寄生參數(shù)提取的案例
[仿真分享]利用CST的RLC求解器提取IGBT的局部寄生參數(shù)
最近有同學(xué)問小編CST是否可以提取3D模型的局部寄生參數(shù)。其實(shí)CST官方公眾號(hào)里面寫了好幾篇關(guān)于寄生參數(shù)提取的文章。而且CST的library里面也有相關(guān)案例。正好小編最近也在擺弄IGBT的模型。那么小編今天就來舉個(gè)栗子，分享一個(gè)利用CST的提取IGBT的局部寄生參數(shù)。
因?yàn)槲覀円?em>提取的是局部寄生參數(shù)，所以這里不能用CST的高頻工作室，如果用高頻工作室的S參數(shù)去提取寄生參數(shù)，那么提取的就不是局部的寄生參數(shù)了，而是環(huán)路的寄生參數(shù)。所以這里我們需要用到CST里面低頻工作室的RLC求解器。
首先建立仿真項(xiàng)目的時(shí)候如圖所示
然后選擇Home-->simulation-->Partial RLC Solver
導(dǎo)入IGBT模型。如圖所示。注意：如果要把IGBT模型的管腳也加入到寄生參數(shù)提取里面，那么管腳的材料不能用PEC，我這邊改成銅了。
邊界條件全部設(shè)置為電壁
選擇Sources and Loads-->RLC Node
小編這邊選擇仿真這個(gè)IGBT模塊下橋的其中一個(gè)IGBT裸die和反向續(xù)流二極管的寄生參數(shù)，如何建立Node，可以去CST官網(wǎng)公眾號(hào)去找方法，寫的很詳細(xì)，沒必要再講一遍。如圖，這些綠色的點(diǎn)就是我建立的Node，分別設(shè)置了IGBT的集電極和柵極這兩路的寄生參數(shù)提取。
在求解器設(shè)置里面設(shè)置pair，代表兩個(gè)Node的進(jìn)出關(guān)系，如圖
求解得到：
IGBT上走線，包括綁定線，銅層，引腳的寄生電感和電阻如圖，這里不是任意兩個(gè)Node之間的寄生電感和電阻。
寄生電容如圖，這里仿得結(jié)果是任意兩個(gè)Node之間的寄生電容。
展開 [仿真分享]利用CST的RLC求解器提取IGBT的局部寄生參數(shù)
那么我們的RLC局部寄生參數(shù)的提取，這一小部分的仿真工作就完成了，如果要把整個(gè)IGBT的模型的寄生參數(shù)提取出來，那這個(gè)工作量是真的不小。沒有辦法只能一個(gè)一個(gè)來。九層之臺(tái)，起于壘土。
精確建模，無縫集成 | 《ANSYS電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)仿真解決方案》現(xiàn)已開放領(lǐng)取
IGBT應(yīng)用及封裝設(shè)計(jì)
· IGBT特征化建模和開關(guān)特性測(cè)試
· IGBT寄生參數(shù)提取及系統(tǒng)性能分析
· IGBT電磁性能分析和傳導(dǎo)路徑優(yōu)化
· IGBT多物理場(chǎng)耦合特性分析
· IGBT熱模型提取及系統(tǒng)性能分析
· IGBT輻射干擾分析
2. 驅(qū)動(dòng)/控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)
3. 永磁同步電機(jī)降階模型抽取
· 永磁同步電機(jī)降階模型原理
· ECE模型提取流程（以永磁同步電機(jī)PMSM為例）
· IPM電機(jī)ECE模型抽取
· 矢量控制算法仿真（Clark、Park、SVPWM）
4. 控制代碼自動(dòng)生成
· 功能原理
· 模塊構(gòu)成
----SCADE Suite Advanced Modeler（高級(jí)建模器）
----SCADE Suite MTC（模型覆蓋率分析）
----SCADE Suite KCG（代碼生成器）
----SCADE Suite RM GATEWAY（需求管理工具）
· 應(yīng)用方案技術(shù)指標(biāo)
· 應(yīng)用方案特點(diǎn)
