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另一家給華為帶來豐厚回報的公司是山東天岳先進科技股份有限公司（以下簡稱山東天岳）。該公司于今年1月12日在科創板上市，是國內第三代半導體碳化硅襯底的龍頭。2019年8月底，華為哈勃向天岳先進投資了1.1億元，持有后者10%的股份。經過多次外部增資后，根據山東天岳招股書，華為哈勃最終持股比例為6.3%。按照目前山東天岳188億的市值計算，華為哈勃賺約10億元。

今年年初，廣汽集團通過旗下機構廣祺柒號認購約0.5億元，參與了天岳先進的IPO戰略配售，這是廣汽埃安在碳化硅襯底更進一步布局的動作。今年4月，天岳先進通過車規級IATF16949體系認證，襯底產品參數指標基本都滿足SiC MOSFET器件標準，為未來產片實現車規認證提供可能。而前幾天，天岳獲得了近14億的6英寸導電型SiC襯底訂單。

圖6.蘇州工業園區第三代半導體產業鏈（來源：DeepTech）第三代半導體材料典型企業：1）山東天岳：山東天岳是中國SiC半絕緣襯底龍頭企業，也是第三代半導體材料領域第一家上市企業。截至2021年底，山東天岳SiC襯底產能約為50000片/年，襯底尺寸主要為4英寸。山東天岳在半絕緣型SiC襯底領域國內市場占有率第一，主要客戶為中電科13所和55所。

從半絕緣型SiC襯底市場份額來看，Wolfspeed、II-VI和山東天岳三家公司平分秋色，各占據約30%的市場份額。從導電型SiC襯底的市場份額來看，Wolfspeed占據超60%的市場份額，在SiC單晶市場價格和質量標準上有極大話語權，天科合達和山東天岳占比僅為1.7%和0.5%。

以天科合達和山東天岳為主的SiC晶片廠商發展速度較快，市占率提升明顯。三安光電在SiC方面也在深度布局。 山東天岳、天科合達、河北同光、中科節能均已完成6英寸襯底的研發，中電科裝備研制出6英寸半絕緣襯底。 華潤微擁有3條6英寸產線和一條正在建設的12英寸產線，并擁有國內首條實現商用量產的6英寸碳化硅晶圓生產線。

· 我國目前在襯底端已開始占據一定市場份額，如山東天岳2020年半絕緣襯底全球市占率已至30%；而器件端，目前全球意法半導體一家獨大，國內公司尚屬發展早期，但已有部分企業如斯達半導、比亞迪半導體等碳化硅模塊已實現上車應用。新能源汽車驅動市場加速，國內SiC產業鏈蓄勢待發：· 根據Yolé預測，碳化硅器件市場將從2019年5億美元增至2025年25億美元，復合增速達30%。

且 碳化硅晶體的生長環境復雜、工藝控制難度大，整體良率較低，據天岳先進招股書 中披露，公司晶棒環節整體良率在 50%。 2.1.3 切磨拋:SiC 晶錠硬度高、脆性大，加工困難 生長完成的 SiC 晶錠在經過初加工定型后，還需要經過切磨拋環節制成碳化硅 拋光片。

目前公司正加速平臺化布局，現已組建團隊開發LPCVD設備和EPI設備，同時通過外延式發展方式持有拓荊科技、睿勵儀器、理想萬里暉、山東天岳、德龍激光等公司股權，與德國DAS公司戰略合作以開拓半導體行業尾氣處理設備領域。公司技術積累深厚，正逐步打造成為國際一流的平臺型設備企業。

例如，全球最大功率半導體廠家德國英飛凌與中國碳化硅廠家天科合達（TankeBlue）、天岳先進（SICC）簽署了購買碳化硅晶圓、晶錠的協議。此外，瑞士的意法半導體與中國最大的LED廠家、IC 廠家三安光電成立了合資公司。合資公司采用意法半導體自主研發的碳化硅工藝技術，為其生產專用碳化硅產品，以滿足中國客戶需求。由三安光電建工廠，為該合資企業提供200mm碳化硅晶圓。

資料來源：YOLE, 國金證券目前國內長晶爐效率不到Cree的五分之一，目前有天科合達和山東天岳，6寸襯底開始規模化生產或者開始建設產線。外延片市場主要被IDM公司主導，如三菱、英飛凌和意法半導體主導。在國內純粹做外延片的有瀚天天成和東莞天域，均可供應4-6 英寸外延片，中電科13 所、55所都有內部供應的外延片生產部門。