3D NAND芯片的案例
紫光閃存封測實現(xiàn)重大突破，長江存儲蓄勢待發(fā)！
長江存儲32層閃存芯片
在2017年年底舉行的第四屆世界互聯(lián)網(wǎng)大會上透露，紫光集團董事長趙偉國透露，紫光旗下的長江存儲已經(jīng)研發(fā)出了32層64G的完全自主知識產(chǎn)權(quán)的3D NAND芯片；2018年4月的長江存儲生產(chǎn)機臺進場安裝儀式上，趙偉國指出，他們的32層芯片會在2018年年底實現(xiàn)芯片量產(chǎn)；到八月舉辦的Flash Memory Summit上，長江存儲正式公布了其64層3D NAND 芯片的進展，根據(jù)報道，這些64層的芯片將會在今年三季度量產(chǎn)。而按照業(yè)界預(yù)計，到明天，長江存儲將會投入到128層芯片的研發(fā)。
同時，長江存儲還對外公布了其全新的3D NAND架構(gòu) Xtacking
長江存儲Xtacking架構(gòu)
據(jù)長江存儲官方介紹，采用Xtacking架構(gòu)，可在一片晶圓上獨立加工負責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利于選擇合適的先進邏輯工藝，以讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存儲單元同樣也將在另一片晶圓上被獨立加工。當兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的XtackingTM技術(shù)只需一個處理步驟就可通過數(shù)百萬根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯(lián)通道)將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。
長江存儲CEO楊士寧博士更是指出：“目前，世界上最快的3D NAND I/O速度的目標值是1.4Gbps，而大多數(shù)NAND供應(yīng)商僅能供應(yīng)1.0 Gbps或更低的速度。利用XtackingTM技術(shù)我們有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps，與DRAM DDR4的I/O速度相當。這對NAND行業(yè)來講將是顛覆性的。”
展開 紫光：手機芯片全球第三，正在研發(fā)128層堆棧3D NAND閃存
前兩天在重慶的國際智能產(chǎn)業(yè)博覽會上，紫光集團董事長趙偉國對高通等海外芯片公司開炮，建議這些公司在中國市場上要有遠見一些，給中國企業(yè)一口飯吃。同樣在這次的會議上，趙偉國還談到了紫光集團這幾年的成績，尤其是芯片產(chǎn)業(yè)上，紫光集團去年出貨芯片34億顆，手機芯片做到了全行業(yè)第三，而存儲芯片上明年將量產(chǎn)64層堆棧的128Gb核心3D NAND閃存，還在研發(fā)128層堆棧的256Gb核心3D NAND閃存。
在重慶的國際智能產(chǎn)業(yè)博覽會上，紫光集團董事長介紹了紫光的一些業(yè)績，預(yù)計今年在云網(wǎng)業(yè)務(wù)上營收將達到600億元，其中集成電路業(yè)務(wù)上營收200億，網(wǎng)絡(luò)、計算業(yè)務(wù)上營收400億元。
在芯片行業(yè)，趙偉國提到紫光公司去年共出貨34億顆芯片，其中手機芯片從數(shù)量上來看已經(jīng)是全球第三，僅次于高通、聯(lián)發(fā)科。在手機芯片業(yè)務(wù)上，紫光集團主要是子公司紫光展銳，更確切地說就是展訊公司，根據(jù)展訊之前公布的數(shù)據(jù)，2016年他們出貨了手機芯片6.7億套，占全球份額的27%。