5. 電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)集成化設(shè)計(jì)
6. 電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)EMI/EMC
· 重要性
· 技術(shù)難題
· ANSYS解決方案
· ANSYS解決方案的典型應(yīng)用
----線纜選型和寄生參數(shù)提取
----線纜電磁輻射分析與布局優(yōu)化
----電磁設(shè)備傳導(dǎo)及輻射特性分析
----PCB控制板的電磁干擾分析
----機(jī)箱機(jī)柜屏蔽效能分析
----系統(tǒng)電磁環(huán)境對(duì)醫(yī)療設(shè)備的干擾
----系統(tǒng)設(shè)備布局和電磁隔離度分析
7. 電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)熱設(shè)計(jì)
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展開 華大九天方案正式進(jìn)入TowerJazz設(shè)計(jì)參考流程
同時(shí)，基于華大九天模擬/混合信號(hào)全流程IC設(shè)計(jì)平臺(tái)的工藝數(shù)據(jù)包，包括PDK, Spice模型, 物理驗(yàn)證規(guī)則集以及寄生參數(shù)提取規(guī)則文件等，已被上傳至TowerJazz的eBiz系統(tǒng)供雙方客戶下載。
華大九天的模擬/混合信號(hào)IC設(shè)計(jì)全流程解決方案包括電路原理圖編輯器(Empyrean Aether? SE)、電路仿真器(Empyrean ALPS?)、版圖編輯器(Empyrean Aether? LE)、物理驗(yàn)證工具（Empyrean Argus?）及RC寄生參數(shù)提取工具（Empyrean RCExplorer?）。
TowerJazz提供了廣泛、可定制的工藝技術(shù)，包括高性能模擬應(yīng)用(HPA)的鍺硅(SiGe) BiCMOS工藝和基于Bulk或SOI的CMOS射頻（RF CMOS）工藝；CMOS圖像傳感器（CIS）工藝；BCD和700V的電源管理工藝（Power Management），并支持有獨(dú)立專利的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器（NVM）Y-Flash；CMOS工藝；混合信號(hào)工藝（Mixed Signal）以及MEMS技術(shù)能力，專注于新一代汽車電子、醫(yī)療、工業(yè)、消費(fèi)電子、航空及國(guó)防領(lǐng)域模擬芯片制造。TowerJazz同時(shí)提供完善的設(shè)計(jì)支持平臺(tái)，結(jié)合其先進(jìn)的工藝，支持快速準(zhǔn)確的設(shè)計(jì)流程并與其EDA合作伙伴協(xié)同創(chuàng)建完整的設(shè)計(jì)到制造流程，以期加速芯片項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)。
TowerJazz公司設(shè)計(jì)中心高級(jí)總監(jiān)Ofer Tamir表示，“為了能夠提供更多的EDA參考流程供雙方客戶選擇，我們與華大九天共同完成了標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)套件的驗(yàn)證工作，這些工具很易用并已經(jīng)被納入開放的設(shè)計(jì)生態(tài)系統(tǒng)?！?/span>
展開 
微波射頻電路、IC及微系統(tǒng)設(shè)計(jì)領(lǐng)域有哪些前沿技術(shù)挑戰(zhàn)？
1、微波射頻器件
微波射頻無源、有源器件設(shè)計(jì)
濾波器
連接器
放大器、雙工器、環(huán)形器
LTCC工藝器件設(shè)計(jì)
微波單片集成電路（MMIC）設(shè)計(jì)
2、場(chǎng)路協(xié)同
