封裝的案例
2024電子封裝測試展|2024上海電子封裝測試展|基板|元件
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參展范圍
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一、電子金屬封裝、電子陶瓷封裝、電子塑料封裝、電子環氧樹脂材料封裝、封裝材料與工藝、電子封裝設備及先進制造技術、電子封裝測試技術設備、電子燒結相關產品與技術等;
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二、先進封裝與系統集成: 球柵陣列封裝、芯片級封裝、倒裝芯片、晶圓級封裝、三維集成及其它各種先進的封裝和系統集成技術等;
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三、封裝材料與工藝: 鍵和絲、焊球、焊膏、導電膠等互連材料;芯片下填料、粘結劑、薄膜材料、介電材料、基板材料、框架材料、導熱材料、綠色電子材料以及其他能夠高封裝性能和降低成本的新型材料;
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以及各種各樣的封裝與組裝工藝等；
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四、封裝設計與模擬: 各種新的封裝/組裝設計；電子封裝的電、熱、光和機械特性建模、模擬和驗證方法;多尺度和多物理量建模等;
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五、新興領域封裝: 傳感器、執行器、微機電系統、納機電系統、微光機電系統的封裝技術;光電子封裝，CMOS圖像傳感器封裝;封裝及集成技術在液晶顯示，無源元件，射頻、功率和高壓器件，及納米器件等新興領域的應用等；
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展開 一文看懂COB封裝和SMD封裝區別
COB封裝和SMD封裝對比表：
2024電子封裝測試展|2024shanghai電子封裝測試展
</div><div contenteditable="false" width="100%">參展范圍</div><div contenteditable="false" width="100%">一、電子金屬封裝、電子陶瓷封裝、電子塑料封裝、電子環氧樹脂材料封裝、封裝材料與工藝、電子封裝設備及先進制造技術、電子封裝測試技術設備、電子燒結相關產品與技術等;</div><div contenteditable="false" width="100%">二、先進封裝與系統集成: 球柵陣列封裝、芯片級封裝、倒裝芯片、晶圓級封裝、三維集成及其它各種先進的封裝和系統集成技術等;</div><div contenteditable="false" width="100%">三、封裝材料與工藝: 鍵和絲、焊球、焊膏、導電膠等互連材料;芯片下填料、粘結劑、薄膜材料、介電材料、基板材料、框架材料、導熱材料、綠色電子材料以及其他能夠高封裝性能和降低成本的新型材料;</div><div contenteditable="false" width="100%">以及各種各樣的封裝與組裝工藝等；</div><div contenteditable="false" width="100%">四、封裝設計與模擬: 各種新的封裝/組裝設計；電子封裝的電、熱、光和機械特性建模、模擬和驗證方法;多尺度和多物理量建模等;</div><div contenteditable="false" width="100%">五、新興領域封裝: 傳感器、執行器、微機電系統、納機電系統、微光機電系統的封裝技術;光電子封裝，CMOS圖像傳感器封裝;封裝及集成技術在液晶顯示，無源元件，射頻、功率和高壓器件，及納米器件等新興領域的應用等；</div><div contenteditable="false" width="100%"
展開 2024電子封裝測試展|2024上海電子封裝測試展_技術_材料
