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DC-Link 薄膜電容是電動(dòng)汽車電驅(qū)系統(tǒng)中的一個(gè)重要組成部分，在反復(fù)充放電的過(guò)程中會(huì)導(dǎo)致電容發(fā)熱，影響其使用壽命。 本文基于ANSYS 仿真軟件對(duì)某型號(hào)DC-Link 薄膜電容器進(jìn)行溫度場(chǎng)分析，結(jié)果表明，在 高溫環(huán)境中，電容器芯子中心處為溫度最高點(diǎn)，而配備散熱器后，最高溫度點(diǎn)轉(zhuǎn)移至遠(yuǎn)離散熱器的外殼處，散熱器能顯著降低芯子溫度。

定義和應(yīng)用換熱器的種類使用換熱器面臨的巨大挑戰(zhàn)換熱器的分析與設(shè)計(jì)過(guò)程分析方法仿真對(duì)換熱器設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)的影響換熱器設(shè)計(jì)難點(diǎn)與方案預(yù)測(cè)換熱器結(jié)垢換熱器設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)的最佳實(shí)踐1 擴(kuò)散器形狀優(yōu)化· 工程挑戰(zhàn)· 仿真復(fù)雜性· Ansys應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn)的關(guān)鍵功能· 入口擴(kuò)散器的形狀優(yōu)化研究案例2 導(dǎo)管螺紋形狀優(yōu)化· 工程挑戰(zhàn)· 仿真復(fù)雜性· Ansys應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn)的關(guān)鍵功能

圖中顯示 直流電容是準(zhǔn)確的，并且類似于在反向偏置中預(yù)期的交流電容。第三張圖是串聯(lián) RC 電路的史密斯圓圖。 穩(wěn)態(tài)直流仿真的腳本還將電壓與電容關(guān)系保存于 tw_modulator_dc_C.mat 中，而小信號(hào)仿真也搭配腳本由阻抗推導(dǎo)電阻和電容；R 和 C 分別對(duì)應(yīng)阻抗的實(shí)部和虛部。

摘 要：電機(jī)控制器中的主要散熱器件有電容和IGBT等,其散熱性能直接關(guān)系到電機(jī)的輸出。以控制器中的8個(gè)電容及3個(gè)IGBT為主要熱源,采用有限元分析的穩(wěn)態(tài)熱模塊及流體模塊,分別對(duì)其進(jìn)行溫度仿真分析,分析對(duì)比在使用水冷散熱前后主要發(fā)熱器件的散熱狀態(tài),得出水冷散熱的仿真效果比常態(tài)下的溫度降低約27℃,為實(shí)際產(chǎn)品的設(shè)計(jì)生產(chǎn)提供支撐。

摘 要：本文結(jié)合固體繼電器結(jié)構(gòu)，采用ANSYS Icepak熱仿真分析方法進(jìn)行熱仿真分析，得出固體繼電器不同環(huán)境溫度下表面和全部元器件的熱量分布云圖，以及溫升曲線，再通過(guò)熱耦法和熱成像技術(shù)測(cè)試固體繼電器實(shí)際的溫升，將實(shí)際測(cè)試結(jié)果與仿真結(jié)果進(jìn)行對(duì)比，驗(yàn)證軟件熱仿真結(jié)果的精度，熱仿真的精度滿足設(shè)計(jì)和應(yīng)用需求。

定義2：電容器，任何兩個(gè)彼此絕緣且相隔很近的導(dǎo)體(包括導(dǎo)線)間都構(gòu)成一個(gè)電容器。</p><p>本案例基于COMSOL軟件的固體力學(xué)模塊、電學(xué)模塊以及流體模塊仿真了電容器內(nèi)PDMS材料結(jié)構(gòu)的位移和變形以及電容器的電勢(shì)的分布變化，幾何模型如圖1所示。仿真結(jié)果如圖2所示。

Ansys應(yīng)用類系列網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)——熱仿真系列專題已上線，將重點(diǎn)介紹 Ansys 多款求解器矩陣在電子散熱、電熱耦合及復(fù)雜熱管理問(wèn)題中的實(shí)際應(yīng)用。無(wú)縫的工作流，為幾乎所有跨行業(yè)、跨應(yīng)用的熱挑戰(zhàn)提供高精度答案，有效降低設(shè)計(jì)后期的熱風(fēng)險(xiǎn)，大幅加速產(chǎn)品上市進(jìn)程。歡迎報(bào)名參會(huì)了解更多！

本仿真模擬了將形狀記憶合金用作脊柱間隔器的過(guò)程。目標(biāo) 熟悉形狀記憶合金 理解考慮熱效應(yīng)的形狀記憶合金建模流程建模步驟1. 在 ANSYS Workbench 中創(chuàng)建靜力結(jié)構(gòu)系統(tǒng)。定義形狀記憶合金的材料屬性（表 1）。表 1. 脊柱間隔器材料屬性 2、導(dǎo)入幾何模型。脊柱間隔器植入物的幾何形狀如圖 1 所示。

共軛傳熱（CHT） 3.1 工程挑戰(zhàn) 3.2 仿真復(fù)雜性 3.3 Ansys應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn)的關(guān)鍵功能 3.4 Ansys Workbench Meshing 針對(duì)CHT繪制網(wǎng)格 4. 冷熱循環(huán)熱機(jī)疲勞 4.1 工程挑戰(zhàn) 4.2 仿真復(fù)雜性 4.3 Ansys應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn)的關(guān)鍵功能 5.