電磁場(chǎng)與電路協(xié)同仿真更準(zhǔn)確評(píng)估天線與射頻系統(tǒng)的整體性能
陣列天線饋電網(wǎng)絡(luò)(波導(dǎo)、微帶、帶狀線、同軸)
功分器設(shè)計(jì)與優(yōu)化
T/R組件(饋電網(wǎng)路、移相器、功率放大器、雙工器、開關(guān)、衰減器、波束控制)
天線與射頻電路系統(tǒng)級(jí)協(xié)同仿真
3、射頻微系統(tǒng)
芯片-封裝-系統(tǒng)的全面微系統(tǒng)級(jí)仿真，充分評(píng)估復(fù)雜工況和極小尺寸下的產(chǎn)品性能
系統(tǒng)鏈路指標(biāo)分析
射頻模塊電路級(jí)設(shè)計(jì)
三維版圖寄生參數(shù)提取
熱設(shè)計(jì)
4、微放電
航天級(jí)微波部件微放電效應(yīng)仿真
微波器件微放電效應(yīng)（二次電子倍增效應(yīng)）
航天級(jí)濾波器、連接器、環(huán)形器等
二次電子發(fā)射系數(shù)SEY定義
微放電功率閾值預(yù)測(cè)
微放電粒子運(yùn)動(dòng)
5、微波射頻器件多物理場(chǎng)仿真
Ansys 電子桌面AEDT電-熱-結(jié)構(gòu)多物理場(chǎng)仿真平臺(tái)
AEDT平臺(tái)上的電-熱-結(jié)構(gòu)雙向耦合
濾波器溫度漂移補(bǔ)償設(shè)計(jì)
面向電子工程師更直接、便捷的多物理場(chǎng)仿真
6、芯片級(jí)電磁干擾
先進(jìn)SoC設(shè)計(jì)中電磁串?dāng)_解決方案
芯片級(jí)電感、變壓器和傳輸線建模與設(shè)計(jì)
無限容量LVS前電磁寄生參數(shù)RLCk提取
LVS后寄生參數(shù)RLCk提取，計(jì)算電、磁和基板耦合模型，分析設(shè)計(jì)層級(jí)中不同塊體之間的電磁串?dāng)_
相關(guān)工具/解決方案：
微波射頻電路與系統(tǒng)全方位的設(shè)計(jì)和優(yōu)化解決方案
三維電磁場(chǎng)仿真黃金求解器HFSS
電路與系統(tǒng)仿真器Circuit Solver
集成多物理場(chǎng)仿真的電子桌面AEDT (HFSS-Icepak-Mechanical)
芯片級(jí)電磁干擾解決方案
展開 行業(yè)應(yīng)用方案 | 功率電子與電源系統(tǒng)
功率電子與電源系統(tǒng)開環(huán)分析
功率電子與電源系統(tǒng)閉環(huán)分析
電源負(fù)載能力分析
四、電磁兼容分析
利用Ansys仿真工具，可以提取功率電子與電源系統(tǒng)中隱藏的寄生參數(shù)，如RLGC等，結(jié)合電路系統(tǒng)分析，評(píng)估引起電磁干擾問題的潛藏電路，并對(duì)其進(jìn)行濾波、屏蔽等優(yōu)化設(shè)計(jì)，協(xié)助用戶解決系統(tǒng)的電磁兼容問題。
電路板寄生參數(shù)提取
線纜寄生參數(shù)提取
寄生參數(shù)與電路系統(tǒng)聯(lián)合仿真分析
五、多物理域分析
對(duì)于功率電子與電源系統(tǒng)，除了電磁方面的性能需要滿足要求外、其結(jié)構(gòu)和散熱影響產(chǎn)品的穩(wěn)定性和使用壽命，也是非常重要的性能指標(biāo)。Ansys可以采用電磁場(chǎng)-結(jié)構(gòu)的耦合仿真、電磁場(chǎng)-流體的耦合仿真來評(píng)估和優(yōu)化功率電子與電源系統(tǒng)的多物理域性能。
展開 干貨 | 一顆芯片的從無到有
寄生參數(shù)提取
由于導(dǎo)線本身存在的電阻，相鄰導(dǎo)線之間的互感,耦合電容在芯片內(nèi)部會(huì)產(chǎn)生信號(hào)噪聲，串?dāng)_和反射。這些效應(yīng)會(huì)產(chǎn)生信號(hào)完整性問題，導(dǎo)致信號(hào)電壓波動(dòng)和變化，如果嚴(yán)重就會(huì)導(dǎo)致信號(hào)失真錯(cuò)誤。提取寄生參數(shù)進(jìn)行再次的分析驗(yàn)證，分析信號(hào)完整性問題是非常重要的。
