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時間t/s 圖2　外延生長曲率變化圖 2 分析與討論 硅與氮化鎵的晶格失配為17%，使得外延薄膜生長過程中由于生長應(yīng)力產(chǎn)生大量的位錯，硅與氮化鎵熱膨脹系數(shù)差異導(dǎo)致較大的熱失配，當外延過程由高溫降到低溫時，產(chǎn)生了彈性應(yīng)變，引起了較大的張應(yīng)力，其中在氮化鎵外延層中存在張應(yīng)力，硅襯底中存在壓應(yīng)力，使得硅襯底彎曲度發(fā)生變化

這里生長的LED疊層結(jié)構(gòu)由160nm In0.05Ga0.95N/GaN超晶格（SL）、多量子阱（MQW）、20nm電子阻擋層和35nm p-GaN接觸層共同組成。其中，MQW發(fā)光區(qū)又由三個2nm發(fā)藍色光的In0.12Ga0.88N/GaN預(yù)阱和五個2.5nm發(fā)綠色光的In0.25Ga0.75N/GaN阱組成，這兩個量子阱又被10nm 得GaN勢壘隔開。

使用光譜分裂系統(tǒng)（SSS），光學系統(tǒng)將入射光子空間上分布到光譜匹配的能隙，以減少入射到能隙能量失配損失。 多結(jié)系統(tǒng)通常利用能隙的串聯(lián)或堆棧（單片）布置來實現(xiàn)，如圖1（a）[3]所示。以能隙能量降低的順序堆疊結(jié)，在頂部具有最高的能隙（第一個入射）。上層結(jié)作為下層單元的紅色通帶濾波器。由于結(jié)之間的物理接觸，串聯(lián)方法需要子單元的晶格匹配。

然而，由于窄禁帶半導(dǎo)體納米線與常規(guī)超導(dǎo)體之間晶格失配很大，高質(zhì)量樣品的制備一直是制約半導(dǎo)體-超導(dǎo)納米線拓撲量子計算研究的關(guān)鍵難題。中科院半導(dǎo)體所趙建華、潘東團隊長期致力于用于拓撲量子計算的高質(zhì)量半導(dǎo)體-超導(dǎo)納米線分子束外延可控制備研究。他們首先在Si襯底上外延出了高質(zhì)量純相超細單晶InAs納米線（D. Pan et al.

通過晶片探測測試的150毫米GaN LED晶圓（圖片來源：Kubos 半導(dǎo)體）“硅襯底可以與CMOS工藝兼容，由于薄SiC層和立方GaN之間的低晶格失配，我們可以迫使GaN的生長進入立方狀態(tài)，”O(jiān)'Brien說道：“隨著SiC功率器件的商業(yè)化，這種SiC薄層的成本將顯著降低，這也讓我們的全套方案，開始能夠與目前使用量子點或在藍寶石襯底上生長GaN的Micro-LED制造方法競爭。”

基于連續(xù)介質(zhì)理論發(fā)展的主要模型包括聲學失配模型(AMM)和擴散失配模型(DMM)，它們忽略了原子的實際結(jié)構(gòu)，只適用于溫度小于30k的固-固界面，在原子理論基礎(chǔ)上發(fā)展起來的理論來源于充分考慮原子微觀結(jié)構(gòu)的各種模擬，主要包括晶格動力學、格林函數(shù)方法、分子動力學模擬(細分為非平衡分子動力學(NEMD)和平衡分子動力學(EMD)模擬)、玻爾茲曼輸運方程和蒙特卡羅方法。

圖1 聚合物的熱傳導(dǎo)機制（a~f：熱能在晶格中逐步傳遞示意圖）結(jié)晶聚合物的長程有序晶格結(jié)構(gòu)能明顯增大聲子 ＭFP 和抑制聲子散射，顯著促進聲子熱傳遞（圖1）。但實際上因非晶無序結(jié)構(gòu)存在，無規(guī)鏈纏結(jié)導(dǎo)致結(jié)晶聚合物難以形成完整晶格結(jié)構(gòu)，故其導(dǎo)熱僅比非晶聚合物的稍高。因此，調(diào)節(jié)多尺度分子鏈結(jié)構(gòu)，增大結(jié)構(gòu)有序性，抑制各類聲子散射，構(gòu)建利于聲子傳遞的低熱阻通路可提升和調(diào)控聚合物的導(dǎo)熱。