封裝技術的案例
智芯文庫 | 晶圓級封裝技術
在焊球技術方面，將開發無Pb焊球技術和高Pb焊球技術。隨著IC晶元尺寸的不斷擴大和工藝技術的進步，IC廠商將研究與開發新一代晶元級封裝技術，這一代技術既能滿足φ300 mm晶元的需要，又能適應近期出現的銅布線技術和低介電常數層間介質技術的要求。
此外，還要求提高晶元級封裝處理電流的能力和承受溫度的能力。WLBI(晶元級測試和老化)技術也是需要研究的重要課題。WLBI技術是要在IC晶元上直接進行電氣測試和老化，這對晶元級封裝簡化工藝流程和降低生產成本都具有重要的意義。
結束語
晶元級封裝技術是低成本的批量生產芯片封裝技術。晶元級封裝與芯片的尺寸相同，是最小的微型表面貼裝器件。由于晶元級封裝的一系列優點，晶元級封裝技術在現代電子裝置小型化、低成本化需求的推動下，正在蓬勃向前發展。
當前，晶元級封裝技術通常適用于I／O數低的小尺寸芯片。業界還需要開發新的技術，降低生產成本，發展大尺寸芯片的晶元級封裝和精細節距焊球陣列晶元級封裝。
現代電子裝置選擇封裝類型時，既要滿足設計要求又要成本最低。現有水平的晶元級封裝還只是一種可供選擇的封裝類型。
要使晶元級封裝技術成為未來量大面廣的產品主流制造技術，還有許多工作要做。把半導體芯片和WLP封裝結合起來設計，對WLP器件的布局無疑會帶來好處，并可改善器件性能。在WLP中，由于晶元上的所有器件的封裝步驟都是同時進行的，成批加工可降低封裝成本。
附：Fan-in和Fan-out的區別
從技術特點上看，晶圓級封裝主要分為Fan-in和Fan-out兩種。
展開 盤點2020三維封裝技術創新發展！
如何把環環相扣的芯片技術鏈系統整合到一起，才是未來發展的重心。有了先進封裝技術，與芯片設計和制造緊密配合，半導體世界將會開創一片新天地。現在需要讓跑龍套三十年的封裝技術走到舞臺中央。
日前，廈門大學特聘教授、云天半導體創始人于大全博士在直播節目中指出，隨著摩爾定律發展趨緩，通過先進封裝技術來滿足系統微型化、多功能化成為集成電路產業發展的新的引擎。在人工智能、自動駕駛、5G網絡、物聯網等新興產業的加持下，使得三維（3D）集成先進封裝的需求越來越強烈，發展迅猛。
一、先進封裝發展背景
封裝技術伴隨集成電路發明應運而生，主要功能是完成電源分配、信號分配、散熱和保護。伴隨著芯片技術的發展，封裝技術不斷革新。封裝互連密度不斷提高，封裝厚度不斷減小，三維封裝、系統封裝手段不斷演進。隨著集成電路應用多元化，智能手機、物聯網、汽車電子、高性能計算、5G、人工智能等新興領域對先進封裝提出更高要求，封裝技術發展迅速，創新技術不斷出現。
于大全博士在分享中也指出，之前由于集成電路技術按照摩爾定律飛速發展，封裝技術跟隨發展。高性能芯片需要高性能封裝技術。進入2010年后，中道封裝技術出現，例如晶圓級封裝（WLP，Wafer Level Package）、硅通孔技術（TSV，Through Silicon Via）、2.5D Interposer、3DIC、Fan-Out 等技術的產業化，極大地提升了先進封裝技術水平。
當前，隨著摩爾定律趨緩，封裝技術重要性凸顯，成為電子產品小型化、多功能化、降低功耗，提高帶寬的重要手段。先進封裝向著系統集成、高速、高頻、三維方向發展。
展開 一文看懂13種“先進封裝”技術！
基于Z軸延伸的 先進封裝技術
基于Z軸延伸的先進封裝技術主要是通過TSV進行信號延伸和互連，TSV可分為2.5D TSV和3D TSV，通過TSV技術，可以將多個芯片進行垂直堆疊并互連。
在3D TSV技術中，芯片相互靠得很近，所以延遲會更少，此外互連長度的縮短，能減少相關寄生效應，使器件以更高的頻率運行，從而轉化為性能改進，并更大程度的降低成本。
TSV技術是三維封裝的關鍵技術，包括半導體集成制造商、集成電路制造代工廠、封裝代工廠、新興技術開發商、大學與研究所以及技術聯盟等研究機構都對 TSV 的工藝進行了多方面的研發。
此外，需要讀者注意，雖然基于Z軸延伸的先進封裝技術主要是通過TSV進行信號延伸和互連，但RDL同樣是不可或缺的，例如，如果上下層芯片的TSV無法對齊時，就需要通過RDL進行局部互連。