工具Synopsys的Star-RCXT
6.版圖物理驗(yàn)證
這一環(huán)節(jié)是對(duì)完成布線的物理版圖進(jìn)行功能和時(shí)序上的驗(yàn)證，大概包含以下方面：
LVS（Layout Vs Schematic）驗(yàn)證：簡(jiǎn)單說，就是版圖與邏輯綜合后的門級(jí)電路圖的對(duì)比驗(yàn)證；
DRC（Design Rule Checking）：設(shè)計(jì)規(guī)則檢查，檢查連線間距，連線寬度等是否滿足工藝要求；
ERC（Electrical Rule Checking）：電氣規(guī)則檢查，檢查短路和開路等電氣規(guī)則違例；
實(shí)際的后端流程還包括電路功耗分析，以及隨著制造工藝不斷進(jìn)步產(chǎn)生的DFM（可制造性設(shè)計(jì)）問題等。
物理版圖以GDSII的文件格式交給芯片代工廠（稱為Foundry）在晶圓硅片上做出實(shí)際的電路。
GDSII效果版圖
最后進(jìn)行封裝和測(cè)試，就得到了我們實(shí)際看見的芯片。
芯片設(shè)計(jì)的流程是紛繁復(fù)雜的，從設(shè)計(jì)到流片耗時(shí)長(zhǎng)（一年甚至更久），流片成本高，一旦發(fā)現(xiàn)問題還要迭代之前的某些過程。
作者：溫戈
鏈接：https://www.zhihu.com/question/28322269/answer/1498321730
來源：知乎
展開 一顆芯片的從無到有
寄生參數(shù)提取
由于導(dǎo)線本身存在的電阻，相鄰導(dǎo)線之間的互感,耦合電容在芯片內(nèi)部會(huì)產(chǎn)生信號(hào)噪聲，串?dāng)_和反射。這些效應(yīng)會(huì)產(chǎn)生信號(hào)完整性問題，導(dǎo)致信號(hào)電壓波動(dòng)和變化，如果嚴(yán)重就會(huì)導(dǎo)致信號(hào)失真錯(cuò)誤。提取寄生參數(shù)進(jìn)行再次的分析驗(yàn)證，分析信號(hào)完整性問題是非常重要的。
工具Synopsys的Star-RCXT
6.版圖物理驗(yàn)證
這一環(huán)節(jié)是對(duì)完成布線的物理版圖進(jìn)行功能和時(shí)序上的驗(yàn)證，大概包含以下方面：
LVS（Layout Vs Schematic）驗(yàn)證：簡(jiǎn)單說，就是版圖與邏輯綜合后的門級(jí)電路圖的對(duì)比驗(yàn)證；
DRC（Design Rule Checking）：設(shè)計(jì)規(guī)則檢查，檢查連線間距，連線寬度等是否滿足工藝要求；
ERC（Electrical Rule Checking）：電氣規(guī)則檢查，檢查短路和開路等電氣規(guī)則違例；
實(shí)際的后端流程還包括電路功耗分析，以及隨著制造工藝不斷進(jìn)步產(chǎn)生的DFM（可制造性設(shè)計(jì)）問題等。
物理版圖以GDSII的文件格式交給芯片代工廠（稱為Foundry）在晶圓硅片上做出實(shí)際的電路。
GDSII效果版圖
最后進(jìn)行封裝和測(cè)試，就得到了我們實(shí)際看見的芯片。
芯片設(shè)計(jì)的流程是紛繁復(fù)雜的，從設(shè)計(jì)到流片耗時(shí)長(zhǎng)（一年甚至更久），流片成本高，一旦發(fā)現(xiàn)問題還要迭代之前的某些過程。
作者：溫戈
鏈接：https://www.zhihu.com/question/28322269/answer/1498321730
來源：知乎
展開 干貨 | 一顆芯片的從無到有
寄生參數(shù)提取
由于導(dǎo)線本身存在的電阻，相鄰導(dǎo)線之間的互感,耦合電容在芯片內(nèi)部會(huì)產(chǎn)生信號(hào)噪聲，串?dāng)_和反射。這些效應(yīng)會(huì)產(chǎn)生信號(hào)完整性問題，導(dǎo)致信號(hào)電壓波動(dòng)和變化，如果嚴(yán)重就會(huì)導(dǎo)致信號(hào)失真錯(cuò)誤。提取寄生參數(shù)進(jìn)行再次的分析驗(yàn)證，分析信號(hào)完整性問題是非常重要的。