除了手機芯片，紫光展銳還是國內(nèi)最大的智能卡（身份證、社保卡等）芯片供應(yīng)商，每年出貨六七億套智能卡芯片，份額是第一位的。
在存儲芯片方面，紫光旗下還有收購了武漢新芯科技之后重組的長江存儲，趙偉國透露今年底將會量產(chǎn)32層64Gb核心的3D NAND閃存，明年會量產(chǎn)64層堆棧128Gb核心容量的閃存，同時還在研發(fā)128層堆棧的256Gb核心3D NAND閃存。
本月初的FMS 2018國際閃存會議上，長江存儲也首次出席并發(fā)表了Xtacking堆棧結(jié)構(gòu)的3D NAND新技術(shù)，I/O接口速度可達1.4Gbps，P/E壽命可達3000次。
展開 東芝將量產(chǎn)96層3D NAND Flash
日本東芝記憶體與合作伙伴西部數(shù)據(jù)為全新的半導(dǎo)體設(shè)施Fab 6 (6號晶圓廠)與記憶體研發(fā)中心舉行開幕儀式；東芝記憶體總裁Yasuo Naruke無懼芯片價格下跌疑慮，表示將于9月量產(chǎn)96層3D NAND快閃芯片。
Toshiba 于2017 年2 月開始興建6 號晶圓廠，作為生產(chǎn)3D NAND Flash ( 快閃記憶體) 的專用廠區(qū)。Toshiba 與Western Digital 已針對沉積(deposition) 與蝕刻(etching) 等關(guān)鍵生產(chǎn)制程部署先進制造設(shè)備。新晶圓廠在本月初已開始量產(chǎn)96 層3D NAND Flash。
與6號晶圓廠相毗鄰的記憶體研發(fā)中心已于今年3 月開始營運，負責(zé)研發(fā)并推動3D NAND Flash 的發(fā)展工作。
東芝記憶體公司與Western Digital 將持續(xù)推動并擴展雙方在記憶體市場的領(lǐng)導(dǎo)地位，積極開發(fā)各項計劃以強化競爭力，推動3D NAND Flash 的共同開發(fā)，并根據(jù)市場趨勢規(guī)劃資本的投放。
東芝記憶體公司主席及行政總裁成毛康雄(Yasuo Naruke) 表示：「我們很高興有這個機會能為新一代的3D NAND Flash 開拓更廣闊的市場。6 號晶圓廠和記憶體研發(fā)中心能讓我們在3D NAND Flash 市場中維持領(lǐng)先地位，而且我們相信與Western Digital 的合資事業(yè)，將協(xié)助四日市的工廠繼續(xù)生產(chǎn)最先進的記憶體。」
Western Digital 行政總裁Steve Milligan 同時指出：「今天很榮幸能與我們的重要合作伙伴東芝記憶體公司一起為6 號晶圓廠和記憶體研發(fā)中心揭開序幕。近20 年來我們合作無間，帶動了NAND Flash 技術(shù)的成長和創(chuàng)新。
展開 科普：芯片中的“層”，“層層”全解析！
美光已發(fā)布了采用最新技術(shù)的第五代176層3D NAND閃存芯片[4]。
圖8.3D NAND閃存芯片的多電路層堆疊結(jié)構(gòu)示意圖
(來源：參考資料2，經(jīng)作者整理)
在國內(nèi)，長江存儲2017年7月研制成功了國內(nèi)首顆3D NAND閃存芯片；2018年三季度32層產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)；2019年三季度64層產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)。目前已宣布成功研發(fā)出128層3D NAND閃存芯片系列[3]。長江存儲3D NAND閃存技術(shù)的快速發(fā)展，得益于其獨創(chuàng)的“把存儲陣列(Cell Array)和外圍控制電路(Periphery)分開制造，再合并封裝在一起”的XtackingTM技術(shù)。
