國產功率半導體
關注創建者：匿名 創建時間：2021-11-18
國產功率半導體的視頻教程
半導體器件的功率循環及熱可靠性測試
本視頻介紹了半導體器件的功率循環及熱可靠性測試流程。 第一步：將待測器件與POWERTESTER連接，輸入相關參數，校準K系數（溫度敏感因子） 第二步：通過測試平臺內置的觸摸屏電腦，設置待測器件的循環策略，啟動設備，進行全自動熱瞬態及功率循環測試 第三步：數據分析（支持數據導出，進行結構函數分析、生成熱模型等）
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國產功率半導體的實例教程
隨著計算機、網絡通信、智能家居、汽車電子等行業的技術發展和市場增長，我國功率半導體技術水平也將不斷提升，為國內功率半導體相關企業贏得更多的發展機遇。
無疑功率半導體行業有巨大的發展機遇，可是目前全球功率半導體市場，仍然是被外國巨頭所把持。功率半導體廠商以歐美日為主，中國廠商起步較晚，技術積累與歐美日廠商差距較大。
以英飛凌、安森美等企業為代表的龍頭廠商均為IDM模式，擁有完整的晶圓廠、芯片制造廠和封裝廠，對成本和質量控制能力很強。它們的產品定位高端，競爭力強。中國大陸的廠商IDM和Fabless模式兼有，產品以晶閘管、二極管等分立器件和低壓MOSFET為主。
功率半導體實際呈現供需嚴重不匹配的局面。從供給來看，大陸廠商市場份額約10%，歐美日廠商占據全球功率半導體70%的市場份額，在IGBT和中高壓MOSFET細分領域市場份額超八成。大陸以二極管、低壓MOSFET、晶閘管等中低端功率半導體為主，占據全球10%的市場份額。
從需求來看，中國是全球最大的功率器件市場，占據全球39%市場份額。日本第二，占18%，歐洲和美國分列三四位，占比分別為17%和8%，其他地區占比18%。
目前國內功率半導體市場的主要參與者仍主要為歐美企業，其中德州儀器、安森美、商升特半導體、安世半導體均為全球知名半導體企業，其業務規模要遠比中國大陸的企業大得多。
據招股書信息顯示，預計芯導科技募集資金4.4376億元，用于投資發展項目，包括高性能分立功率器件開發和升級、高性能數模混合電源管理芯片開發及產業化、硅基氮化鎵高電子遷移率功率器件開發項目、研發中心建設項目。
展開 摘要：介紹了現代硅基大功率半導體器件的歷史演變和新型器件結構的研究進展，以及寬禁帶半導體材料和器件的現狀；闡述了國內大功率半導體器件在軌道交通、直流輸電和新能源汽車等領域的研發進展和應用現狀；最后討論了大功率半導體技術面臨的技術挑戰和發展趨勢。
0 引言
經過 60 余年的技術發展，大功率半導體行業已經開發出多種硅（Si）基功率器件，單極型器件以金屬氧化物半導體場效應管（Metal Oxide Semiconductor,MOS）為代表，雙極型器件包括二極管、功率晶體管和晶閘管等，復合型器件包括絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT）等。圍繞功率轉換，功率半導體器件結構和工藝以提高功率容量、增大功率密度、降低功率損耗和提升能源轉換效率為主要的技術發展方向 [1-2] 。
功率半導體器件的發展不斷推動著能源技術和軌道牽引傳動技術的發展。1957 年晶閘管的發明使得牽引傳動技術進入電力電子技術時代 [1]，晶閘管的誕生促進了交直傳動技術的進步與發展。1965 年第 1 臺晶閘管整流機車問世，同時全球也興起了單相工頻交流電網電氣化的高潮。20 世紀 70 年代初，大功率晶閘管特別是門極可關斷晶閘管（Gate Turn-off Thyristor, GTO）的出現和微機控制技術的發展，推動了交流傳動技術逐步取代交直傳動技術。20 世紀 90 年代中期，隨著高壓 IGBT 技術的成熟，交流傳動功率開關器件被 IGBT 所取代，在高速、重載和城市軌道交通等領域獲得廣泛應用。