5．CoWoS
CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）是臺積電推出的 2.5D封裝技術，CoWoS是把芯片封裝到硅轉接板（中介層）上，并使用硅轉接板上的高密度布線進行互連，然后再安裝在封裝基板上，如下圖所示。
CoWoS和前面講到的InFO都來自臺積電，CoWoS有硅轉接板Silicon Interposer，InFO則沒有。CoWoS針對高端市場，連線數量和封裝尺寸都比較大。InFO針對性價比市場，封裝尺寸較小，連線數量也比較少。
臺積電2012年就開始量產CoWoS，通過該技術把多顆芯片封裝到一起，通過Silicon Interposer高密度互連，達到了封裝體積小，性能高、功耗低，引腳少的效果。
展開 三分鐘看懂半導體FOWLP封裝技術！
導語
根據市場調查公司的研究，到了2020年將會有超過5億顆的新一代處理器采用FOWLP封裝制程技術，并且在未來，每一部智能型手機內將會使用超過10顆以上采用FOWLP封裝制程技術生產的芯片。
在半導體產業里，每數年就會出現一次小型技術革命，每10~20年就會出現大結構轉變的技術革命。而今天，為半導體產業所帶來的革命，并非一定是將制程技術推向更細微化與再縮小裸晶尺寸的技術，還可能是在封裝技術的變革。
從2016年開始，全球的半導體技術論壇、各研討會幾乎都脫離不了討論FOWLP (Fan Out Wafer Level Package，扇出型封裝)這項議題。 FOWLP為整個半導體產業帶來如此大的沖擊性，莫過于扭轉了未來在封裝產業上的結構，影響了整個封裝產業的制程、設備與相關的材料，也將過去前后段鮮明區別的制程融合在一起。
FOWLP ，其采取拉線出來的方式，成本相對便宜；FOWLP可以讓多種不同裸晶，做成像WLP制程一般埋進去，等于減一層封裝，假設放置多顆裸晶，等于省了多層封裝，有助于降低客戶成本。
它和WLP的Fan In有著明顯差異性，最大的特點是在相同的芯片尺寸下，可以做到范圍更廣的重分布層(Redistribution Layer)。基于這樣的變化，芯片的腳數也就將會變得更多，使得未來在采用這樣技術下所生產的芯片，其功能性將會更加強大， 并且將更多的功能整合到單芯片之中，同時也達到了無載板封裝、薄型化以及低成本化等的優點。
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干貨 | 一文讀懂 Intel 先進封裝技術
我們一直會在該領域進行積極的研究和開發，重要的是不論是任何類型的封裝技術，都試圖在空間中推動特征尺寸提升。具體以晶圓或面板的方式來做，我認為市場會為我們做出決定。
Suny Li ~9
摩爾定律逐漸式微，當前SiP封裝技術被作為半導體封裝的新突破，服務器中的CPU和FPGA也需要高端SiP，請問英特爾怎么看待SiP封裝技術？是否會在SiP這塊進行布局？
此外，Intel 的 EMIB、CO-EMIB和 Foveros 技術可以看作系統級封裝技術嗎？
Johanna Swan ~9
我認為SiP系統級封裝肯定會繼續。SiP技術包括我前面提到的2D、2.5D和3D架構。有時人們認為系統級封裝是3D異構集成的一部分，實際上，它不僅僅如此，系統級封裝更強調系統的有效性。
EMIB、CO-EMIB和 Foveros 技術都有助于構成系統級封裝的一部分，系統級封裝更強調系統在封裝內的實現，我們做居里模塊 (Curie modules) 的時候就在封裝內實現了系統。
SiP系統級封裝可以包括許多不同的東西，并完成系統的功能。很明顯，2D、2.5D 和 3D 都是可以成為系統級封裝的實現方式。
Suny Li ~10
在先進封裝的布局方面，晶圓代工廠、IDM、Fabless公司、EDA工具廠商等都加入了其中。這些不同類型的企業對“先進封裝”的理解，是否會存在較大差異？先進封裝與傳統封裝之間有無明確分界點？
Johanna Swan ~10
從傳統封裝到先進封裝，這是一個連續體還是有一個明確的界限？
展開 一文讀懂 Intel 先進封裝技術