工具Synopsys的Star-RCXT
6.版圖物理驗(yàn)證
這一環(huán)節(jié)是對(duì)完成布線的物理版圖進(jìn)行功能和時(shí)序上的驗(yàn)證，大概包含以下方面：
LVS（Layout Vs Schematic）驗(yàn)證：簡(jiǎn)單說，就是版圖與邏輯綜合后的門級(jí)電路圖的對(duì)比驗(yàn)證；
DRC（Design Rule Checking）：設(shè)計(jì)規(guī)則檢查，檢查連線間距，連線寬度等是否滿足工藝要求；
ERC（Electrical Rule Checking）：電氣規(guī)則檢查，檢查短路和開路等電氣規(guī)則違例；
實(shí)際的后端流程還包括電路功耗分析，以及隨著制造工藝不斷進(jìn)步產(chǎn)生的DFM（可制造性設(shè)計(jì)）問題等。
物理版圖以GDSII的文件格式交給芯片代工廠（稱為Foundry）在晶圓硅片上做出實(shí)際的電路。
GDSII效果版圖
最后進(jìn)行封裝和測(cè)試，就得到了我們實(shí)際看見的芯片。
芯片設(shè)計(jì)的流程是紛繁復(fù)雜的，從設(shè)計(jì)到流片耗時(shí)長(zhǎng)（一年甚至更久），流片成本高，一旦發(fā)現(xiàn)問題還要迭代之前的某些過程。
作者：溫戈
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來源：知乎
展開 整車電器安全性關(guān)鍵技術(shù)研究
圖7 RKE天線最佳位置仿真
圖8 TPMS天線最佳位置仿真
2.2 基于寄生參數(shù)提取的電磁兼容建模技術(shù)
現(xiàn)有的整車電磁干擾問題往往很難在整車量產(chǎn)前被識(shí)別，成為影響整車電器安全的潛在風(fēng)險(xiǎn)源，行業(yè)內(nèi)的電磁兼容仿真精度不高，與實(shí)車狀況差異較大。同時(shí)如點(diǎn)火系統(tǒng)這類強(qiáng)電磁干擾源，其在工作過程中所形成的高強(qiáng)度和寬頻帶的電磁騷擾以傳導(dǎo)和輻射耦合的方式嚴(yán)重影響著車內(nèi)電器設(shè)備的正常工作。
為解決這一難題，提出了—種基干寄生參數(shù)建模的整車系統(tǒng)級(jí)電磁兼容仿真分析技術(shù)，對(duì)點(diǎn)火系統(tǒng)等強(qiáng)干擾源進(jìn)行有效抑制。該技術(shù)通過提取點(diǎn)火系統(tǒng)各組件的寄生參數(shù)，建立組件的等效電路模型，用等效阻抗的測(cè)試和仿真結(jié)果，驗(yàn)證組件模型的正確性。
最后，集成各組件電路模型獲得影響點(diǎn)火系統(tǒng)EMI特性的多參數(shù)仿真模型（圖9），為點(diǎn)火系統(tǒng)的EMI抑制措施的確定提供了指導(dǎo)。
圖9 點(diǎn)火組件的寄生參數(shù)提取及等效電路模型驗(yàn)證
基于多參數(shù)優(yōu)化，有效降低了點(diǎn)火系統(tǒng)電磁干擾抑制技術(shù)應(yīng)用于整車后，有效降低常規(guī)燃油汽車及混合動(dòng)力汽車工作過程中形成的電磁干擾（圖10）。整車的GB14023電磁兼容法規(guī)的一次性通過率從0提升到100%。
圖10 點(diǎn)火系統(tǒng)EMI抑制效果
3. 整車電器架構(gòu)到制造風(fēng)險(xiǎn)控制的連接系統(tǒng)化設(shè)計(jì)方法和驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)
連接系統(tǒng)故障頻發(fā)，以往簡(jiǎn)單地歸結(jié)于供應(yīng)商的制造水平差，掩蓋了線束設(shè)計(jì)方面的缺陷，導(dǎo)致連接系統(tǒng)可靠性提升乏力。
展開 一個(gè)芯片產(chǎn)品從構(gòu)想到完成電路設(shè)計(jì)是怎樣的過程？