展開 摘要：介紹了現代硅基大功率半導體器件的歷史演變和新型器件結構的研究進展，以及寬禁帶半導體材料和器件的現狀；闡述了國內大功率半導體器件在軌道交通、直流輸電和新能源汽車等領域的研發進展和應用現狀；最后討論了大功率半導體技術面臨的技術挑戰和發展趨勢。
關鍵詞：功率半導體器件；硅材料；晶閘管；門極可關斷晶閘管；集成門極換流晶閘管；絕緣柵雙極晶體管；金屬氧化物半導體場效應晶體管；寬禁帶
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引言
經過 60 余年的技術發展，大功率半導體行業已經開發出多種硅（Si）基功率器件，單極型器件以金屬氧化物半導體場效應管（Metal Oxide Semiconductor,MOS）為代表，雙極型器件包括二極管、功率晶體管和晶閘管等，復合型器件包括絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT）等。圍繞功率轉換，功率半導體器件結構和工藝以提高功率容量、增大功率密度、降低功率損耗和提升能源轉換效率為主要的技術發展方向。
功率半導體器件的發展不斷推動著能源技術和軌道牽引傳動技術的發展。1957 年晶閘管的發明使得牽引傳動技術進入電力電子技術時代，晶閘管的誕生促進了交直傳動技術的進步與發展。1965 年第 1 臺晶閘管整流機車問世，同時全球也興起了單相工頻交流電網電氣化的高潮。20 世紀 70 年代初，大功率晶閘管特別是門極可關斷晶閘管（Gate Turn-off Thyristor, GTO）的出現和微機控制技術的發展，推動了交流傳動技術逐步取代交直傳動技術。20 世紀 90 年代中期，隨著高壓 IGBT 技術的成熟，交流傳動功率開關器件被 IGBT 所取代，在高速、重載和城市軌道交通等領域獲得廣泛應用。
展開 2025 亞洲國際功率半導體、材料及裝備技術展覽會，以“聚焦前沿技術突破，賦能產業創新融合”為主題。將于2025年11月20-22日在廣州保利世貿博覽館盛大召開！
APSME 2025 亞洲國際功率半導體、材料及裝備技術展覽會匯聚全球優質品牌廠商齊聚現場，打造功率半導體全產業鏈創新展示、一站式采購及技術交流平臺，集中展示半導體器件、功率模塊、材料、封裝技術、測試技術、生產設備、散熱管理等熱門產品，致力于先進半導體器件、封裝測試、工藝流程、創新應用及產業鏈間的合作，為上游及材料設備搭建交流協作的橋梁。展會期間還將舉辦一系列技術論壇，展示全球產業動態及未來技術趨勢。
展開 此前，華潤微發布公告稱，公司全資子公司華微控股擬與大基金二期、重慶西永微電子產業園區開發有限公司設立合資公司，投建12寸功率半導體晶圓生產線項目。而士蘭微也宣布投資20億元，在現有集成電路芯片廠房內增加生產設備擴建12英寸芯片生產能力，實現年產24萬片芯片產能，實施周期2年。
此外，還有捷捷微電發行可轉債募資近12億元，投資于功率半導體“車規級”封測產業化項目。聞泰科技在上海臨港建設的產能規劃為40萬片/年的12英寸晶圓廠有望在2022年7月投產。
華西證券表示，無論是從產業鏈成熟的角度還是產品突破的維度，功率半導體板塊是進口替代速度相對較快的領域。目前功率半導體國產供應商已構建基本配套環境，設計、制造、封測到模塊均相對健全，從制造環節來看，國內目前已具備4/6/8英寸產能，且國內領先的功率IDM公司預計未來會增加12英寸產能，專注特色工藝。
來源：第一財經
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在本教程項目中，我們研究了加熱對實際二極管激光器模式輪廓的影響，即熱透鏡。溫度的變化會引起材料折射率的變化。這當然會影響波導模式的形狀和傳播常數。通常加熱會增加折射率，從而導致模式的橫向壓縮.
