展出范圍 半導體材料：硅片及硅基材料、硅晶圓、硅晶片、單晶硅、硅片、鍺硅材料、S01材料、太陽能電池用硅材料及化合物半導體材料、石英制品、石墨制品、防靜電材料、光刻膠及其配套試劑、晶圓膠帶、光掩膜版、電子氣體、特種化學氣體、CMP拋光材料、封裝基板、引線框架、鍵合絲、包封材料、陶瓷基板、封測材料等。

與此同時，新思科技在臺積公司 N5、 N3P 和 N2P 制程上取得多項首次硅片成功（first-silicon）里程碑，包括 PCIe 7.0、HBM4、224G、DDR5 MRDIMM Gen2、LPDDR6/5X/5、UCIe 64G 以及 M?PHY v6.0 IP，在性能、能效和可擴展性方面樹立了全新領先水準。

對于封蓋Lid和硅片Die直接使用線彈性本構模型即可。對于PCB和基板Substrate則需要考慮其各向異性的材料參數，如果需要更加準確地分析，還需要設置隨溫度變化的材料參數。焊球材料采用ANAND粘塑性本構模型來準確描述其在溫度循環過程中的率相關非彈性行為。

Nelson指出： “Wolfspeed的產品可以圍繞傳統硅片解決方案在大功率、高溫應用中運行。我們正在重新定義晶體管的功能。” 拜登對達勒姆的訪問證實，許多行業專家已經知道：Wolfspeed是推動汽車從內燃機向電動動力總成轉型的全球性重要力量。此外，2022《Motor Trend》年度汽車全電動車Lucid Air采用了Wolfspeed設計的牽引逆變器。

03/仿真結果對比 光源與成像效果：（硅片采樣像素數）時的優化后光源、焦面/離焦面成像，表明CS-SO可實現清晰成像。 M為硅片上隨機選擇的采樣像素的數量。

硅中介是一層薄硅片，作為多個裸片（芯片）的公共基板，通過微凸塊和垂直TSV實現芯片間的高密度互連。相比2D-IC，這種結構帶來了更好的散熱、更低的功耗、更高的集成密度和更優的電氣特性。

短波紅外：它不僅捕捉高溫熱輻射，更能利用物體對短波光的反射成像，并穿透玻璃、硅片，因此在工業精密檢測和無損探傷中無可替代。 中波紅外：憑借在大氣窗口中的優異傳輸性能和高靈敏度，它能在惡劣天氣下實現超遠距離的目標探測與識別，是高端安防和軍事領域的王者。 長波紅外：緊緊瞄準室溫物體的輻射峰值，使其成為日常生活中應用最廣泛的波段。

綠色層為硅片，棕色層為PCB板。PCB板與硅片之間采用球柵陣列（BGA）連接。透明框內為位于PCB板頂部的集成電路（EIC），EIC用作熱源以啟動PCB板的熱分析。在本例中，我們將EIC視為均勻熱源，用戶也可以加載EIC的功率分布圖以進行更復雜的熱分析。 本次熱仿真中，EIC加熱數據來自芯片熱模型（CTM），焦耳加熱數據則來自SIwave。

最后，在硅片上用三個PBSs分離TE0/TM0模式。PBS通過使用三個級聯定向耦合器來實現，第一個彎曲定向耦合器用于基于相位匹配條件分離TE/TM偏振，另外兩個定向耦合器充當濾除不期望的弱交叉耦合功率的關鍵角色，從而實現高消光比。

這一技術確保了硅片不同區域的光強均勻性，有效避免了因光強差異導致的圖形線寬波動。 4.偏振像差定義及表征 偏振光通過成像系統出瞳時，其相位、振幅和偏振態的變化稱為偏振像差。偏振像差可用瓊斯光瞳J2×2或穆勒光瞳M4×4表達。在二維矢量成像模型中，偏振光在入瞳和出瞳面上的偏振態分布分別用Eent和Eext表示。