</div><div contenteditable="false" width="100%">參展范圍</div><div contenteditable="false" width="100%">一、電子金屬封裝、電子陶瓷封裝、電子塑料封裝、電子環氧樹脂材料封裝、封裝材料與工藝、電子封裝設備及先進制造技術、電子封裝測試技術設備、電子燒結相關產品與技術等;</div><div contenteditable="false" width="100%">二、先進封裝與系統集成: 球柵陣列封裝、芯片級封裝、倒裝芯片、晶圓級封裝、三維集成及其它各種先進的封裝和系統集成技術等;</div><div contenteditable="false" width="100%">三、封裝材料與工藝: 鍵和絲、焊球、焊膏、導電膠等互連材料;芯片下填料、粘結劑、薄膜材料、介電材料、基板材料、框架材料、導熱材料、綠色電子材料以及其他能夠高封裝性能和降低成本的新型材料;</div><div contenteditable="false" width="100%">以及各種各樣的封裝與組裝工藝等；</div><div contenteditable="false" width="100%">四、封裝設計與模擬: 各種新的封裝/組裝設計；電子封裝的電、熱、光和機械特性建模、模擬和驗證方法;多尺度和多物理量建模等;</div><div contenteditable="false" width="100%">五、新興領域封裝: 傳感器、執行器、微機電系統、納機電系統、微光機電系統的封裝技術;光電子封裝，CMOS圖像傳感器封裝;封裝及集成技術在液晶顯示，無源元件，射頻、功率和高壓器件，及納米器件等新興領域的應用等；</div><div contenteditable="false" width="100%"
展開 
2024電子封裝測試展|2024上海電子封裝測試展_技術_材料_展
</div><div contenteditable="false" width="100%">參展范圍</div><div contenteditable="false" width="100%">一、電子金屬封裝、電子陶瓷封裝、電子塑料封裝、電子環氧樹脂材料封裝、封裝材料與工藝、電子封裝設備及先進制造技術、電子封裝測試技術設備、電子燒結相關產品與技術等;</div><div contenteditable="false" width="100%">二、先進封裝與系統集成: 球柵陣列封裝、芯片級封裝、倒裝芯片、晶圓級封裝、三維集成及其它各種先進的封裝和系統集成技術等;</div><div contenteditable="false" width="100%">三、封裝材料與工藝: 鍵和絲、焊球、焊膏、導電膠等互連材料;芯片下填料、粘結劑、薄膜材料、介電材料、基板材料、框架材料、導熱材料、綠色電子材料以及其他能夠高封裝性能和降低成本的新型材料;</div><div contenteditable="false" width="100%">以及各種各樣的封裝與組裝工藝等；</div><div contenteditable="false" width="100%">四、封裝設計與模擬: 各種新的封裝/組裝設計；電子封裝的電、熱、光和機械特性建模、模擬和驗證方法;多尺度和多物理量建模等;</div><div contenteditable="false" width="100%">五、新興領域封裝: 傳感器、執行器、微機電系統、納機電系統、微光機電系統的封裝技術;光電子封裝，CMOS圖像傳感器封裝;封裝及集成技術在液晶顯示，無源元件，射頻、功率和高壓器件，及納米器件等新興領域的應用等；</div><div contenteditable="false" width="100%"
展開 降低IC封裝熱阻的封裝設計方法
圖1 電子產品及IC尺寸演進
圖2 Intel CPU發熱功率趨勢
封裝發展的趨勢從早期PCB穿孔的安裝方式到目前以表面粘著的形式，PCB上可以安裝更多更密的IC，使得組裝的密度增高，散熱的問題也更為嚴重。針對于IC封裝層級的散熱問題，最基本的方式就是從組件本身的構造來做散熱增強的設計。而采用多層板的設計等方式，對PCB層級的散熱也有明顯的幫助，而當發熱密度更大時，則需要近一步的系統層級的散熱設計如散熱片或風扇的安裝等，才能解決散熱問題。就成本的角度來看，各層級所需的費用是遞增的，因此IC封裝層級的散熱問題就特別重要了。
IC封裝的型式很多，如<圖1>所示，包括了以導線腳或是以錫球連接于印刷電路板上的方式，以導線腳連接的方式像是TSOP、QFP、LCC等封裝，是由金屬導線架支撐封裝結構，借著兩面或四邊的接腳和PCB連接。而以球狀格子數組形式如BGA的封裝方式，是藉由封裝下方的錫球將和PCB連接。以覆晶方式的封裝則是由錫球及底層填充材料（underfill）將芯片以裸晶的方式安裝于基板(substrate)(如Flip Chip BGA (FCBGA)封裝)或直接承載于PCB上(稱為Flip-Chip on board (FCOB) 或 Direct Chip Attach (DCA))。
IC封裝熱傳基本特性
評估IC封裝之散熱性能可以下式表示為：
其中RJA 稱為由芯片接點到環境之熱阻，TJ為接點溫度，TA為環境溫度，Pd為消耗電力。上述RJA之定義代表芯片的散熱性能，較低的值表示較好的散熱效果。
展開 一文看懂封裝基板
封裝基板和封裝分級
從硅圓片制作開始，微電子封裝可分為0、1、2、3四個等級，涉及上述六個層次，封裝基板（PKG基板或Substrate）技術現涉及1、2、3三個等級和2～5的四個層次。
