三菱電機
關注創(chuàng)建者：CINNO 創(chuàng)建時間：2023-06-25
三菱電機的實例教程
關于功率半導體業(yè)務，三菱電機以工業(yè)、可再生能源、鐵路應用為基礎，將汽車（未來有望實現(xiàn)較高增長）、消費類電子（三菱電機擅長的領域）定位為事業(yè)部業(yè)務增長的主要驅(qū)動力，以進一步提升產(chǎn)品質(zhì)量、生產(chǎn)能力、銷售實力。
為實現(xiàn)下一階段的增長，三菱電機正積極構(gòu)筑業(yè)務基礎。在推進產(chǎn)品標準化、通用性的同時，還通過擴大戰(zhàn)略性產(chǎn)品，改革產(chǎn)品陣容。此外，還將通過擴大生產(chǎn)效率極高的福山工廠（日本廣島縣福山市）的產(chǎn)能、量產(chǎn)12英寸硅晶圓，以進一步提升收益。
此外，三菱電機還把優(yōu)勢產(chǎn)品一一碳化硅定位為業(yè)務增長的關鍵，不僅會繼續(xù)研發(fā)車載產(chǎn)品、加速研發(fā)新一代產(chǎn)品、擴大全球銷售，近期還宣布與美國Coherent公司合作研發(fā)8英寸碳化硅晶圓。未來，三菱電機也將鞏固采購體系。
三菱電機功率半導體的增長戰(zhàn)略（圖片出自：三菱電機）
自20世紀90年代開始，三菱電機就開始著手研發(fā)碳化硅模組，是全球首個將碳化硅模組應用于室內(nèi)空調(diào)、高速鐵路的廠家。車載應用方面，三菱電機碳化硅模組及硅基模組已經(jīng)累計被應用于約2600萬輛汽車。三菱電機擁有多種尖端技術，如在外延、工藝等方面的高質(zhì)量化合物半導體技術、利用自主研發(fā)溝槽(Trench)結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET所實現(xiàn)的低功耗芯片技術（功耗為全球最低）、業(yè)界頂尖的小型化、輕量化模組技術等。三菱電機有效利用強大的技術基礎、全球頂級客戶群，通過為諸多領域提供優(yōu)勢碳化硅模組，為各行各業(yè)實現(xiàn)綠色轉(zhuǎn)型（GX）做出貢獻。（竹見政義先生）。
三菱電機功率半導體業(yè)務的戰(zhàn)略（圖片出自：三菱電機）
生產(chǎn)體制方面，三菱電機計劃在2026年4月開始稼動位于日本熊本縣菊池市（泗水）的碳化硅8英寸晶圓的新工廠。此外，還計劃對碳化硅6英寸晶圓工廠（位于日本熊本縣合志市）進行擴產(chǎn)，到2026年，碳化硅產(chǎn)能預計會擴大至現(xiàn)在的5倍左右。
展開 據(jù)日媒報道，4日，日本三菱電機的全資子公司TOKAN宣布，253種橡膠產(chǎn)品存在省略品質(zhì)相關檢查等違規(guī)行為，這些產(chǎn)品被用于包括新干線在內(nèi)的鐵路車輛和電梯。TOKAN于1月底掌握了違規(guī)情況，但一直未公布。
據(jù)TOKAN介紹，已查明了關于產(chǎn)品品質(zhì)無視與三菱電機等接受供貨企業(yè)的協(xié)定，通過自己公司標準出貨，或未實施耐久性等檢查的事例。違規(guī)達到TOKAN整體橡膠產(chǎn)品的約兩成。
包括三菱電機在內(nèi)，TOKAN向25家公司出貨。也存在通過進貨大部分產(chǎn)品的三菱電機向別的企業(yè)出貨的情況。東海鐵路公司（JR東海）今年11月曾透露，違規(guī)產(chǎn)品被用于東海道新干線列車。
據(jù)悉，在TOKAN只留有2008年以后的檢查數(shù)據(jù)，但由于制造和檢查工序較以往沒有改變，可推算2000年違規(guī)行為已經(jīng)開始。
TOKAN社長松岡達雄在東京都內(nèi)召開記者會，就違規(guī)行為致歉稱“深表歉意”。關于原因，他解釋稱“迫于交貨期，未能制造出滿足品質(zhì)的產(chǎn)品”。
三菱電機稱此次違規(guī)行為是“嚴重違反遵紀守法”，將強化對TOKAN品質(zhì)保證體制的監(jiān)督與指導。TOKAN擬設置公司內(nèi)部調(diào)查委員會，詳細調(diào)查違規(guī)原因和背景等，處分相關人士。
展開 Qorvo新1200V第四代SiC FET的品質(zhì)因數(shù)與競爭性1200V FET的比較
（圖源：QorvoPower公號）
富士電機：用于全SiC模塊