Intel 多年來一直積極參與Fan-Out封裝計劃，我們將繼續評估需求數量是否會促使我們考慮FOPLP型封裝。
Intel 目前
已經具備了這種能力，主要看
市場條件是否希望我們從晶圓轉向面板，
這是我們必須回答的問題，
我相信此類問題會繼續出現。
我們一直會在該領域進行積極的研究和開發，
重要的是不論是任何類型的封裝技術，都試圖在空間中推動特征尺寸提升。具體
以晶圓或面板的方式來做，
我認為市場會為我們做出決定。
Suny Li ~9
摩爾定律逐漸式微，當前SiP封裝技術被作為半導體封裝的新突破，服務器中的CPU和FPGA也需要高端SiP，請問英特爾怎么看待SiP封裝技術？是否會在SiP這塊進行布局？
此外，Intel 的 EMIB、CO-EMIB和 Foveros 技術可以看作系統級封裝技術嗎？
Johanna Swan ~9
我認為SiP系統級封裝肯定會繼續。SiP技術包括我前面提到的2D、2.5D和3D架構。有時人們認為系統級封裝是3D異構集成的一部分，實際上，它不僅僅如此，系統級封裝更強調系統的有效性。
EMIB、CO-EMIB和 Foveros 技術都有助于構成系統級封裝的一部分，系統級封裝更強調系統在封裝內的實現，我們做居里模塊 (Curie modules) 的時候就在封裝內實現了系統。
SiP系統級封裝可以包括許多不同的東西，并完成系統的功能。很明顯，2D、2.5D 和 3D 都是可以成為系統級封裝的實現方式。
展開 后摩爾時代看先進封裝技術如何突破摩爾定律的限制？
先進封裝技術主要包括倒裝芯片封裝(FC)、扇出型封裝(Fan-out)、晶圓級封裝(WLP)、系統級封裝(SiP) 和三維(3D)封裝等非焊線形式，在提升芯片性能方面展現巨大優勢，是延續摩爾定律的重要技術發展方向。
以SIP系統級封裝為例，其是由多個chiplet模塊拼接而成，這樣不僅令以往不可分割的SoC芯片具有更大的靈活性，而且也能提高該SIP封裝芯片的良率，最后可以實現異質異構。
除了chiplet技術以外，3D晶圓級封裝也是近年來產業界先進封裝技術的發展方向。3D晶圓級封裝是指在不改變封裝體尺寸的前提下，在同一個封裝體內于垂直方向疊放兩個以上芯片的封裝技術，相較于傳統的2D電路的平面集成方式，它的集成度要更高，同等空間內可以集成更多芯片。
先進封裝已經朝著精細化的方向發展，雖然其并沒有以往晶圓級別的密度，但是不同chiplet模塊之間的封裝是需要面對諸如密封，散熱，絕緣等挑戰，而且也需要更精密的光刻設備與相關的光刻膠材料。
目前高密度扇出型封裝技術正在尋求突破1μm線寬/間距（line/space）限制，擁有這些關鍵尺寸（critical dimension，CD），扇出型技術將提供更好的性能，但是要達到并突破1μm的壁壘，還面臨著制造和成本的挑戰。
重布線層（Redistribution Layer，RDL）是扇出型封裝的關鍵部分。RDL是在晶圓表面沉積金屬層和介質層并形成相應的金屬布線圖形，來對芯片的I/O端口進行重新布局，將其布置到新的、節距占位可更為寬松的區域。RDL采用線寬（line）和間距（space）來度量，線寬和間距分別是指金屬布線的寬度和它們之間的距離。
扇出型技術可分成兩類：低密度和高密度。低密度扇出型封裝由大于8μm的line/space（8-8μm）的RDL組成。
展開 微電子封裝技術(SMT)發展現有形式
裸芯片技術主要形式
裸芯片技術有兩種主要形式：一種是COB技術，另一種是倒裝片技術(Flip chip)。
COB技術：
用COB技術封裝的裸芯片是芯片主體和I/O端子在晶體上方，在焊接時將此裸芯片用導電/導熱膠粘接在PCB上，凝固后，用Bonder機將金屬絲(Al或Au)在超聲、熱壓的作用下，分別連接在芯片的I/O端子焊區和PCB相對應的焊盤上，測試合格后，再封上樹脂膠。
與其它封裝技術相比，COB技術有以下優點：價格低廉；節約空間；工藝成熟。COB技術也存在不足，即需要另配焊接機及封裝機，有時速度跟不上；PCB貼片對環境要求更為嚴格；無法維修等。
Flipchip技術：