封裝基板主要研究前3個級別的半導體封裝（1、2、3級封裝），0級封裝暫與封裝基板無關，因此封裝基板一般是指用于1級2級封裝的基板材料，母板（或載板）、剛撓結合板等用于三級封裝。
封裝基板和三級封裝
零級封裝
裸芯片電極的制作、引線的連接等均在硅片之上完成，暫與基板無關。
一級封裝
一級封裝經0級封裝的單芯片或多芯片在封裝基板（普通基板、多層基板、HDI基板）上的封裝，構成集成電路模塊（或元件）。即芯片在各類基板（或中介板）上的裝載方式。
二級封裝
二級封裝集成電路（IC元件或IC塊）片在封裝基板（普通基板、多層基板、HDI基板）上的封裝，構成板或卡。即各種實裝方式（二級封裝或一級加二級封裝）。后續談到的的DIP、PGA屬于DIP封型，GFP、BGA、CSP等屬于SMT實裝型，這些都屬于二級封裝。
三級封裝
三級封裝包含4、5、6三個層次。
展開 功率器件封裝結構熱設計綜述
華北電力大學新能源電力系統國家重點實驗室
原位 | DOI：10.13334/j.0258-8013.pcsee.230136
摘要：半導體技術的進步使得芯片的尺寸得以不斷縮小，倒逼著封裝技術的發展和進步，也由此產生了各種各樣的封裝 形式。當前功率器件的設計和發展具有低電感、高散熱和高絕緣能力的屬性特征，器件封裝上呈現出模塊化、多功能化 和體積緊湊化的發展趨勢。為實現封裝器件低電感設計，器件封裝結構更加緊湊，而芯片電壓等級和封裝模塊的功率密度持續提高，給封裝絕緣和器件散熱帶來挑戰。在有限的封 裝空間內，如何把芯片的耗散熱及時高效的釋放到外界環境中以降低芯片結溫及器件內部各封裝材料的工作溫度，已成 為當前功率器件封裝設計階段需要考慮的重要問題之一。本文聚焦于功率器件封裝結構的散熱方面，針對功率半導體器件在散熱路徑方面的結構設計進行歸納總結。通過對國內外 功率器件封裝結構設計的綜述，梳理了功率器件封裝結構設計過程中在散熱方面的考慮及封裝散熱特點，并根據功率器 件散熱特點對功率器件封裝結構類型進行了分類。最后，基于降低封裝結構散熱熱阻、提高器件散熱能力的目的，從高導熱封裝材料和連接工藝、芯片面接觸連接、增加散熱路徑 以及縮短散熱路程四個方面對功率器件封裝結構設計在散熱方面未來的發展趨勢進行了展望。
展開 智芯文庫 | 晶圓級封裝技術
它具有許多獨特的優點：①封裝加工效率高，它以晶元形式的批量生產工藝進行制造；②具有倒裝芯片封裝的優點，即輕、薄、短、??；③晶元級封裝生產設施費用低，可充分利用晶元的制造設備，無須投資另建封裝生產線；④晶元級封裝的芯片設計和封裝設計可以統一考慮、同時進行，這將提高設計效率，減少設計費用；⑤晶元級封裝從芯片制造、封裝到產品發往用戶的整個過程中，中間環節大大減少，周期縮短很多，這必將導致成本的降低；⑥晶元級封裝的成本與每個晶元上的芯片數量密切相關，晶元上的芯片數越多，晶元級封裝的成本也越低。晶元級封裝是尺寸最小的低成本封裝。晶元級封裝技術是真正意義上的批量生產芯片封裝技術。
WLP的優勢在于它是一種適用于更小型集成電路的芯片級封裝(CSP)技術，由于在晶元級采用并行封裝和電子測試技術，在提高產量的同時顯著減少芯片面積。由于在晶元級采用并行操作進行芯片連接，因此可以大大降低每個I／O的成本。
此外，采用簡化的晶元級測試程序將會進一步降低成本。利用晶元級封裝可以在晶元級實現芯片的封裝與測試。
8 晶元級封裝技術的發展趨勢
晶元級封裝技術要努力降低成本，不斷提高可靠性水平，擴大在大型IC方面的應用。在焊球技術方面，將開發無Pb焊球技術和高Pb焊球技術。隨著IC晶元尺寸的不斷擴大和工藝技術的進步，IC廠商將研究與開發新一代晶元級封裝技術，這一代技術既能滿足φ300 mm晶元的需要，又能適應近期出現的銅布線技術和低介電常數層間介質技術的要求。
此外，還要求提高晶元級封裝處理電流的能力和承受溫度的能力。WLBI(晶元級測試和老化)技術也是需要研究的重要課題。
展開 從DIP談起，半導體封裝歷史回顧
封裝曾經是半導體制造過程中的事后考慮。你制作了一小塊芯片，然后你把它連接起來，繼續你的快樂之路。但隨著摩爾定律的延伸，工程師們意識到他們可以利用包括封裝在內的芯片的所有部分來制造最好的產品。改進封裝會給您帶來顯著的好處，因為有更厚的金屬片以獲得更好的導電性，而 I/O（輸入/輸出）問題仍然是半導體面臨的最大問題之一。
更令人驚奇的是，過去沒有一家封裝公司被認為像傳統的前端制造工藝那樣重要。封裝供應鏈通常被認為是“后端”，并被視為成本中心，類似于銀行的前臺和后臺。但現在隨著前端努力擴展其邊界，一個全新的焦點領域出現了，這就是對封裝的重視。我們將討論各種工藝，這樣您在研究這部分半導體封裝并了解 2.5D 或 3D 封裝意味著什么時，就不會再感到迷茫了。
回顧封裝過去幾十年的發展，其簡化的演變是 DIP> QFP > BGA > POP/SiP > WLP.