2016年，富士電機開發(fā)了用于全SiC模塊的1.2 kV SiC溝槽 MOSFET，實現(xiàn)了3.5 mΩcm 2 的低比電阻，閾值電壓為 5 V，同時保持用于打開和關閉電流的“通道”的高可靠性。由此，與以前的平面結(jié)構(gòu)相比，成功地將電阻率降低了50%以上。此外，富士電機還開發(fā)了一種采用獨特引腳連接結(jié)構(gòu)的高電流密度專用 SiC 模塊，充分發(fā)揮了SiC器件的優(yōu)點。富士電機已經(jīng)使用該設備實現(xiàn)了All-SiC模塊。
圖源：富士電機
三菱電機：獨特電場限制結(jié)構(gòu)
2019年，三菱電機也開發(fā)出了一種溝槽的SiC MOSFET，為了解決溝槽型的柵極絕緣膜在高電壓下的斷裂問題，三菱電機基于在結(jié)構(gòu)設計階段進行的先進模擬，開發(fā)了一種獨特的電場限制結(jié)構(gòu)，將應用于柵絕緣薄膜的電場減小到常規(guī)平面型水平，使柵絕緣薄膜在高電壓下獲得更高的可靠性。
三菱電機的新型溝槽型SiC-MOSFET三維結(jié)構(gòu)示意圖
（圖源：三菱電機）
此外，三菱電機開發(fā)了一種新的制造方法來大規(guī)模生產(chǎn)其新型SiC-MOSFET。具體來看，三菱電機利用獨特的電場限制結(jié)構(gòu)確保器件可靠性。通過注入鋁和氮來改變半導體層的電氣特性，從而保護柵極絕緣膜。如下圖所示，首先，垂直注入鋁，并在底部表面形成電場限制層(圖2-①)。
展開 2018年10月底，南極熊從外媒獲悉，三菱電機宣布開發(fā)出獨特的點陣成型增材制造技術，通過在3D打印機中結(jié)合激光，計算機數(shù)控（CNC）和計算機輔助制造CAM技術，實現(xiàn)高精度成型。
該技術采用激光定向能量沉積（DED）方法，這是一種增材制造工藝，其中聚焦的熱能在材料沉積時熔化它們。
DED工藝類似于材料擠出的過程，但是在DED 3D打印方法中，供應材料顆粒或線材的噴嘴安裝在多軸臂上。它可以在多個方向上移動，而不是固定到特定軸，并且可以從任何角度將進給供應到目標表面上。然后，該模型逐層地從底部到頂部構(gòu)建在表面上。通過控制進給速率和金屬線或顆粒沉積在表面上的角度來控制3D模型的形狀。
DED專門用于打印金屬和合金的3D模型，并且常用于修復和維護結(jié)構(gòu)部件。該技術可高速的生成高質(zhì)量的3D零件。三菱電機認為，其新技術將在各種應用中提高生產(chǎn)率，例如飛機和汽車零件的近凈成型和堆積修復，以及空心和懸垂形狀。該技術還可以與使用其他制造方法生產(chǎn)的部件串聯(lián)使用。
新技術使用普通且相對便宜的激光焊絲。新技術提供的另一個好處是顯著提高了精度，因為與連續(xù)成型技術相比，形狀精度提高了60％。與傳統(tǒng)技術相比，傳統(tǒng)技術的問題氧化可以減少20％以上，因為高溫區(qū)域限于窄點形成區(qū)域。
三菱電機預計在截至2021年3月的財政年度內(nèi)推出商業(yè)版點陣成型技術。
三菱電機將在第29屆日本國際機床展覽會（JIMTOF2018）上展示新技術，這是一項為期6天的活動，將于11月1日至2018年11月6日在東京國際展覽中心舉行。
2016年6月，南極熊在東京參加日本工業(yè)展期間看到日本三菱公司的展位，據(jù)南極熊了解，三菱電機研究實驗室（MERL）正在使用5軸增材制造技術——也就是一些人所謂的5D打印——來制造強度要比常規(guī)3D打印強3至5倍的部件。
展開 三菱電機——二氧化碳三維激光加工機
ML3122VZ10-20XF
在2018年9月份工博會期間，直到開展前一分鐘，三菱電機這款大型加工機設備才撤去了圍擋，露出了真容。它從日本漂洋過海，只為見你一面，這份真情，難能可貴。
這臺設備擁有超強的應用技術和節(jié)能技術，可以達到亮面切割，有效防止異常燃燒，使加工更加順暢。
在節(jié)能技術上，以100個產(chǎn)品做比較，新款VZ10-20XF比前代產(chǎn)品可以縮短14%的時間，運轉(zhuǎn)費用降低約26%，這為企業(yè)大大縮短了加工時間、降低了機器運轉(zhuǎn)的費用，達到企業(yè)高生產(chǎn)性的要求，實現(xiàn)“柔性生產(chǎn)”。
作為萬眾矚目的焦點，自身工作性能自然不會差！
與傳統(tǒng)的加工機相比，該款激光加工機不僅擁有高生產(chǎn)性&加工性能，更是擁有無可比擬的加工速度&精度。
可支持：薄板沖壓拉伸件、平板加工、管材加工。可對多種材料和不同厚度的板材進行最佳加工，通過高精度的控制瞬間調(diào)整最佳加工條件，展現(xiàn)強大的加工范圍應對能力。