圖9.長江存儲的XtackingTM技術(shù)演示(來源：長江存儲官網(wǎng))
據(jù)報道，美光最新一代的176層3D NAND將直接取代96層的版本。目前已知的是，美光首批176層3D NAND采用了將雙88層融合到一起的設(shè)計(堆疊512Gbit TLC閃存)。該芯片技術(shù)換用了電荷陷阱存儲單元的方案，似乎也極大地降低了每一層的厚度。目前176層的裸片僅為45μm，與美光的64層浮柵3D NAND相同。16層裸片堆疊式封裝的厚度不到1.5 mm，適用于大多數(shù)移動/存儲卡使用場景[4]。
后記：本文通過光刻技術(shù)和芯片制造技術(shù)介紹，理清了芯片技術(shù)中的材料介質(zhì)層與電路層的概念，從而更清楚知道什么是2D芯片，什么是3D芯片？也了解到目前的3D閃存芯片，在制造時就可以堆疊集成多達176層的電路層。更甚者，這種3D芯片在封裝時還可以進行多達16層裸片的堆疊封裝。在一塊厚度不到1.5mm的閃存卡中，竟然有多達2816層的電路層在工作，芯片技術(shù)的精妙之處可見一斑。
參考資料：
1.Helen，什么是3D NAND？與2D NAND相比有什么優(yōu)勢？
展開 
長江存儲64層 3D Xtacking NAND的秘密
近日，TECHINSIGHTS 購買了中國武漢長江存儲（YMTC）生產(chǎn)的UNIC2 UNMEN05G21E31BS 32 GB eMMC配件，其中包含一顆256 Gb TLC 3D NAND閃存芯片。
圖片1，YMTC公司生產(chǎn)的UNIC2 UNMEN05G21E31BS
有兩個主要原因?qū)е略摦a(chǎn)品讓業(yè)界特別感興趣，一個是商業(yè)，另一個技術(shù)。這是第一顆出自中國公司的3D-NAND芯片。利用晶圓鍵合將外圍電路與存儲器陣列進行疊加，其比特密度不會因為增加存儲器外圍電路而降低。長江存儲由中國國有企業(yè)清華紫光集團于2016年成立并持有51%的股份。其他股東包括中國國家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資基金(National Semiconductor Industry Investment Fund，簡稱“大基金”)。YMTC使用的是由其全資子公司武漢新芯（XMC）在武漢建造的300mm的fab(圖2)。
圖2，武漢新芯廠房
XMC歷史與Spansion公司(現(xiàn)為Cypress公司)緊密合作，利用電荷陷阱存儲技術(shù)制造NOR閃存。2017年YMTC成功設(shè)計并制造了其第一顆32層的3D NAND閃存芯片，但在中國只有少數(shù)USB客戶可以使用。
本文章所采用的芯片是他們的第二代3D-NAND技術(shù)，使用“Xtacking”來面對面地連接外圍電路。用于存儲單元操作和I/O的外圍電路使用適合所需I/O速度和功能的CMOS邏輯技術(shù)在其他的晶圓上制成。完成后的存儲陣列晶圓片通過數(shù)十億個金屬通孔(垂直互連通路)連接到外圍晶圓片，如圖3所示。
圖3，長江存儲Xtacking技術(shù)
該部分在2018年的閃存峰會(FMS2018)上已討論過，并獲得了“最佳展示”獎(我們本來可以插入該論文的鏈接，但它沒有出現(xiàn)在會議記錄中)。
展開 科普：芯片中的“層”，“層層”全解析
圖8.3D NAND閃存芯片的多電路層堆疊結(jié)構(gòu)示意圖
(來源：參考資料2，經(jīng)作者整理)