Flip chip，又稱為倒裝片，與COB相比，芯片結構和I/O端(錫球)方向朝下，由于I/O引出端分布于整個芯片表面，故在封裝密度和處理速度上Flipchip已達到頂峰，特別是它可以采用類似SMT技術的手段來加工，故是芯片封裝技術及高密度安裝的最終方向。90年代，該技術已在多種行業的電子產品中加以推廣，特別是用于便攜式的通信設備中。
裸芯片技術是當今最先進的微電子封裝技術。隨著電子產品體積的進一步縮小，裸芯片的應用將會越來越廣泛。
文章來源于：tiankezhineng
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展開 9種常見的元器件封裝技術，你知道幾個？
（BGA封裝）
采用BGA技術封裝的內存，可以使內存在體積不變的情況下內存容量提高兩到三倍，BGA與TSOP相比，具有更小的體積，更好的散熱性和電性能。BGA封裝技術使每平方英寸的存儲量有了很大提升，采用BGA封裝技術的內存產品在相同容量下，體積只有TSOP封裝的三分之一。另外，與傳統TSOP封裝方式相比，BGA封裝方式有更加快速和有效的散熱途徑。
BGA封裝的I/O端子以圓形或柱狀焊點按陣列形式分布在封裝下面，BGA技術的優點是I/O引腳數雖然增加了，但引腳間距并沒有減小反而增加了，從而提高了組裝成品率。雖然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，從而可以改善它的電熱性能。厚度和重量都較以前的封裝技術有所減少；寄生參數減小，信號傳輸延遲小，使用頻率大大提高；組裝可用共面焊接，可靠性高。
8、TinyBGA封裝
說到BGA封裝，就不能不提Kingmax公司的專利TinyBGA技術。TinyBGA英文全稱為“Tiny Ball Grid”，屬于是BGA封裝技術的一個分支，是Kingmax公司于1998年8月開發成功的。其芯片面積與封裝面積之比不小于1:1.14，可以使內存在體積不變的情況下內存容量提高2～3倍。與TSOP封裝產品相比，其具有更小的體積、更好的散熱性能和電性能。
采用TinyBGA封裝技術的內存產品，在相同容量情況下體積，只有TSOP封裝的1/3。
展開 官媒正式發聲：中國用芯片封裝技術繞過美禁令
一、芯片封裝的反擊
芯片是一個復雜的集成電路元器件，一顆指甲蓋大小的芯片，采用了高端先進的5nm，4nm制程技術可以，可以容納上百根晶體管。晶體管越多，計算能力越強，也意味著更強大的性能水準。在傳統的芯片制造產業中，提升芯片性能的方式有很多。要么是從供應鏈入手，由ASML提供更好的光刻機設備產品，要么是從芯片制造商作為切入點，提高芯片制程。
不過這些方法都離不開多方的協同配合，即便芯片制造商解決了制程問題，探索出更先進的芯片制造技術，如果沒有半導體設備，材料供應商的配合，也很難完成芯片生產，更別說提高芯片性能了。
但眼下國產芯片需要解決的不僅僅是提升芯片性能問題，還得確保芯片產業的可持續進步。從國產化28nm到14nm，甚至更先進的制程技術，都有待長期探索。只是美國制定了芯片規則，在獲取一些頂級的EUV光刻機設備方面有一定的變數。
所以該如何讓芯片在沒有EUV光刻機的參與下，還能取得更大的性能突破嗎？有官媒正式發聲，指出芯片封裝技術可以繞過美禁令。
按此所說，封裝技術會作為芯片反擊的方式，那么什么是芯片封裝技術呢？芯片封裝是芯片制造的后端產業，一顆芯片會經過設計，制造以及封裝等環節。而封裝環節需要將制造好的芯片用特殊的封裝技術，固定在集成電路芯片所用的外殼，讓芯片能夠和其它電子元器件連接。傳統的封裝工藝主要采用2D封裝，但隨著芯片制造技術的加強，也漸漸發展到2.5D以及3D封裝。
在這些封裝技術中，根據客戶的需求，掌握封裝能力的廠商，會采用不同的封裝工藝。比如臺積電為蘋果封裝M1 Ultra時，采用的封裝工藝就是InFO-LSI。在InFO-LSI封裝工藝的支持下，將兩顆M1 MAX連接在一起，變成性能更強大的M1 Ultra。
所以這里又涉及到新的封裝概念，也就是芯片堆疊。
展開 ANSYS定制工具套件解決方案助力ASE集團大幅推進半導體封裝技術研發
新一代工作流程不僅可顯著提高建模精準度，而且還可將研發時間縮短30%