除此之外，它還擁有超強的應用技術和節(jié)能技術，可以達到亮面切割，有效防止異常燃燒，使加工面更加光滑順暢。在節(jié)能技術上，新款ML3122VZ10-20XF與前代產(chǎn)品相比縮短了大約14~22%的時間，運轉(zhuǎn)費用降低了大約26~33%，這為企業(yè)大大縮短了工時和成本。
一個“龐然大物”卻擁有著如此“精細”的工作特點，與它的操控中心有著密切的關系。對于該款產(chǎn)品的操作平臺，真正的體現(xiàn)了該產(chǎn)品的強大的功能性！
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三菱電機的最新內(nèi)容
三菱電機攜手鹿明機器人共建聯(lián)合實驗室，加速人形機器人產(chǎn)業(yè)化
7 月 24 日，三菱電機智能制造科技（中國）集團與Lumos鹿明機器人簽 署戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將在蘇州或上海設立聯(lián)合實驗室，聚焦工業(yè)級人形/ 四足機器人核心部件——高性能伺服驅(qū)動器、輕量化關節(jié)模組等關鍵技術攻 關。
三菱電機中國集團總部落戶蘇州，加速智能制造本土化布局
2025年6月30日，三菱電機智能制造科技中國集團總部在蘇州吳中區(qū)正式落成。這是繼今年3月三菱電機宣布在華設立新公司后的重要進展，標志著其工業(yè)自動化業(yè)務在華經(jīng)營模式全面升級，實現(xiàn)產(chǎn)銷研一體化自主運營。
三菱電機工業(yè)自動化事業(yè)部負責人表示，將以蘇州為新起點，加速推進產(chǎn)品企劃、開發(fā)和供應鏈本地化，真正實現(xiàn)“扎根中國”。
后面依次是安森美、羅姆和三菱電機等，這些廠商共同占據(jù)了全球80%以上的SiC市場份額，與各大車企及Tier1廠商互動密切。
此外，三菱電機還把優(yōu)勢產(chǎn)品一一碳化硅定位為業(yè)務增長的關鍵，不僅會繼續(xù)研發(fā)車載產(chǎn)品、加速研發(fā)新一代產(chǎn)品、擴大全球銷售，近期還宣布與美國Coherent公司合作研發(fā)8英寸碳化硅晶圓。未來，三菱電機也將鞏固采購體系。
三菱電機功率半導體的增長戰(zhàn)略（圖片出自：三菱電機）
自20世紀90年代開始，三菱電機就開始著手研發(fā)碳化硅模組，是全球首個將碳化硅模組應用于室內(nèi)空調(diào)、高速鐵路的廠家。
三菱電機的新型溝槽型SiC-MOSFET三維結(jié)構(gòu)示意圖
（圖源：三菱電機）
此外，三菱電機開發(fā)了一種新的制造方法來大規(guī)模生產(chǎn)其新型SiC-MOSFET。具體來看，三菱電機利用獨特的電場限制結(jié)構(gòu)確保器件可靠性。通過注入鋁和氮來改變半導體層的電氣特性，從而保護柵極絕緣膜。如下圖所示，首先，垂直注入鋁，并在底部表面形成電場限制層(圖2-①)。
再者，從大環(huán)境而言，國內(nèi)IGBT市場需求量遠大于產(chǎn)量，主要依賴進口，市場主要被英飛凌、三菱、富士電機等國際巨頭壟斷。國內(nèi)主要從事IGBT研發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)有斯達半導體、士蘭微、比亞迪、中車株洲、時代電氣等。其中，斯達半導體和中車株洲已經(jīng)實現(xiàn)了第七代IGBT產(chǎn)品的研發(fā)和量產(chǎn)，分別在中低壓和高壓領域有較強的競爭力。
數(shù)控機床/金屬切削企業(yè)：
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三菱電機，三菱電機株式會社，是三菱MITSUBISHI財團之一，全球500強。公司成立于1921 年 1 月 15 日，當時三菱造船公司（現(xiàn)在的三菱重工業(yè)株式會社）將日本神戶的一家工廠脫離出去，組建了一家名為三菱電機株式會社的新公司，專門為遠洋船舶制造電機。
從全球看，IGBT目前已經(jīng)發(fā)展到7.5代，第7代由
三菱電機
在2012年推出，三菱電機目前的水平可以看作7.5代，而比亞迪2018年12月12日才發(fā)布IGBT 4.0技術（也就是國際上第五代技術），所以說，目前的差距還是很大的。
這導致了兩個新的EB-PBF參與者：三菱電機的TADA Electric Co.和JEOL。
TADA與Pro-beam一樣，旨在將其電子束焊接技術帶入EB-PBF市場，其機器功率為6千瓦，并聲稱其陰極壽命為1000小時。聲稱是日本第一臺EB-PBF機器，三菱電機的品牌和全球影響力可能有助于該機器在市場上獲得更廣泛的接受。