在國內(nèi)，長江存儲2017年7月研制成功了國內(nèi)首顆3D NAND閃存芯片；2018年三季度32層產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)；2019年三季度64層產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)。目前已宣布成功研發(fā)出128層3D NAND閃存芯片系列[3]。長江存儲3D NAND閃存技術(shù)的快速發(fā)展，得益于其獨創(chuàng)的“把存儲陣列(Cell Array)和外圍控制電路(Periphery)分開制造，再合并封裝在一起”的XtackingTM技術(shù)。
圖9.長江存儲的XtackingTM技術(shù)演示(來源：長江存儲官網(wǎng))
據(jù)報道，美光最新一代的176層3D NAND將直接取代96層的版本。目前已知的是，美光首批176層3D NAND采用了將雙88層融合到一起的設(shè)計(堆疊512Gbit TLC閃存)。該芯片技術(shù)換用了電荷陷阱存儲單元的方案，似乎也極大地降低了每一層的厚度。目前176層的裸片僅為45μm，與美光的64層浮柵3D NAND相同。16層裸片堆疊式封裝的厚度不到1.5 mm，適用于大多數(shù)移動/存儲卡使用場景[4]。
后記：本文通過光刻技術(shù)和芯片制造技術(shù)介紹，理清了芯片技術(shù)中的材料介質(zhì)層與電路層的概念，從而更清楚知道什么是2D芯片，什么是3D芯片？也了解到目前的3D閃存芯片，在制造時就可以堆疊集成多達176層的電路層。更甚者，這種3D芯片在封裝時還可以進行多達16層裸片的堆疊封裝。
展開 韓媒：中國半導(dǎo)體的出征
韓國《朝鮮日報》8月7日報道，中國國營半導(dǎo)體企業(yè)清華紫光推出自主研發(fā)的內(nèi)存芯片，將在美國硅谷首次公開。在中美貿(mào)易戰(zhàn)的背景之下，中國半導(dǎo)體企業(yè)宣布進軍市場。
報道稱，清華紫光的子公司長江存儲（YMTC）從7日出席美國《 美國的快閃記憶體高峰會（Flash Memory Summit）》，公開32層、64層3D NAND。YMTC的CEO楊士寧7日做主旨演講，介紹新產(chǎn)品。
YMTC此次公開的NAND當中，32層產(chǎn)品將于2018年下半年進入試產(chǎn)階段。目前三星和SK海力士生產(chǎn)的是96層、72層產(chǎn)品。
YMTC透露，新產(chǎn)品使用的是3D NAND架構(gòu)創(chuàng)新技術(shù)X-tacking，有效提高了數(shù)據(jù)處理速度。
X-tacking架構(gòu)的細節(jié)
該架構(gòu)將用于其即將推出的3D NAND閃存芯片。該技術(shù)涉及使用兩個晶圓構(gòu)建NAND芯片：一個晶圓包含基于電荷陷阱架構(gòu)的實際閃存單元，另一個晶圓采用CMOS邏輯。
傳統(tǒng)上，NAND閃存的制造商使用單一工藝技術(shù)在一個芯片上產(chǎn)生存儲器陣列以及NAND邏輯（地址解碼，頁面緩沖器等）。相比之下，長江存儲打算使用不同的工藝技術(shù)在兩個不同的晶圓上制作NAND陣列和NAND邏輯，然后將兩個晶圓粘合在一起，使用一個額外的工藝步驟通過金屬通孔將存儲器陣列連接到邏輯。
Xtacking架構(gòu)旨在使NAND獲得超快的I/O接口速度，同時最大化其內(nèi)存陣列的密度。
長江存儲表示，其64層3D NAND芯片的I/O接口速度為3Gbps，比三星最新的V-NAND快兩倍，比主流3D NAND快三倍。
展開 科普：芯片中的“層”，“層層”全解析
這種技術(shù)目前主要用在3DNAND閃存等很規(guī)則的芯片制造領(lǐng)域。存儲單元(Memory Cell)采用側(cè)向結(jié)構(gòu)。一般地，閃存芯片如果號稱是N層的NAND閃存，就至少有N個電路層。目前，三星的3D V-NAND存儲單元的層數(shù)已由2009年的2層逐漸提升至24層、64層，再到2018年的96層[2]，2019年8月完成128層V-NAND閃存的開發(fā)，并實現(xiàn)量產(chǎn)。三星計劃2021年下半年則會量產(chǎn)第7代V-NAND閃存,堆疊層數(shù)提升到176層。美光已發(fā)布了采用最新技術(shù)的第五代176層3D NAND閃存芯片[4]。