下圖是我們分析的超大型光波導激光器的截面：
二極管激光器由一個pn-結組成。用于激光模式的橫向波導是由蝕刻在結構中的兩個溝槽形成的。橫截面是由布局文件中的一些平行四邊形設置的
在本教程項目中，我們研究了加熱對實際二極管激光器模式輪廓的影響，即熱透鏡。溫度的變化會引起材料折射率的變化。這當然會影響波導模式的形狀和傳播常數。通常加熱會增加折射率，從而導致模式的橫向壓縮.
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二極管激光器由一個pn-結組成。用于激光模式的橫向波導是由蝕刻在結構中的兩個溝槽形成的。橫截面是由布局文件中的一些平行四邊形設置的
在本教程項目中，我們研究了加熱對實際二極管激光器模式輪廓的影響，即熱透鏡。溫度的變化會引起材料折射率的變化。這當然會影響波導模式的形狀和傳播常數。通常加熱會增加折射率，從而導致模式的橫向壓縮.
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2025 亞洲國際功率半導體、材料及裝備技術展覽會，以“聚焦前沿技術突破，賦能產業創新融合”為主題。將于2025年11月20-22日在廣州保利世貿博覽館盛大召開！
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隨著半導體技術的升級與發展，功率半導體已經成為推動新能源汽車和智能汽車產業升級的關鍵因素。汽車不再只是單純的交通工具，而是逐漸演變為一個智能移動空間，集成了多種先進技術和功能。特別是在新能源汽車領域，功率半導體在提升能源效率和車輛性能方面起到了至關重要的作用。
在全球新能源車市場快速擴張的背景下，中國市場表現尤為突出。隨著國家政策的大力支持和市場需求的不斷增長
由工采網代理光華芯的CJC8988是一個低功率，高質量的立體聲編解碼器，和WM8988外圍電路一致，管腳兼容；可以直接Pin to Pin替代WM8988，CJC8988是參考WM8988設計的，芯片可以直接替換；IIC格式一致，寄存器定義一致，但少量音量寄存器，定義一致，但同樣配置下聲音大小有差異。
Codec芯片 - CJC8988是一顆超低功耗的雙路ADC和DAC
來源：芯智訊
2024年1月2日消息，據愛企查資料顯示，由拓荊科技、中科飛測、盛美上海、微導納米這4家國產半導體設備廠商聯合成立的合資公司——廣州中科共芯半導體技術合伙企業（有限合伙）（以下簡稱“中科共芯”）已于2023年12月12日注冊成立。
根據公司資料顯示，中科共芯注冊資金18010萬元人民幣，經營范圍包括：半導體分立器件制造和銷售；集成電路芯片設計及服務
CINNO Research產業資訊，日本半導體材料加工設備廠商高鳥株式會社（Takatori，以下簡稱為“高鳥”）近日推出了一款用于切割功率半導體方向碳化硅（SiC）晶圓的新型切割設備。該設備不僅支持切割當下主流的直徑為6吋（約15厘米）的晶圓，還可用于切割10吋晶圓（約25厘米），可顯著提升半導體芯片的生產效率。
新型多線切割設備可切割直徑為10吋的晶圓
與硅基功率半導體相比
在本教程項目中，我們研究了加熱對實際二極管激光器模式輪廓的影響，即熱透鏡。溫度的變化會引起材料折射率的變化。這當然會影響波導模式的形狀和傳播常數。通常加熱會增加折射率，從而導致模式的橫向壓縮.
下圖是我們分析的超大型光波導激光器的截面：
二極管激光器由一個pn-結組成。用于激光模式的橫向波導是由蝕刻在結構中的兩個溝槽形成的。橫截面是由布局文件中的一些平行四邊形設置的.
熱傳導項目
為了研究溫度對傳播模式的影響
隨著全球半導體產業的迅猛發展，半導體材料市場一直處于不斷變化的前沿。中國的半導體產業供應鏈亦在此浪潮中快速崛起，逐漸嶄露頭角。然而，長期以來，中國的半導體領域一直依賴進口材料，這在一定程度上制約了國內半導體產業的發展。隨著國際關系的變化和國內技術實力的提升，中國對于半導體國產化材料的需求正日益增多。 中國的半導體市場，特別是國產化材料領域，正在面臨雙重壓力。一方面，國際貿易關系的不確定性和技術封鎖