顯然有很多不同的封裝技術，但我們將討論廣泛代表每種類型的簡單化技術，然后慢慢將其帶到現在。我也非常喜歡下面的高級概述（它已經過時但仍然正確）。
在封裝的最初階段，物品通常裝在陶瓷或金屬罐中，并密封（氣密）以獲得最大可能的可靠性。這主要適用于需要最高可靠性的航空航天和軍事功能。然而，這對于我們大多數日常用例來說并不可行，因此我們開始使用塑料封裝和 雙列直插式封裝(DIP)。
展開 干貨 | SIP封裝工藝流程
摘要：
系統級封裝（SIP）技術從20世紀90年代初提出到現在，經過十幾年的發展，已經能被學術界和工業界廣泛接受，成為電子技術研究新熱點和技術應用的主要方向之一，并認為他代表了今后電子技術發展的方向，SIP封裝工藝作為SIP封裝技術的重要組成部分，這些年來在不斷的創新中得到了長足發展，逐漸形成了自己的技術體系，值得從事相關技術行業的技術人員和學者進行研究和學習，文章從封裝工藝角度出發，對SIP封裝制造進行了詳細的介紹，另外也對其工藝要點進行了詳細的探討。
一、前言：
系統級封裝（system in package，SIP）是指將不同種類的元件，通過不同種技術，混載于同一封裝體內，由此構成系統集成封裝形式。該定義是通過不斷演變、逐漸形成的。開始是單芯片封裝體中加入無源元件（此時封裝形式多為QFP、SOP等），再到單個封裝體中加入多個芯片。疊層芯片以及無源器件，最后發展到一個封裝構成一個系統（此時的封裝形式多為BGA、CSP）。SIP是MCP進一步發展的產物，二者的區別在于：SIP中可搭載不同類型的芯片，芯片之間可以進行信號取放和交換，從而以一個系統的規模而具備某種功能；MCP中疊層的多個芯片一般為同一種類型，以芯片之間不能進行信號存取和交換的存儲器為主，從整體上來說為一多芯片存儲器。
二、SIP封裝綜述：
實現電子整機系統的功能通常有兩個途徑：一種是系統級芯片，減成SOC，即在單一的芯片上實現電子整機系統的功能；另一種是系統級封裝，減成SIP，即通過封裝來實現整機系統的功能。
展開 
重申先進封裝的“三個新特點”
關 鍵 字
芯片保護，尺度放大，電氣連接；提升功能密度，縮短互聯長度，進行系統重構；提升系統性能，降低整體功耗
引 子
首先，先進封裝是一個相對的概念，今天的先進封裝在未來可能成為傳統封裝。
今天，先進封裝通常是指Fan-In，Fan-Out，2.5D，3D 四大類封裝形式，展開以后種類就比較多了，大約有幾十種，可分為基于XY平面延伸的先進封裝技術和基于Z軸延伸的先進封裝技術，詳細可參看：“先進封裝”一文打盡
在前面的文章中，我們提到了SiP的三個新特點，因為先進封裝和SiP的高度重合性，這篇文章里，我們從先進封裝的角度重新解讀一下這具有重大意義的“三個新特點”。
傳 統 封 裝
1947年，隨著晶體管的發明，人類迎接信息時代的到來，電子封裝也同時出現了，在主角耀眼的光環下，配角只能默然無聲。
晶體管的發明舉世矚目，并于9年后獲得1956年諾貝爾物理學獎，而電子封裝是誰發明的至今都難以追溯！
傳統封裝的功能主要有三點：芯片保護、尺度放大、電氣連接，并且在長達70多年的時間里始終充當配角，默默地為芯片服務。
芯片保護
Chip protection
因為芯片本身比較脆弱，沒有封裝的保護，很容易損壞，連細小的灰塵和水汽都會破壞它們的功能，因此需要封裝進行保護。
尺度放大 Scale Expansion
因為芯片本身都很小，其內部的連接更加微小，通過封裝后進行尺度放大，便于后續PCB板級系統使用。
展開 堆疊封裝的三種主要類型
堆疊封裝可以在更小的空間內提供更多的功能。堆疊封裝可以開發具有不同功能的多芯片封裝，或者將多個存儲芯片放在一個容量增加的封裝中。
堆疊封裝根據不同的開發技術分為三種類型：
PiP（Package In Package）
封裝引線鍵合（Wire Bonding）封裝
硅穿孔（TSV）封裝；
一、堆疊封裝工藝優點