圖8.3D NAND閃存芯片的多電路層堆疊結(jié)構(gòu)示意圖
在國內(nèi)，長江存儲2017年7月研制成功了國內(nèi)首顆3D NAND閃存芯片；2018年三季度32層產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)；2019年三季度64層產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)。目前已宣布成功研發(fā)出128層3D NAND閃存芯片系列[3]。長江存儲3D NAND閃存技術(shù)的快速發(fā)展，得益于其獨創(chuàng)的“把存儲陣列(Cell Array)和外圍控制電路(Periphery)分開制造，再合并封裝在一起”的XtackingTM技術(shù)。
圖9.長江存儲的XtackingTM技術(shù)演示(來源：長江存儲官網(wǎng))
據(jù)報道，美光最新一代的176層3D NAND將直接取代96層的版本。目前已知的是，美光首批176層3D NAND采用了將雙88層融合到一起的設(shè)計(堆疊512Gbit TLC閃存)。該芯片技術(shù)換用了電荷陷阱存儲單元的方案，似乎也極大地降低了每一層的厚度。目前176層的裸片僅為45μm，與美光的64層浮柵3D NAND相同。16層裸片堆疊式封裝的厚度不到1.5 mm，適用于大多數(shù)移動/存儲卡使用場景[4]。
展開 長江存儲的殺手锏：Xtracking架構(gòu)詳解
摘要：
本報告詳細介紹了長江存儲殺手锏技術(shù)Xtracking技術(shù)在3D NAND的突破，讀完本篇介紹，可以了解如下四個問題。
1）傳統(tǒng)2D NAND遇到的問題，為什么采用3D NAND？
2）3D NAND傳統(tǒng)工藝遇到的問題，為什么要研發(fā)Xtracking 架構(gòu)？
3）Xtracking 架構(gòu)必須要解決的三個問題是什么？
4）Xtracking架構(gòu)下的3D NAND加工，對傳輸速度、存儲密度、研發(fā)周期的提升作用如何？
正文部分：
NAND實際是串聯(lián)式的存儲方式，之前是2D NAND，隨著線寬微縮，成本提高，并且信號有干擾風(fēng)險。
3D NAND：利用了立體空間提高存儲密度，提高性能，降低成本，減少光刻難度和成本，降低信號干擾的風(fēng)險。
3D NAND的三大核心競爭力：傳輸速度、存儲密度、和上市周期。
大數(shù)據(jù)時代：存儲容量成線性增長趨勢。數(shù)據(jù)增長已進入萬億GB時代，NAND帶寬增速之后。
中間紅色的是存儲電路陣列去，外圍綠色的是外圍邏輯電路，負責(zé)驅(qū)動、和傳輸?shù)墓δ堋?一般加工時，先生產(chǎn)外圍電路，之后加工陣列部分，會涉及高溫高壓的工藝，此工藝會影響之前已經(jīng)加工好的邏輯電路。
所以出現(xiàn)矛盾：邏輯電路的線寬無法持續(xù)減少，到目前0.13um水平。
存儲密度：芯片利用率低，外圍電路占整個芯片面積無法減少。所以芯片上總有部分面積無法實現(xiàn)存儲作用。
外圍電路的研發(fā)、制造周期很長。因為需要把外圍電路制造好，之后把陣列做好。如果出現(xiàn)問題才能發(fā)現(xiàn)，然后進行工藝調(diào)整。
Xtracking：通過將外圍電路和陣列電路分開加工。外圍電路不需要收到陣列加工時的高溫、高壓的影響，所以可以跟隨邏輯電路的進步發(fā)展，未來可以進一步40nm，28nm發(fā)展。
