目前使用ANSYS模擬高應力氮化硅薄膜在硅晶圓上應力傳遞的過程出現了一個很大的問題：

硅晶圓半徑為0.0381m  厚度為525um  氮化硅薄膜厚度為1um

我采用殼單元  把它們定義為兩層復合材料   對氮化硅層定義1Gpa的預應力

但是

經過做實驗1GPa應力的氮化硅薄膜在硅晶圓上引入的應力大小大概為500Mpa左右   ANSYS模擬出來的應力大小只有1Mpa左右     

求大神分析出現如此大誤差的原因

下圖為實驗測量的大小