封裝體的尺寸小，質量輕；頂層封裝模塊和底層封裝模塊的電子元件可以在組裝前進行測試并替換，使得瑕疵率大大降低、良品比率升高，成本也大度下降；在采取垂直互連的方式對上層和下層進行連接，大大的減小了引線長度，減少了寄生電容、寄生電感，電源損耗減小，信號的傳輸速度更快;模塊中的存儲芯片和邏輯芯片可以由不同的商家提供，使產品的生產時間縮短，效率提高。
1、PiP（Package In Package）封裝
一般稱堆疊封裝又稱封裝內的封裝，還稱器件內置器件，是在同一個封裝腔體內堆疊多個芯片形成3D 封裝的一種技術方案。封裝內芯片通過金線鍵合堆疊到基板上，同樣的堆疊，通過金線再將兩個堆疊之間的基板鍵合，然后整個封裝成一個元件便是PiP（器件內置器件）。
PiP技術整合了PCB基板組裝及半導體封裝制作流程，可以將小型存儲卡所需要的零部件（控制器、閃存集成電路、基礎材質、無源計算組件）直接封裝，制成功能完整的Flash存儲卡產品。PiP一體化封裝技術具有下列技術優勢：超大容量、高讀寫速度、堅固耐用、強防水、防靜電、耐高溫等，因此常運用于SD卡、XD卡、MM卡等系列數碼存儲卡上。
技術優勢：
外形高度較低；
可以采用標準的SMT電路板裝配工藝；
單個器件的裝配成本較低。
展開 干貨 | 70種芯片封裝方式總結
部分 LSI 廠家用 PLCC 表示帶引線封裝，用 P－LCC 表示無引線封裝，以示區別。
43、QFH(quad flat high package)
四側引腳厚體扁平封裝。塑料 QFP 的一種，為了防止封裝本體斷裂，QFP 本體制作得 較厚(見 QFP)。部分半導體廠家采用的名稱。
44、QFI(quad flat I-leaded packgac)
四側 I 形引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝四個側面引出，向下呈 I 字 。也稱為 MSP(見 MSP)。貼裝與印刷基板進行碰焊連接。由于引腳無突出部分，貼裝占有面 積小 于 QFP。日立制作所為視頻模擬 IC 開發并使用了這種封裝。此外，日本的 Motorola 公司的 PLL IC 也采用了此種封裝。引腳中心距 1.27mm，引腳數從 18 于 68。
45、QFJ(quad flat J-leaded package)
四側 J 形引腳扁平封裝。表面貼裝封裝之一。引腳從封裝四個側面引出，向下呈 J 字形 。是日本電子機械工業會規定的名稱。引腳中心距 1.27mm。
材料有塑料和陶瓷兩種。塑料 QFJ 多數情況稱為 PLCC(見 PLCC)，用于微機、門陳列、 DRAM、ASSP、OTP 等電路。
展開 什么是晶圓級封裝
晶圓級封裝(Wafer Level Packaging，縮寫WLP)是一種先進的封裝技術，因其具有尺寸小、電性能優良、散熱好、成本低等優勢，近年來發展迅速。根據Verified Market Research 研究數據，晶圓級封裝市場 2020 年為 48.4 億美元，預計到 2028 年將達到 228.3 億美元，從 2021 年到 2028 年的復合年增長率為 21.4%。
一、晶圓級封裝VS傳統封裝
在傳統晶圓封裝中，是將成品晶圓切割成單個芯片，然后再進行黏合封裝。不同于傳統封裝工藝，晶圓級封裝是在芯片還在晶圓上的時候就對芯片進行封裝，保護層可以黏接在晶圓的頂部或底部，然后連接電路，再將晶圓切成單個芯片。
相比于傳統封裝，晶圓級封裝具有以下優點：
1、封裝尺寸小
由于沒有引線、鍵合和塑膠工藝，封裝無需向芯片外擴展，使得WLP的封裝尺寸幾乎等于芯片尺寸。
2、高傳輸速度
與傳統金屬引線產品相比，WLP一般有較短的連接線路，在高效能要求如高頻下，會有較好的表現。
3、高密度連接
WLP可運用數組式連接，芯片和電路板之間連接不限制于芯片四周，提高單位面積的連接密度。
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