展開 晉華之后，別一味看衰國產(chǎn)存儲芯片產(chǎn)業(yè)！
長江存儲CEO楊士寧博士曾在CFMS2018峰會上表示，長江存儲在NAND Flash上投入了很多研發(fā)和生產(chǎn)精力，3D NAND的研發(fā)也是建立在這個基礎(chǔ)之上，并于2015年和美國合作伙伴簽訂了聯(lián)合研發(fā)協(xié)議研發(fā)3D NAND芯片，而采用Xtacking?架構(gòu)的64層3D NAND跟傳統(tǒng)架構(gòu)的96層相比，容量僅低15%。
現(xiàn)在長江存儲64層3D NAND已經(jīng)送樣，2019年第3季將可投產(chǎn)。在產(chǎn)能方面，長江存儲武漢存儲基地一期已經(jīng)投入生產(chǎn)，原本該工廠計劃的是一個10萬片產(chǎn)能的平面一層工廠，但實際可以做到15萬。為了進一步擴大生產(chǎn)規(guī)模，武漢存儲基地二期和紫光成都存儲器制造基地已經(jīng)開工，正在不斷擴大生產(chǎn)規(guī)模。
在應(yīng)用方面，11月7日，在第五屆世界互聯(lián)網(wǎng)大會上，紫光集團發(fā)布了內(nèi)置中國首顆存儲芯與紫光安全芯片的安全移動存儲產(chǎn)品—紫光新一代隱式指紋安全U盤，這款產(chǎn)品由紫光集團旗下“芯云戰(zhàn)略”核心企業(yè)紫光存儲聯(lián)合長江存儲、紫光國微隆重推出。
據(jù)了解，紫光新一代隱式指紋安全U盤搭載的三維閃存顆粒即此前備受矚目的中國首顆長江存儲芯，實現(xiàn)了中國存儲芯片“零”的突破。之前芯師爺在與紫光工作人員溝通過程中也獲悉，雖然國內(nèi)存儲芯片已經(jīng)具備了制造能力，但是面臨的挑戰(zhàn)非常大，想要從國外三巨頭中爭奪市場也不容易，U盤應(yīng)用是一個很好的嘗試。
對此，芯師爺則認為，國產(chǎn)U盤的推出意義重大，代表了我國存儲行業(yè)已經(jīng)具備研發(fā)、制造及生產(chǎn)的能力。但是接下來如何在技術(shù)方面追趕和國產(chǎn)替代，還需要慎重考慮，特別是在這樣的敏感時期。
全球存儲產(chǎn)業(yè)開始走下坡？
進入2018年下半年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進入下行期，但是存儲行業(yè)仍保持增長態(tài)勢，僅是增長幅度有所降低。從產(chǎn)業(yè)規(guī)模上來看，存儲產(chǎn)業(yè)仍占據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大部分市場份額。
展開 五巨頭占領(lǐng)全球57%晶圓產(chǎn)能：臺積電僅居第二
不過，該晶圓廠仍被英特爾用于制造 3D NAND 芯片，因此其 2021 年底的產(chǎn)能并未計入 SK 海力士。SK 海力士收購英特爾的 NAND 和 SSD 業(yè)務(wù)是一項多年的多階段交易，并規(guī)定英特爾可以在 2025 年 3 月之前使用該晶圓廠進行晶圓制造，屆時 SK 海力士將完成收購。
鎧俠/西部數(shù)據(jù)——鎧俠和西部數(shù)據(jù)共同擁有的產(chǎn)能在 2021 年的前五名公司中以最低的速度增長。合作伙伴通過 3D 擴展的進步來增加 3D NAND 芯片的產(chǎn)量，而不是通過增加產(chǎn)能。西部數(shù)據(jù)技術(shù)與戰(zhàn)略總裁 Srinivasan Sivaram 于 2021 年 12 月報告稱，該公司目前的產(chǎn)能方法約為“95% 轉(zhuǎn)換，5% 新晶圓”，這意味著幾乎所有產(chǎn)品供應(yīng)需求都通過轉(zhuǎn)換為新晶圓來滿足技術(shù)。對于 3D NAND，這意味著增加芯片上的 NAND 層數(shù)，以實現(xiàn)更大的單位面積內(nèi)存存儲量。Sivaram 先生曾表示，西部數(shù)據(jù)有一個明確的路線圖，在未來四到五年內(nèi)實現(xiàn)超過 300 層。