2019年10月23日，匹茲堡訊 – 在ANSYS（NASDAQ：ANSS）的幫助下，ASE集團（ASE）工程師顯著提高了集成電路（IC）半導體封裝技術并大幅縮短了研發進程，從而可創建業界一流的芯片。利用ANSYS定制工具套件（ACT）解決方案，工程師能創建更精確的模型，能提高結構可靠性，并能加速設計進程，從而可縮短產品到達客戶手中的時間。
隨著IC制造工藝復雜程度的不斷提升，企業已將重點轉向產品設計，減少了專門用于仿真的研發時間。因此，工程師無從了解可靠性問題，這不僅不能創建理想的設計，而且產品可靠性還將受到影響，也可能需要大量的重復設計開支。為提高IC封裝技術，加速研發進程，工程師必須快速創建涵蓋無數場景的模型，才能發現設計問題，提高產品性能。
在充分利用廣泛的工藝經驗及最佳實踐基礎上，ASE開發了一款ANSYS ACT工作流程。這款優化的子建模自動解決方案不僅可提高IC封裝技術，而且還可加速研發進程。ASE的ANSYS ACT擴展方案可將復雜的手動分析轉化為自動搜索進程，識別開裂和界面層離等關鍵可靠性問題，從而顯著減少人為錯誤。這可幫助ASE工程師快速創建高精度模型，迅速確定最理想的解決方案，識別有問題的部件，并將整體研發時間縮短30%。
ASE集團負責企業研發的副總裁C.P. Hung表示： “ASE始終致力于構建完整的解決方案，發展IC封裝技術，強化設計與高產能制造。我們很高興能與ANSYS長期合作。通過ACT開發的自動分析技術是發展未來智能分析與設計、識別開裂和界面層離等潛在關鍵區域從復雜的人工逆向分析自動搜索進程轉變的第一步。ACT不僅將為市場帶來更多推出高級封裝技術和系統級設計的商機，而且還將加速客戶產品的發布。”
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智芯文庫 | 一文讀懂 Intel 先進封裝技術
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Johanna Swan
我認為SiP系統級封裝肯定會繼續。SiP技術包括我前面提到的2D、2.5D和3D架構。有時人們認為系統級封裝是3D異構集成的一部分，實際上，它不僅僅如此，系統級封裝更強調系統的有效性。
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展開 英特爾晶元代工廠Chiplet和3D封裝技術揭秘
他說，四大技術核心是計算、連接、基礎設施和人工智能，所有這些都相互促進。
“我擁有的計算能力越多，我能做的事情就越多，”Gelsinger 說。“我擁有的基礎設施越多，我可以存儲的數據就越多，我擁有的數據越多，我可以進行的學習和訓練就越多。互相加強對方。那就是加快步伐。我們看到我們所擁有的的核心技術越來越多地讓我們在我們所做工作的各個方面從物理世界連接到數字世界。在技術驅動的所有數字化事物之下，依靠的是半導體。我們所處的時代，越來越多的半導體被代工商業模式所支持。”
然而，晶圓代工的想法正在讓位于系統代工，機架成為系統，系統成為多個裸片和小芯片的封裝。2.5 和 3D 小芯片封裝需要更多類型的技術，小芯片和其他 IP 在封裝上結合在一起，以幫助在系統代工廠中創建下一代設計，這就是 Gelsinger 所說的英特爾的目標——圍繞這些技術推動生態系統新技術使設計師能夠進行大規模創新。
毫不奇怪，英特爾的 CEO 認為摩爾定律（許多行業觀察家認為該定律正在放緩）是這一切的基礎。Gelsinger 表示，目前芯片封裝上有 1000 億個晶體管，到本世紀末將增長到 1 萬億個。他指出，英特爾去年推出的RibbonFET 晶體管結構和 Power VIA電源傳輸系統等技術，以及使用High NA EUV 光刻和 2.5 和 3D 封裝等技術為實現 1 萬億晶體管開辟了道路。
其他封裝技術，如嵌入式多芯片互連橋 (EBIM) 有助于將更多組件連接在一起，以及用于邏輯堆疊的 Foveros 將使英特爾能夠將更多功能帶入設計密集的封裝中。像“Meteor Lake”這樣的新芯片——將于明年推出——之后“Arrow Lake”將利用這些芯技術。