因此要做到以上三個(gè)參數(shù)的最佳平衡。
布局完成效果圖：
布線
布線是指在滿足工藝規(guī)則和布線層數(shù)限制、線寬、線間距限制和各線網(wǎng)可靠絕緣的電性能約束條件下，根據(jù)電路的連接關(guān)系，將各單元和I/O pad用互連線連接起來。
4. 時(shí)鐘樹綜合——CTS
Clock Tree Synthesis，時(shí)鐘樹綜合，簡(jiǎn)單點(diǎn)說就是時(shí)鐘的布線。
由于時(shí)鐘信號(hào)在數(shù)字芯片的全局指揮作用，它的分布應(yīng)該是對(duì)稱式的連到各個(gè)寄存器單元，從而使時(shí)鐘從同一個(gè)時(shí)鐘源到達(dá)各個(gè)寄存器時(shí)，時(shí)鐘延遲差異最小。這也是為什么時(shí)鐘信號(hào)需要單獨(dú)布線的原因。
5. 寄生參數(shù)提取
由于導(dǎo)線本身存在的電阻，相鄰導(dǎo)線之間的互感,耦合電容在芯片內(nèi)部會(huì)產(chǎn)生信號(hào)噪聲，串?dāng)_和反射。這些效應(yīng)會(huì)產(chǎn)生信號(hào)完整性問題，導(dǎo)致信號(hào)電壓波動(dòng)和變化，如果嚴(yán)重就會(huì)導(dǎo)致信號(hào)失真錯(cuò)誤。提取寄生參數(shù)進(jìn)行再次的分析驗(yàn)證，分析信號(hào)完整性問題是非常重要的。
工具Synopsys的Star-RCXT
6.版圖物理驗(yàn)證
這一環(huán)節(jié)是對(duì)完成布線的物理版圖進(jìn)行功能和時(shí)序上的驗(yàn)證，大概包含以下方面：
LVS（Layout Vs Schematic）驗(yàn)證：簡(jiǎn)單說，就是版圖與邏輯綜合后的門級(jí)電路圖的對(duì)比驗(yàn)證；
DRC（Design Rule Checking）：設(shè)計(jì)規(guī)則檢查，檢查連線間距，連線寬度等是否滿足工藝要求；
ERC（Electrical Rule Checking）：電氣規(guī)則檢查，檢查短路和開路等電氣規(guī)則違例；
實(shí)際的后端流程還包括電路功耗分析，以及隨著制造工藝不斷進(jìn)步產(chǎn)生的DFM（可制造性設(shè)計(jì)）問題等。
展開 
一個(gè)芯片產(chǎn)品從構(gòu)想到完成電路設(shè)計(jì)是怎樣的過程？
因此要做到以上三個(gè)參數(shù)的最佳平衡。
布局完成效果圖：
布線
布線是指在滿足工藝規(guī)則和布線層數(shù)限制、線寬、線間距限制和各線網(wǎng)可靠絕緣的電性能約束條件下，根據(jù)電路的連接關(guān)系，將各單元和I/O pad用互連線連接起來。
4. 時(shí)鐘樹綜合——CTS
Clock Tree Synthesis，時(shí)鐘樹綜合，簡(jiǎn)單點(diǎn)說就是時(shí)鐘的布線。
由于時(shí)鐘信號(hào)在數(shù)字芯片的全局指揮作用，它的分布應(yīng)該是對(duì)稱式的連到各個(gè)寄存器單元，從而使時(shí)鐘從同一個(gè)時(shí)鐘源到達(dá)各個(gè)寄存器時(shí)，時(shí)鐘延遲差異最小。這也是為什么時(shí)鐘信號(hào)需要單獨(dú)布線的原因。
5. 寄生參數(shù)提取
由于導(dǎo)線本身存在的電阻，相鄰導(dǎo)線之間的互感,耦合電容在芯片內(nèi)部會(huì)產(chǎn)生信號(hào)噪聲，串?dāng)_和反射。這些效應(yīng)會(huì)產(chǎn)生信號(hào)完整性問題，導(dǎo)致信號(hào)電壓波動(dòng)和變化，如果嚴(yán)重就會(huì)導(dǎo)致信號(hào)失真錯(cuò)誤。提取寄生參數(shù)進(jìn)行再次的分析驗(yàn)證，分析信號(hào)完整性問題是非常重要的。
工具Synopsys的Star-RCXT
6.版圖物理驗(yàn)證
這一環(huán)節(jié)是對(duì)完成布線的物理版圖進(jìn)行功能和時(shí)序上的驗(yàn)證，大概包含以下方面：