鎧俠和西部數(shù)據(jù)在其位于四日市的工廠擁有一座新工廠，計劃于 2023 年初開始運營。與該工廠的其他工廠一樣，Y7 工廠將分兩個階段建造。
2022 年 4 月，合作伙伴開始在其位于北上的工廠建造第二個晶圓廠。現(xiàn)有的 K1 晶圓廠于 2020 年投產(chǎn)，新的 K2 晶圓廠預(yù)計將于 2024 年投產(chǎn)。
展開 
NAND Flash的最新競爭格局，長江存儲成為黑馬
長江存儲并將其「幾微米的間距」縮小到僅約100nm，以用于3D NAND。
為了校準單獨的NAND和I/O晶圓——這項工作中最棘手的部份，晶圓廠使用位于晶圓上方和下方的攝影機與診斷工具。透過等離子體活化被擠壓在一起的芯片表面，并以低溫退火處理。然后，在I/O晶圓的背面進行加工，以便在芯片背面形成焊墊。
楊士寧說，這種方法并不至于影響產(chǎn)能，也將會用于64層芯片上。可靠性數(shù)據(jù)「看起來還不錯」，而且記憶體單元尺寸和耐久性也都與競爭產(chǎn)品差不多。
盡管如此，楊士寧說：「走上這條道路需要一些勇氣，因為要讓這項技術(shù)發(fā)揮作用并不容易……高啟全和我來來回回多次后才做了這個決定。」
Xtacking 3D NAND芯片模擬圖（來源：YMTC）
長江存儲憑借其1,500多名工程師和500項中國和國際專利，自行開發(fā)出Xtacking技術(shù)。同時，它還獲得了Arm、IBM、Spansion和研究機構(gòu)的授權(quán)技術(shù)。因此，盡管受到目前的出口管制，楊士寧仍表示，相信長江存儲仍然能夠取得所需的設(shè)備和材料——這是該公司從美國采購的最大部份。
來源：eettaiwan
展開 三星/SK海力士推遲擴產(chǎn)：內(nèi)存大降價夢碎
據(jù)臺灣媒體援引業(yè)內(nèi)消息稱，三星電子、SK海力士都計劃推遲工廠擴建、產(chǎn)能擴充計劃，原因是客戶需求正在變緩，會導(dǎo)致DRAM內(nèi)存、NAND閃存的價格在2019年上半年明顯下滑，這自然是他們不想看到的。
近期，DRAM內(nèi)存合約價出現(xiàn)了明顯的走低跡象，預(yù)計到今年第四季度隨著供應(yīng)充足、供過于求，DRAM合約價會開始大幅度下降。
NAND閃存方面，盡管第三季度是傳統(tǒng)需求旺季，但今年全球市場供應(yīng)仍然很充足，64層、72層堆疊3D閃存產(chǎn)能持續(xù)提升，但由于筆記本、智能手機市場都相當飽和，需求增長有限。
同時，渠道供應(yīng)鏈內(nèi)堆積了大量NAND閃存芯片，進一步導(dǎo)致價格下滑，預(yù)計合約價會在今年第三季度環(huán)比下降10-15％，超出預(yù)期，第四季度則會再降15％。
對于廠商和渠道而言，DRAM內(nèi)存、NAND閃存的價格在2019年上半年都會面臨很大壓力，當然對消費者而言就是絕對的好事兒了。
目前，三星已經(jīng)減緩了3D NAND閃存產(chǎn)能的擴充，新的生產(chǎn)線要推到明年上半年才會上線，同時暫停了在韓國華城、平澤新建1ynm DRAM內(nèi)存芯片工廠的計劃。
在此之前，三星曾計劃從今年第三季度開始，將DRAM內(nèi)存芯片每個月的產(chǎn)能輸出擴大3萬塊晶圓。
SK海力士也同樣大大推遲了3D NAND閃存芯片產(chǎn)能擴充的計劃。
簡而言之，內(nèi)存、閃存(SSD)的價格在未來都會慢慢下降，但因為源頭的刻意控制，不要指望太大的降幅了。