展開 2024電子封裝測試展|2024上海電子封裝測試展_技術_材料_展
</div><div contenteditable="false" width="100%">參展范圍</div><div contenteditable="false" width="100%">一、電子金屬封裝、電子陶瓷封裝、電子塑料封裝、電子環氧樹脂材料封裝、封裝材料與工藝、電子封裝設備及先進制造技術、電子封裝測試技術設備、電子燒結相關產品與技術等;</div><div contenteditable="false" width="100%">二、先進封裝與系統集成: 球柵陣列封裝、芯片級封裝、倒裝芯片、晶圓級封裝、三維集成及其它各種先進的封裝和系統集成技術等;</div><div contenteditable="false" width="100%">三、封裝材料與工藝: 鍵和絲、焊球、焊膏、導電膠等互連材料;芯片下填料、粘結劑、薄膜材料、介電材料、基板材料、框架材料、導熱材料、綠色電子材料以及其他能夠高封裝性能和降低成本的新型材料;</div><div contenteditable="false" width="100%">以及各種各樣的封裝與組裝工藝等；</div><div contenteditable="false" width="100%">四、封裝設計與模擬: 各種新的封裝/組裝設計；電子封裝的電、熱、光和機械特性建模、模擬和驗證方法;多尺度和多物理量建模等;</div><div contenteditable="false" width="100%">五、新興領域封裝: 傳感器、執行器、微機電系統、納機電系統、微光機電系統的封裝技術;光電子封裝，CMOS圖像傳感器封裝;封裝及集成技術在液晶顯示，無源元件，射頻、功率和高壓器件，及納米器件等新興領域的應用等；</div><div contenteditable="false" width="100%"
展開 2024電子封裝測試展|2024上海電子封裝測試展_技術_材料
</div><div contenteditable="false" width="100%">參展范圍</div><div contenteditable="false" width="100%">一、電子金屬封裝、電子陶瓷封裝、電子塑料封裝、電子環氧樹脂材料封裝、封裝材料與工藝、電子封裝設備及先進制造技術、電子封裝測試技術設備、電子燒結相關產品與技術等;</div><div contenteditable="false" width="100%">二、先進封裝與系統集成: 球柵陣列封裝、芯片級封裝、倒裝芯片、晶圓級封裝、三維集成及其它各種先進的封裝和系統集成技術等;</div><div contenteditable="false" width="100%">三、封裝材料與工藝: 鍵和絲、焊球、焊膏、導電膠等互連材料;芯片下填料、粘結劑、薄膜材料、介電材料、基板材料、框架材料、導熱材料、綠色電子材料以及其他能夠高封裝性能和降低成本的新型材料;</div><div contenteditable="false" width="100%">以及各種各樣的封裝與組裝工藝等；</div><div contenteditable="false" width="100%">四、封裝設計與模擬: 各種新的封裝/組裝設計；電子封裝的電、熱、光和機械特性建模、模擬和驗證方法;多尺度和多物理量建模等;</div><div contenteditable="false" width="100%">五、新興領域封裝: 傳感器、執行器、微機電系統、納機電系統、微光機電系統的封裝技術;光電子封裝，CMOS圖像傳感器封裝;封裝及集成技術在液晶顯示，無源元件，射頻、功率和高壓器件，及納米器件等新興領域的應用等；</div><div contenteditable="false" width="100%"
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