本文摘自微信公眾號：CST電磁兼容性仿真

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最近有同學問小編CST是否可以提取3D模型的局部寄生參數。其實CST官方里面寫了好幾篇關于寄生參數提取的文章。而且CST的library里面也有相關案例。正好小編最近也在擺弄IGBT的模型。那么小編今天就來舉個栗子，分享一個利用CST的提取IGBT的局部寄生參數。

因為我們要提取的是局部寄生參數，所以這里不能用CST的高頻工作室，如果用高頻工作室的S參數去提取寄生參數，那么提取的就不是局部的寄生參數了，而是環路的寄生參數。所以這里我們需要用到CST里面低頻工作室的RLC求解器。

首先建立仿真項目的時候如圖所示

然后選擇Home-->simulation-->Partial RLC Solver

導入IGBT模型。如圖所示。注意：如果要把IGBT模型的管腳也加入到寄生參數提取里面，那么管腳的材料不能用PEC，我這邊改成銅了。

邊界條件全部設置為電壁

選擇Sources and Loads-->RLC Node

小編這邊選擇仿真這個IGBT模塊下橋的其中一個IGBT裸die和反向續流二極管的寄生參數，如何建立Node，可以去CST官網去找方法，寫的很詳細，沒必要再講一遍。如圖，這些綠色的點就是我建立的Node，分別設置了IGBT的集電極和柵極這兩路的寄生參數提取。

在求解器設置里面設置pair，代表兩個Node的進出關系，如圖

求解得到：

IGBT上走線，包括綁定線，銅層，引腳的寄生電感和電阻如圖，這里不是任意兩個Node之間的寄生電感和電阻。

寄生電容如圖，這里仿得結果是任意兩個Node之間的寄生電容。

那么我們的RLC局部寄生參數的提取，這一小部分的仿真工作就完成了，如果要把整個IGBT的模型的寄生參數提取出來，那這個工作量是真的不小。沒有辦法只能一個一個來。九層之臺，起于壘土。