ansys電容發(fā)熱仿真
關(guān)注創(chuàng)建者：王靖雯 創(chuàng)建時(shí)間：2023-03-07
ansys電容發(fā)熱仿真的實(shí)例教程
DC-Link 薄膜電容是電動(dòng)汽車(chē)電驅(qū)系統(tǒng)中的一個(gè)重要組成部分，在反復(fù)充放電的過(guò)程中會(huì)導(dǎo)致電容發(fā)熱，影響其使用壽命。
本文基于ANSYS 仿真軟件對(duì)某型號(hào)DC-Link 薄膜電容器進(jìn)行溫度場(chǎng)分析，結(jié)果表明，在
高溫環(huán)境中，電容器芯子中心處為溫度最高點(diǎn)，而配備散熱器后，最高溫度點(diǎn)轉(zhuǎn)移至遠(yuǎn)離散熱器的外殼處，散熱器能顯著降低芯子溫度。
1.基于某款實(shí)際電容產(chǎn)品簡(jiǎn)化的3D模型
2.環(huán)境溫度85℃、帶TIM散熱膠及鋁合金散熱冷板
3.考慮直流輸入電流及紋波電流，芯包損耗發(fā)熱的電-熱耦合工況
4.電流、發(fā)熱量等數(shù)據(jù)為假設(shè)值，實(shí)際仿真以真實(shí)數(shù)據(jù)為準(zhǔn)
5.模型可以為真實(shí)的DC Link熱仿真工作提供極具價(jià)值的參考。
展開(kāi) 電容式觸摸屏技術(shù)是利用人體的電流感應(yīng)進(jìn)行工作的。電容式觸摸屏是一塊四層復(fù)合玻璃屏，玻璃屏的內(nèi)表面和夾層各涂有一層ITO（氧化銦錫），最外層是一薄層矽土玻璃保護(hù)層，夾層ITO涂層作為工作面，四個(gè)角上引出四個(gè)電極，內(nèi)層ITO為屏蔽層以保證良好的工作環(huán)境。
電容屏在原理上把人體當(dāng)作一個(gè)電容器元件的一個(gè)電極使用，當(dāng)有導(dǎo)體靠近與夾層ITO工作面之間耦合出足夠量容值的電容時(shí)，流走的電流就足夠引起電容屏的誤動(dòng)作。廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦等智能終端產(chǎn)品中。本文主要介紹如何使用ANSYS Q3D仿真電容式觸摸屏。
1.創(chuàng)建模型
可以使用ANSYS自身的建模功能建立電容屏模型，也可以導(dǎo)入第三方繪圖軟件繪制好的模型。在Q3D中創(chuàng)建好的觸摸屏和手指的三維模型如圖1所示，其橫截面如圖2所示。
圖1 電容觸摸屏仿真模型 圖2電容觸摸屏仿真模型橫截面
2.設(shè)置Nets
設(shè)置好的Nets如圖3和圖4所示。
展開(kāi) 
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ansys電容發(fā)熱仿真的最新內(nèi)容
為了仿真載流子的分布，使用CHARGE模塊對(duì)電荷和靜電勢(shì)進(jìn)行自洽仿真。隨后，MODE模塊將利用載流子濃度信息，計(jì)算材料折射率實(shí)部和虛部的相應(yīng)變化。這些參數(shù)隨后被導(dǎo)出至INTERCONNECT模塊，其中包括電壓相關(guān)的結(jié)電容。INTERCONNECT元件庫(kù)為行波調(diào)制器的設(shè)計(jì)與仿真提供了所需的靈活性。
Ansys RaptorH能夠提取所有無(wú)源器件以及任意布線布局（無(wú)論是成熟設(shè)計(jì)還是正在開(kāi)發(fā)中的布局）的電磁模型。這些組件可以是平面（實(shí)心的或者帶孔的）、傳輸線、螺旋電感器和MIM/MOM電容器，它們可以與高速/高頻布線一起提取，以計(jì)算全耦合電磁模型。此外，憑借自動(dòng)化的額外優(yōu)勢(shì)，使電磁提取任務(wù)的設(shè)置變得非常簡(jiǎn)單且快速。
在仿真案例中，將一個(gè)簡(jiǎn)單的球體放置在典型的硅材料太陽(yáng)能電池板上方，指示了穩(wěn)態(tài)下到達(dá)板面的熱流密度以及表面的溫度分布。這里不考慮電池板表面的自由對(duì)流，僅研究輻射效應(yīng)。
目標(biāo)
觀察由于一個(gè)發(fā)熱物體的輻射作用，太陽(yáng)能電池板上的熱流密度和溫度分布。
步驟
1.
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3—從零開(kāi)始學(xué)散熱——實(shí)用Flotherm熱仿真培訓(xùn)教程
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4—從零開(kāi)始學(xué)散熱——實(shí)用Ansys Icepak熱仿真教程
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劉朝瑜 | Ansys高級(jí)應(yīng)用工程師
2013年碩士畢業(yè)于燕山大學(xué)機(jī)械電子工程專業(yè)。加入Ansys之前為奧?？萍?em>仿真部經(jīng)理，負(fù)責(zé)電源、逆變器、功率模塊、磁性器件、監(jiān)牙耳機(jī)等相關(guān)的設(shè)計(jì)、仿真工作。主要研究方向：磁性器件、電源的損耗和EMC仿真優(yōu)化設(shè)計(jì)，逆變器、功率模塊的仿真優(yōu)化設(shè)計(jì)。
分析、PI仿真、去耦電容優(yōu)化核心模塊，結(jié)合高速PCB、PDN優(yōu)化等典型案例，指導(dǎo)學(xué)員掌握板級(jí)SI/PI仿真全流程，高效解決信號(hào)質(zhì)量、電源噪聲等工程難題。
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3—從零開(kāi)始學(xué)散熱——實(shí)用Flotherm熱仿真培訓(xùn)教程
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4—從零開(kāi)始學(xué)散熱——實(shí)用Ansys Icepak熱仿真教程
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電容器 | 一文詳解MOM、MIM和MOS及其區(qū)別1個(gè)月前
本文原刊登于Ansys.com：《The Difference Between MOM, MIM, and MOS Capacitors》
作者： Akanksha Soni | Ansys產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理
編輯整理：Rodger Luo | Ansys 首席應(yīng)用工程師
從最基本的層面講，所有電容器都是通過(guò)由介電（絕緣）材料隔開(kāi)的電導(dǎo)體（極板）來(lái)儲(chǔ)存能量的。
該團(tuán)隊(duì)正在利用創(chuàng)新的optiSLang工作流程，將Ansys Electronics Desktop的電氣仿真與Ansys Icepak的熱仿真融合，創(chuàng)建一個(gè)閉環(huán)流程，該流程可預(yù)測(cè)安裝在實(shí)際電動(dòng)汽車(chē)工作環(huán)境中的SiC芯片的最終溫度。據(jù)Nelson介紹，這種流程融合及設(shè)計(jì)優(yōu)化解決方案非常適合其團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)的各種復(fù)雜多物理場(chǎng)研究。
熱仿真教程
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