像傳感器（CIS）工藝；BCD和700V的電源管理工藝（Power Management），并支持有獨立專利的非揮發性存儲器（NVM）Y-Flash；CMOS工藝；混合信號工藝（Mixed Signal）以及MEMS技術能力，專注于新一代汽車電子、醫療、工業、消費電子、航空及國防領域模擬芯片制造。TowerJazz同時提供完善的設計支持平臺，結合其先進的工藝，支持快速準確的設計流程并與其EDA合作伙伴協同創建完整的設計到制造流程，以期加速芯片項目實現。
TowerJazz公司設計中心高級總監Ofer Tamir表示，“為了能夠提供更多的EDA參考流程供雙方客戶選擇，我們與華大九天共同完成了標準設計套件的驗證工作，這些工具很易用并已經被納入開放的設計生態系統?！?/span>
展開 1、微波射頻器件
微波射頻無源、有源器件設計
濾波器
連接器
放大器、雙工器、環形器
LTCC工藝器件設計
微波單片集成電路（MMIC）設計
2、場路協同
電磁場與電路協同仿真更準確評估天線與射頻系統的整體性能
陣列天線饋電網絡(波導、微帶、帶狀線、同軸)
功分器設計與優化
T/R組件(饋電網路、移相器、功率放大器、雙工器、開關、衰減器、波束控制)
天線與射頻電路系統級協同仿真
3、射頻微系統
芯片-封裝-系統的全面微系統級仿真，充分評估復雜工況和極小尺寸下的產品性能
系統鏈路指標分析
射頻模塊電路級設計
三維版圖寄生參數提取
熱設計
4、微放電
航天級微波部件微放電效應仿真
微波器件微放電效應（二次電子倍增效應）
航天級濾波器、連接器、環形器等
二次電子發射系數SEY定義
微放電功率閾值預測
微放電粒子運動
5、微波射頻器件多物理場仿真
Ansys 電子桌面AEDT電-熱-結構多物理場仿真平臺
AEDT平臺上的電-熱-結構雙向耦合
濾波器溫度漂移補償設計
面向電子工程師更直接、便捷的多物理場仿真
6、芯片級電磁干擾
先進SoC設計中電磁串擾解決方案
芯片級電感、變壓器和傳輸線建模與設計
無限容量LVS前電磁寄生參數RLCk提取
LVS后寄生參數RLCk提取，計算電、磁和基板耦合模型，分析設計層級中不同塊體之間的電磁串擾
相關工具/解決方案：
微波射頻電路與系統全方位的設計和優化解決方案
三維電磁場仿真黃金求解器HFSS
電路與系統仿真器Circuit Solver
集成多物理場仿真的電子桌面AEDT (HFSS-Icepak-Mechanical)
芯片級電磁干擾解決方案
展開 
寄生參數提取的相關專題、標簽、搜索
寄生參數提取的最新內容
onsemi和Ansys合作，于業內率先建立了完整且自動化的功率模塊仿真平臺，其中包括：
通過Ansys SpaceClaim 3D計算機輔助設計（CAD）建模軟件生成3D實體模型
使用Ansys Icepak電子散熱仿真軟件進行熱阻抗仿真
由Ansys Q3D Extractor寄生參數提取電磁仿真軟件提供支持的寄生RLC（電阻、電感和電容）參數提取
生成降階SPICE
optiSLang參數敏感性分析與優化
電機驅動系統分析
電機ECE模型抽取
IPM電機MTPA控制
不同控制方法仿真結果比較
嵌入控制代碼仿真
旋轉變壓器及其控制器仿真
電驅動系統仿真分析流程
開關器件物理原型建模
開關模塊建模
母排寄生參數提取
編制參數表是參數化設置必不可少的一環，提取零部件參數又是生成參數表所必須的步驟，然而很多時候，模型的量級很大，需要變化的零部件只有三分之一，那如果全部提取出來，將耗費大量的時間，因此部分提取的設置就顯得尤其重要。
在軟件的設置中，會定義<Type>屬性名，比如屬性名定義為零件類型，那我們就可以通過零件類型來過濾掉不需要提取參數的零部件。
在【模型選項】中，可以設定符合<Type>屬性值的模型
其實CST官方里面寫了好幾篇關于寄生參數提取的文章。而且CST的library里面也有相關案例。正好小編最近也在擺弄IGBT的模型。那么小編今天就來舉個栗子，分享一個利用CST的提取IGBT的局部寄生參數。
因為我們要提取的是局部寄生參數，所以這里不能用CST的高頻工作室，如果用高頻工作室的S參數去提取寄生參數，那么提取的就不是局部的寄生參數了，而是環路的寄生參數。
? 半導體器件電氣仿真
? Simplorer自帶精確IGBT模型
? IGBT特征化建模
? 半導體器件電氣仿真
? IGBT發熱仿真
? EMC傳導干擾仿真
? 線纜母排寄生參數提取
其實CST官方公眾號里面寫了好幾篇關于寄生參數提取的文章。而且CST的library里面也有相關案例。正好小編最近也在擺弄IGBT的模型。那么小編今天就來舉個栗子，分享一個利用CST的提取IGBT的局部寄生參數。
因為我們要提取的是局部寄生參數，所以這里不能用CST的高頻工作室，如果用高頻工作室的S參數去提取寄生參數，那么提取的就不是局部的寄生參數了，而是環路的寄生參數。
圖4、針對產業鏈上下游的AWR應用范圍
總結：AWR優勢
◆.具有特定于流程的模型和布局PCell的強大設計輸入；
◆.準確、快速且穩健的HB模擬；
◆.用于III-V半導體代工廠的PDK；
◆.用于互連建模的自動電路提取(ACE)技術；
◆.Cadence AWR AXIEM? EM模擬器，用于設計驗證和寄生參數提取；
◆.Cadence AWR Analyst
Ansys Q3D Extractor, 2D Extractor-面向電子設備的寄生參數提取軟件
Ansys SIwave (Ansys ALinks for EDA)-面向 PCB、BGA 封裝的 SI、PI 和 EMI 分析軟件
A
nsys SIwave
是面向印刷線路板和 BGA 封裝的信號和電源完整性以及 EMI 分析軟件。
PCB板級和組件級電磁建模
精確模擬整個PCB板和封裝，解決EMI問題
-S參數和寄生參數提取
-檢查PCB的EMI設計規則
-濾波元件的電路分析
天線設計
天線饋電結構設計
對包含功分器、環形器、隔離器、濾波器等器件在內的饋電結構進行整體仿真設計
仿真屏蔽腔對饋電結構的影響
IGBT應用及封裝設計
· IGBT特征化建模和開關特性測試
· IGBT寄生參數提取及系統性能分析
· IGBT電磁性能分析和傳導路徑優化
· IGBT多物理場耦合特性分析
· IGBT熱模型提取及系統性能分析
· IGBT輻射干擾分析
2. 驅動/控制系統設計
3.