) 散熱常用模塊－熱管－風(fēng)扇－散熱器Ansys Icepak方案可將上述因素全部納入仿真的范圍中。

本仿真模擬了將形狀記憶合金用作脊柱間隔器的過(guò)程。目標(biāo) 熟悉形狀記憶合金 理解考慮熱效應(yīng)的形狀記憶合金建模流程建模步驟1. 在 ANSYS Workbench 中創(chuàng)建靜力結(jié)構(gòu)系統(tǒng)。定義形狀記憶合金的材料屬性（表 1）。表 1. 脊柱間隔器材料屬性 2、導(dǎo)入幾何模型。脊柱間隔器植入物的幾何形狀如圖 1 所示。

01 說(shuō)明 本文旨在介紹Ansys Lumerical針對(duì)有源光子集成電路中PN耗盡型移相器的仿真分析方法。通過(guò)FDE和CHARGE求解器模擬并計(jì)算移相器的性能指標(biāo)（如電容、有效折射率擾動(dòng)和損耗等），并創(chuàng)建用于INTERCONNECT的緊湊模型，然后將其表征到INTERCONNECT的測(cè)試電路中實(shí)現(xiàn)，模擬反向偏置電壓對(duì)電路中信號(hào)相移的影響。

在這個(gè)例子中，Ansys Lumerical INTERCONNECT的光子集成電路(PIC)建模能力與Icepak強(qiáng)大的熱仿真能力相結(jié)合，用于仿真和設(shè)計(jì)波分復(fù)用(WDM)收發(fā)器，同時(shí)考慮封裝中其他區(qū)域（例如電子集成電路(EIC)、印刷電路板(PCB) 等）的發(fā)熱。

通過(guò)利用Ansys仿真，uPI可以快速準(zhǔn)確地預(yù)測(cè)其高性能芯片封裝設(shè)計(jì)的電氣、結(jié)構(gòu)和熱特性，從而提高產(chǎn)品性能，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，并降低后期設(shè)計(jì)變更的風(fēng)險(xiǎn)。通過(guò)利用Ansys仿真分析熱流和熱機(jī)械應(yīng)力，uPI可優(yōu)化其封裝設(shè)計(jì)，并使熱可靠性翻倍。

仿真運(yùn)行完，可以將觸點(diǎn)處的小信號(hào)交流電與頻率的函數(shù)關(guān)系圖。下圖（左）顯示了陽(yáng)極觸點(diǎn)處小信號(hào)電流的大小。由于光電探測(cè)器的導(dǎo)納隨頻率線性增加，電流與頻率的關(guān)系曲線是一條直線。我們還可以計(jì)算光電探測(cè)器的導(dǎo)納，從而計(jì)算作為頻率函數(shù)的電容值（圖右）。 根據(jù)該響應(yīng)，在整個(gè)頻率范圍內(nèi)，收集層電容為0.14fF/μm2。RC帶寬分析中應(yīng)包括附加寄生電容。

l 流體力學(xué)仿真預(yù)測(cè)增材制造熱交換器性能ANSYS CFX 是一種先進(jìn)的計(jì)算流體動(dòng)力學(xué)求解器，被用于評(píng)估FCOC的性能。在整個(gè)設(shè)計(jì)迭代階段，使用了多次CFD仿真對(duì)設(shè)計(jì)進(jìn)行評(píng)估。 設(shè)計(jì)師根據(jù)最初的仿真結(jié)果，對(duì)能量在螺旋管內(nèi)部的分配方式進(jìn)行優(yōu)化，從而使總傳熱系數(shù)增加12％。

Zemax | 模擬 AR 系統(tǒng)中的全息光波導(dǎo)：第一部分Ansys Zemax | 如何設(shè)計(jì)單透鏡 第一部分：設(shè)置Ansys Zemax | 如何使用漸暈系數(shù)Ansys Zemax | 抬頭顯示器設(shè)計(jì)：從 OpticStudio 至 SPEOSAnsys Zemax | HUD 設(shè)計(jì)實(shí)例Ansys Lumerical | 針對(duì) Grating coupler 的仿真分析方法

5.總結(jié)本文以國(guó)產(chǎn)自主研發(fā)的通用流體仿真軟件PERA SIM Fluid，對(duì)逆變器發(fā)熱與散熱進(jìn)行了熱仿真分析流程，得到了逆變器模組在額定工況下整體的溫度分布與最高溫度位置以及外部對(duì)流換熱強(qiáng)度，為逆變器模組現(xiàn)有設(shè)計(jì)的驗(yàn)證與后續(xù)產(chǎn)品的優(yōu)化設(shè)計(jì)提供了一定的參考信息。

</p><p><br></p><p>在逆變器中，使用IGBT、MOSFET等開(kāi)關(guān)元件來(lái)控制電流的方向和大小，從而實(shí)現(xiàn)電壓和頻率的變換。在工作狀態(tài)每個(gè)組件都會(huì)產(chǎn)生大量熱量，高溫會(huì)導(dǎo)致有效功率輸出降低，甚至熱失控。為了合理的熱設(shè)計(jì)，首先要獲取功率元件的損耗，而損耗又是和溫度相關(guān)的，因此有必要進(jìn)行電-熱聯(lián)合仿真對(duì)元件溫度和冷卻能力進(jìn)行準(zhǔn)確計(jì)算。