來源：快科技
展開 你真的懂3D NAND閃存？
硅穿孔技術(shù)
(TSV，Through Silicon Via)
硅穿孔技術(shù)其實與 3D NAND 工藝無關(guān)，嚴格來說，它屬于ㄧ種封裝技術(shù)。會拿出來講主要是ㄧ方面它可讓 3D NAND 閃存更上層樓，容量加大好幾倍。另ㄧ個原因是因為有些人把它跟 3D NAND 存儲單元的 layer 層數(shù)混淆了，他們把 32、64 或 96-layer 3D NAND 描述為把 32、64 或 96 個晶粒 (Die) 堆疊在ㄧ起，這是很大的誤解。
TSV 技術(shù)已普遍用于 DRAM及 Flash 產(chǎn)品。以往ㄧ個 IC 芯片 (Chip) 只封裝ㄧ顆晶粒，漸漸地為了降低成本、節(jié)省主機板空間及提高性能，多芯片封裝 (MCP，Multi-Chip Package) 開始盛行 (如下圖左方圖示)。TSV 則是以工藝方式將 IC 基板 (Substrate) 穿孔，填入金屬，讓上下晶粒直接相導(dǎo)通 (如下圖右方圖示)，不僅省去像左方圖示所顯示封裝打線 (Bonding)，更能進ㄧ步提升 DRAM 或 Flash 單顆芯片的容量、訊號品質(zhì)、傳輸性能，以及降低傳導(dǎo)雜訊干擾。
圖片來源 : 3D NAND Flash Memory - Toshiba (Modified by Author)
目前各家量產(chǎn)的 3D NAND 芯片大多只以 TSV 堆疊到 8 或 16 層 3D NAND 晶粒 (Die)。
展開 520億 VS 4500億，美韓半導(dǎo)體資助大比拼
然而，即使把聯(lián)邦和州的芯片資助計劃加在一起，總額也將大大低于韓國在微電子行業(yè)的計劃支出。
4,500億美元的韓國芯片計劃
本周早些時候，韓國宣布了在未來十年內(nèi)以4,500億美元支持其本地芯片產(chǎn)業(yè)的意向。
從歷史上看，汽車和化學(xué)/石化產(chǎn)品是韓國的主要出口商品。如今，半導(dǎo)體銷售額 約占韓國出口額的14.6％，是最大的出口類別。此外，由于芯片支持當今絕大多數(shù)產(chǎn)品，從鼠標到電視，從智能手機到車輛，因此半導(dǎo)體行業(yè)的重要性很難被高估，尤其是對于韓國而言。
不過有一個陷阱。韓國最大的芯片公司三星和SK海力士主要出口商品DRAM和3D NAND存儲芯片，而不是CPU和SoC等高級邏輯芯片。三星當然擁有領(lǐng)先的工藝技術(shù)，但它生產(chǎn)的芯片是由其他公司和在世界不同地區(qū)開發(fā)的。實際上，在韓國，復(fù)雜處理器的設(shè)計者并不多-甚至三星Exynos SoC的部分產(chǎn)品都是在美國設(shè)計的。
4,500億美元的多元化計劃將改變這一狀況。為了重塑國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，韓國計劃在2022年至2031年間幫助培訓(xùn)36,000名工程師，并為半導(dǎo)體研發(fā)計劃貢獻1,330億美元（1.5萬億韓元）。此外，彭博社報道，該國將幫助芯片設(shè)計者，制造商和供應(yīng)商減稅，降低利率，放寬法規(guī)并加強基礎(chǔ)設(shè)施（包括確保為芯片制造商提供充足的水和電源）。韓國已經(jīng)獲得ASML和LAM Research的認可，宣布計劃擴大在韓國的業(yè)務(wù)。
總的來說，韓國希望建立一個垂直整合的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，其中將包括領(lǐng)先的研發(fā)運營，世界一流處理器的開發(fā)以及使用最先進的制造技術(shù)生產(chǎn)芯片。
展開 