激勵源設置
關注創建者：電磁CAEer 創建時間：2020-06-04
激勵源設置的實例教程
1.端口與激勵
FEKO中的端口形式與激勵形式有多種，每一種的使用環境也有所不同，選擇不當會導致計算報錯或者計算結果不準確。
端口類型
激勵形式
天線類型
Wire port
Voltage source
Wire 天線（理想偶極子天線，），針饋波導，線饋微帶天線
Edge port
Voltage source
微帶天線，圓柱形振子天線
Waveguide port
Waveguide exitation
矩形波導，圓波導，同軸線（端口必須是標準的矩形，圓形，環形如同軸線）
FEM line port
Current source
FEM modal port
FEM modal port
可以針對形狀不規則的端口
注意事項：
利用line將微帶貼片與地相連接，并設置wire port端口和voltage source激勵，其等效于利用同軸進行饋電的形式,剖分時wire的半徑應與原同軸線饋針的半徑一致，才能獲得較為準確駐波比。同時line需要完全被介質包裹，或者完全置于真空中，才可以設置wire port。
edge port可以被用來對微帶濾波器或者微帶天線側饋形式下進行饋電，同時需要注意的是：edge port也需要被介質完全包裹，或者完全置于真空中，所以要將饋電端口向介質中延申一段。
展開 純電動汽車NVH主要激勵源的識別和控制方法
四、高溫測量環境下，存在較大的靜電噪聲和電磁噪聲，而應變計處于非屏蔽工作環境，對各種干擾源比較敏感，常規方法測量會導致測量結果不可用。
針對以上問題，在高溫環境下的應變計測量，最佳方式是采用對稱恒流源激勵技術。
對稱恒流源激勵技術
對稱恒流源激勵技術是采用一對完全匹配的電流源作為應變片的激勵源，并使用一個差分放大器來測量應變計兩端的電壓值差，如圖1所示。從圖1中可以看出，它使用兩個匹配的電流源形成“推-拉”的結構，一個往應變計“灌入”電流，另一個從應變計“拉出”電流。這兩個匹配的電流源通過雙絞屏蔽電纜連接到輸入端并流過Rgage應變計。這種電路結構在物理和電子學方面都是對稱的，因此具有很強的共模噪聲抑制能力。另外，根據雙級功率源共地的特點，應變計的直流電壓是對稱的，與單端電流源方法相比，對稱設計具有兩倍的信號一致性范圍。在4線模式下，高輸入阻抗的應變計信號傳輸線±signal將差分放大器的輸入端直接連接到應變計兩端，由于差分放大器具有極高的輸入阻抗，因此應變計測量線上沒有電流流過，因此用于傳輸應變計激勵的導線中的電流并不會引起激勵電流的下降，應變計測量數據將不會受到影響。對動態測量，2/4-wire開關可以設置成2線方式，輸入可以是AC耦合，即只有應變計的動態波動被允許放大。
展開 定義一個變量zerotime
定義電流源帶變量
5*1.414*sin(2*pi*180*time+53.7*pi/180)*pwl(zerotime,time)
輸出/輸入電流波形，在0.0055s 時電流變為0.
電壓源應該也是OK的；比采用外電路激勵要方便很多。
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圖1
接下來，進行仿真驗證，首先建模介質桶，圓柱挖孔，如圖2所示
圖2
然后設置激勵源，論文使用一個偶極子天線去激勵，因此我們用銅棒去建模一個偶極子天線。如圖3所示。
圖3
端口采用離散端口，連接在兩個金屬棒之間，如圖4所示。
高溫動靜態應變測量主要面臨以下的挑戰
以永磁直流空心杯電機為模型，運用Ansoft Maxwell軟件搭建仿真模型，進行網格剖分、材料賦予及激勵源等設置。求解并分析模型在穩態的磁場分布及瞬態的輸出特性，為電機的設計與優化提供參考依據。
對于建立有限元模型需要考慮以下幾點:1)適應磁場仿真分析;2)刪除細節;3)減維(選取合適單元類型)?首先,將不易磁化元器件如加料桶,稱重部,加料部,油壓站及外部殼體去除,然后,將簡化后的模型導入SpaceClaim進行模型處理,最后將處理完畢的模型導入Maxwell?
1.2模型假設及網格模型
采用靜磁場求解器進行分析?模型建立后,須先對模型進行網格劃分,網格劃分采用自適應網格如圖3所示?網格劃分完成后,創建計算區域?設置激勵源和設置材料等
設置激勵
噪聲源端口激勵電壓設置為12V，敏感源端口設置為0V，這樣可不影響觀察場仿真結果 (只改端口電壓幅度)，只是用于在觀察特定場景的場特征時起作用，如圖2-2所示。
圖2-1 設置波端口
圖2-2 勵設置端口激勵
4. 結果后處理
分析信號與電源間的耦合度，結合電場和磁場特征分析噪聲耦合機理。
1、直接在該項目工作區建天線模型；
2、可導入天線CAD模型，方法同上頁車體模型導入方法；
3、如在其他HFSS項目中的天線，可直接拷貝過來；
4、將其他HFSS項目中的天線做成3D Component，并導入到該項目中；
5、直接在該項目中激勵源設置鏈接天線項目或其他輻射源數據；
該項目采用方法4，導入天線3D
給每一匝線圈加載激勵電流1A，并設置求解電感矩陣值，Maxwell 2D→Parameters→Assign→Matrix，在彈出的窗口中勾選加載在10個圓截面上的激勵源。設置完畢后，對模型進行分析求解。
圖6 傳統封裝與疊層封裝的換流路徑示意圖
圖7 疊層封裝不同換流回路雜散電感仿真結果
將功率模塊的封裝模型導入雜散參數提取軟件ANSYS.Q3D，依次采取網絡剖分、工況定義的步驟，設置激勵源（Source）和接地（Sink），并且分別把激勵源添加到功率模塊端子的表面，注意激勵源可以設置多個，但是接地只能一個，圖8是SiC模型的網格剖分圖。
對于這類介質波導，可以使用“數值端口”邊界條件來施加激勵，該邊界條件設置為“開”的時候是激勵源，設置為“關”的時候可以模擬電磁波無反射地離開（開邊界）。
1、首先，選擇二維幾何，并使用“電磁波，頻域”接口來仿真，研究類型選擇“頻域”。
純電動汽車NVH主要激勵源的識別和控制方法
