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一般汽車IGBT模塊要求空洞率低于1%；接下來是wire bonding工藝，用金屬線將die和DBC鍵合，使用最多的是鋁線，其他常用的包括銅線、銅帶、鋁帶；中間會有一系列的外觀檢測、靜態(tài)測試，過程中有問題的模塊直接報廢；重復(fù)以上工序?qū)BC焊接和鍵合到銅底板上，然后是灌膠、封殼、激光打碼等工序；出廠前會做最后的功能測試，包括電氣性能的動態(tài)測試、絕緣測試、反偏測試等等。

同時，為了提升合封后的整體良率，Chiplet集成也對測試和質(zhì)量管控提出了更高的要求，包括互連線路的信號質(zhì)量驗證、互操作性功能驗證、測試覆蓋率等考慮，此外也對晶圓級CP與Chiplet合封后成品FT測試流程和測試設(shè)備提出更高挑戰(zhàn)。

作品名稱：基于Ansys Mechanical-CFD雙向耦合的OLED屏幕孔區(qū)封裝不良改善及極限窄邊框設(shè)計作者： 黃世雄 | 綿陽京東方光電科技有限公司關(guān)鍵詞：內(nèi)應(yīng)力，Ansys Mechanical-CFD雙向耦合，內(nèi)聚力，封裝失效，牛角PS作者說利用Ansys工具，可做多項耦合設(shè)置條件，以符合實際多種不同狀況，此設(shè)置包含熱/內(nèi)聚力/內(nèi)應(yīng)力/結(jié)構(gòu)耦合

各芯片連接之后，通過molding將這些芯片都封在一起，然后在EMC(Epoxy Molding Compound)上做過孔，這可比TSV(Through Silicon Via)容易多了。然后在EMC兩面都可以再次RDL，然后上面做UBM和bump。最后可以將其焊接到基板上，然后最上面的芯片也焊接到這個裝配體上，這就完成了3D封裝裝配。

一般汽車IGBT模塊要求空洞率低于1%； 接下來是wire bonding工藝，用金屬線將die和DBC鍵合，使用最多的是鋁線，其他常用的包括銅線、銅帶、鋁帶； 中間會有一系列的外觀檢測、靜態(tài)測試，過程中有問題的模塊直接報廢； 重復(fù)以上工序?qū)BC焊接和鍵合到銅底板上，然后是灌膠、封殼、激光打碼等工序；

圈=膠 圈 =防水膠圈=O型圈 波子螺絲＝定位珠 =彈弓波子 扣機(jī) 就是控制多板分型的機(jī)械裝置模具類： K.O孔——頂棍孔——用來頂頂針板的。

扇出式WLP可根據(jù)工藝過程分為芯片先上（Die First）和芯片后上（Die Last）,芯片先上工藝，簡單地說就是先把芯片放上，再做布線（RDL），芯片后上就是先做布線，測試合格的單元再把芯片放上去，芯片后上工藝的優(yōu)點就是可以提高合格芯片的利用率以提高成品率，但工藝相對復(fù)雜。

然后你還要掌握熱學(xué)、機(jī)械、電學(xué)、力學(xué)、材料等多個學(xué)科的知識！這其中，拿材料舉例，封裝材料中又涉及互連材料、襯底材料、熱界面材料、灌封材料等細(xì)分產(chǎn)品的知識，不可謂不難！而碳化硅封裝，又在此基礎(chǔ)上，困難更甚。