在 ANSYS Workbench 中創建靜力結構系統。定義形狀記憶合金的材料屬性（表 1）。 表 1. 脊柱間隔器材料屬性 2、導入幾何模型。脊柱間隔器植入物的幾何形狀如圖 1 所示。由于對稱性，僅創建1/4 模型。在ANSYS Mechanical 中對幾何體進行網格劃分。 圖 1.

</span></p><p><br></p><p>導入模型，并抑制一半的對稱部分。抑制后半部分模型如圖 1 所示。

在 ANSYS Workbench 中創建靜力結構系統。定義形狀記憶合金的材料屬性（表 1）。 表 1. 脊柱間隔器材料屬性 2、導入幾何模型。脊柱間隔器植入物的幾何形狀如圖 1 所示。由于對稱性，僅創建1/4 模型。在ANSYS Mechanical 中對幾何體進行網格劃分。 圖 1.

="_blank">從零開始學散熱——實用Flotherm熱仿真培訓教程視頻教程_培訓課程-技術鄰 (jishulink.com)</a></p><p class="ql-align-justify">3—從零開始學散熱——實用Ansys Icepak熱仿真教程</p><p class="ql-align-justify"><a href="https://www.yqgqt.org.cn/video

圖4 （a）結構示意圖；（b）群折射率 圖5 FDE求解器參數設置 除此之外，我們還知道MRR的耦合長度可以由對稱和反對稱耦合模式的有效折射率之差確定，可由下式表示： 因此，我們將FDE求解器放置在耦合區域處，如圖6（a）所示。

上面介紹了電光調制中四種常見的物理效應，這四種物理效應對對硅材料光學性質的影響可以總結如下： ①由于硅晶格的中心反演對稱性，泡克耳斯效應是零。

圖4 LP01-x/y、LP11a-x/y和LP11b-x/y光場傳輸圖 由于LP11b模場的垂直反對稱性，使得LP11b模之間的耦合變得不容易，故引入了一個基于垂直不對稱性的雙電平錐度模式旋轉器，如圖5（a）所示。利用這種雙層軸扭轉波導，可以有效地旋轉LP11模，這與扭轉波導類似。圖5（b）和（c）給出了入射LP11b模和LP01模的光場圖。 圖5 模式旋轉器。

Silicon-on-insulator上任意分束比的超寬帶片上功率分束器 10.2 基于一維光子晶體納米孔陣列的多波段全硅TM-pass起偏器 10.3 基于多模干涉的薄膜鈮酸鋰偏振旋轉分束器 11.案例實操 11.1 基于亞微米諧振器的超大自由光譜范圍的分插光學濾波器 11.2 利用逆向設計算法優化基于絕熱耦合器的超緊湊硅基模分（解）復用器 11.3 用于超寬帶高消光比偏振分束器的硅基多模反對稱切趾布拉格光柵

在四層對稱（0/90/90/0）層合板的分析中，單元計算的層間剪應力（τ_xz）與彈性力學解析解的誤差小于 4%，而基于一階剪切變形理論的殼單元誤差超過 20%。 復雜鋪層結構模擬 對于反對稱鋪層（如 0/90）或夾芯結構，單元能準確描述彎 - 拉耦合效應和界面應力連續性。

對稱 此模擬在 X 和 Z 維度上都具有對稱平面。為了將仿真時間和內存減少 4 倍，將 X min 邊界條件設置為對稱，將 Z min 邊界條件設置為反對稱。請注意，只有當粒子和源都具有必要的對稱性時，才能使用對稱性。 使用參數更新模型 對仿真文件進行參數化，以便更輕松地設置仿真。該模板目前使用球形粒子，但它可以與任意形狀的粒子或多個粒子一起使用。