LVS（Layout Vs Schematic）驗(yàn)證：簡(jiǎn)單說，就是版圖與邏輯綜合后的門級(jí)電路圖的對(duì)比驗(yàn)證；
DRC（Design Rule Checking）：設(shè)計(jì)規(guī)則檢查，檢查連線間距，連線寬度等是否滿足工藝要求；
ERC（Electrical Rule Checking）：電氣規(guī)則檢查，檢查短路和開路等電氣規(guī)則違例；
實(shí)際的后端流程還包括電路功耗分析，以及隨著制造工藝不斷進(jìn)步產(chǎn)生的DFM（可制造性設(shè)計(jì)）問題等。
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還可以結(jié)合Ansoft的全波三維電磁場(chǎng)工具 HFSS?、準(zhǔn)靜態(tài)法寄生參數(shù)提取工具Q3D，從而組成最完善的RF/AMS電路設(shè)計(jì)解決方案。
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行業(yè)應(yīng)用方案 | 微波射頻電路、IC及微系統(tǒng)
微放電功率閾值預(yù)測(cè)
微放電粒子運(yùn)動(dòng)
5、微波射頻器件多物理場(chǎng)仿真
Ansys 電子桌面AEDT電-熱-結(jié)構(gòu)多物理場(chǎng)仿真平臺(tái)
AEDT平臺(tái)上的電-熱-結(jié)構(gòu)雙向耦合
濾波器溫度漂移補(bǔ)償設(shè)計(jì)
面向電子工程師更直接、便捷的多物理場(chǎng)仿真
6、芯片級(jí)電磁干擾
先進(jìn)SoC設(shè)計(jì)中電磁串?dāng)_解決方案
芯片級(jí)電感、變壓器和傳輸線建模與設(shè)計(jì)
無限容量LVS前電磁寄生參數(shù)RLCk提取
LVS后寄生參數(shù)RLCk提取，計(jì)算電、磁和基板耦合模型，分析設(shè)計(jì)層級(jí)中不同塊體之間的電磁串?dāng)_
微波射頻電路與系統(tǒng)全方位的設(shè)計(jì)和優(yōu)化解決方案
#三維電磁場(chǎng)仿真黃金求解器HFSS
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對(duì)于在高速電路設(shè)計(jì)中要求極度準(zhǔn)確的RLC值可用分布參數(shù)表示。RLC輸出可用矩陣格式或SPICE子電路格式。
TPA從設(shè)計(jì)者的封裝設(shè)計(jì)工具中直接讀入布板數(shù)據(jù)并自動(dòng)產(chǎn)生RLC寄生參數(shù)和SPICE模型，這些布板有CadenceAPD、Avant!Encore、Zuken CR-5000等。TPA具有在封裝中自動(dòng)產(chǎn)生每條線及相關(guān)耦合線的RLC模型。一旦用戶確定導(dǎo)線及周圍導(dǎo)線的數(shù)目，由軟件自動(dòng)算出該線參數(shù)和互耦參數(shù)。
TPA的寄生參數(shù)提取器是采用邊界元和快速矩陣壓縮算法，比起其它參數(shù)提出方法，可快速、準(zhǔn)確地提取整板的等效電路模型。用戶可以按自己的要求選擇輸出SPICE模型格式，如：Maxwell Spice、HSPICE、PSPICE等。
TPA 也可以讓用戶選擇部分單元等效電路（PEEC）方法來產(chǎn)生分布參數(shù)的三維模型。PEEC方法主要用在導(dǎo)體長(zhǎng)度與波長(zhǎng)相比擬及電流稠密和趨膚深度很大的情況。TPA能分析任意形狀的電源及地結(jié)構(gòu)，包括整塊和網(wǎng)格平面。設(shè)計(jì)時(shí)，可改變VDD/VSS數(shù)，所形成的模型可用于同步開關(guān)輸出噪聲（SSO）分析。
TPA設(shè)計(jì)流程
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