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激光刻蝕是一種采用高能脈沖激光束在零件表面刻蝕出寬度為10~505μm、深度為5~1001μm的微細小槽，以改善材料表面潤滑特性的技術。本案例基于COMSOL軟件模擬了激光刻蝕的過程，仿真結果如圖所示：感興趣的朋友，如想詳細了解仿真過程，可下載模型源文件進行查看，歡迎進行交流！

目前主流芯材以PVC及巴沙木為主流，且為了灌注的順暢，在芯材上會有一定寬度的刻溝。為了獲得高精確的模擬結果，不同于傳統的RTM模擬方式，必須要將纖維和刻溝同時進行模擬。挑戰由于芯材包含了刻溝和孔道，本案例不僅是要模擬常見的純纖維RTM，也要挑戰更復雜的幾何結構，增加仿真的困難度。

本次課程中，我們將演示如何對基于衍射的完整套刻量測系統進行建模——從照明、衍射光柵到光學采集，以及如何通過套刻計算來估算測量精度。

圖6所示的仿真結果展示了SOI條形直波導與高數值孔徑光纖（模場直徑為4.0 μm）之間的模場轉換情況。

，刻面質量用于控制轉化后Icepak熱模型表面的精細程度。

其作用機制在于，通過專業軟件對光刻系統的核心元素（包括光源、掩膜版、光學鏡頭等）進行精準模擬與參數優化，從技術層面助力光刻機突破硬件限制，更精準地刻蝕芯片的微小結構。最終，這一技術不僅實現了光刻分辨率的顯著提升，還有效保障了芯片生產的良率，為集成電路向更小特征尺寸發展提供了核心支撐。上述兩項關鍵技術與光學成像物理仿真等技術相互協同，形成“模擬-優化-校正”的完整技術鏈條。

關鍵詞：鈮酸鋰；定向耦合器；側壁刻蝕鈮酸鋰(Lithium Niobate)，是各向異性的晶體，因此在仿真中需要考慮這一性質。由于x-cut鈮酸鋰是最常使用的，所以在這篇推文中考慮x-cut的鈮酸鋰折射率數據。

離子束刻蝕技術（Ion Beam Etching，IBE）為經典的半導體干法刻蝕技術，發源于1970年代。通過將稀有惰性氣體（如氬、氙等）電離形成帶正電的離子（如本題中的兩個帶電質點），然后使用電場加速（和磁場引導）后精準轟擊基材表面特定位置的原子，從而實現在基材表面的精確刻蝕，具有良好的各向異性。

超構表面偏振/波長/角度響應分析 超光柵的構建 基于神經網絡的超構透鏡設計 設計和分析超透鏡 基于超構透鏡（PCA）實現聚焦與成像5微納加工工藝方案 微納加工完整流程概述 灰度曝光/直寫技術 刻蝕類工藝 其他輔助工藝 典型微納結構加工全流程實例6微納結構的表征 微納結構面型檢測

? AI賦能仿真建模，通過深度學習優化光源-成像的非線性映射關系，實現仿真參數自適應調優，降低極端制程建模誤差；? 多物理場耦合升級，融入EUV光刻偏振、掩模、三維衍射及熱變形等因素，提升仿真與實際制程的契合度；? 跨流程協同仿真，聯動掩模制造、刻蝕工藝構建全鏈路模型，預判光源優化對后續工序的影響；? 極端場景突破，針對1nm及以下節點研發量子化光學仿真模型，突破現有精度瓶頸，為技術迭代提供前瞻性支撐

未來，技術將向多維融合演進：AI賦能仿真模型實現PW與掩模延拓參數的自適應匹配；融入EUV多物理場耦合計算，提升復雜工藝下PW預測精度；構建跨流程協同框架，聯動掩模制造與刻蝕工藝優化PW。極端制程下，量子化數值模型將成為核心，助力1nm及以下節點PW性能突破。

表面浮雕光柵（SRG）和體積全息光柵（VHG）目前業內有兩種類型的衍射光柵： 表面浮雕光柵 體積全息光柵表面浮雕光柵具有使用金剛石車削、3D打印或光刻技術等機械方法制造的小型周期性刻線。每種光柵中的刻線都不相同，使設計人員能夠根據預期應用和波長范圍定制光柵，實現對光的調控。

圖4GRIN透鏡焦距Lf與耦合損耗的關系2、EME仿真：獨立優化互補錐結構，分析其模式轉換效率，分析模場演化，確定 與 的最佳范圍，確保模式平滑轉換。3、3D-FDTD仿真：驗證整個邊緣耦合器的性能，確保各部分協同工作的有效性。

與參考文獻相比，仿真中光柵結構進行了簡化，存在一些小的偏差。由于缺乏關于實際的更詳細的光柵結構的數據，這種簡化是必要的。 光柵#2——參數假設光柵為矩形。忽略了襯底中的欠刻蝕部分。矩形光柵足以表示這種光柵結構。

設計與實現：從仿真到流片1. 仿真優化：遺傳算法與有效介質理論為降低3D FDTD仿真的計算成本，團隊采用有效介質理論（EMT）簡化模型，結合遺傳算法優化結構參數（如孔周期、齒尺寸等）。仿真結果顯示，峰值耦合效率達-2.37 dB（58%），3 dB帶寬30 nm。 圖4 光柵耦合器的耦合效率和背向反射2.

與參考文獻相比，仿真中光柵結構進行了簡化，存在一些小的偏差。由于缺乏關于實際的更詳細的光柵結構的數據，這種簡化是必要的。光柵#2——參數假設光柵為矩形。忽略了襯底中的欠刻蝕部分。矩形光柵足以表示這種光柵結構。

與參考文獻相比，仿真中光柵結構進行了簡化，存在一些小的偏差。由于缺乏關于實際的更詳細的光柵結構的數據，這種簡化是必要的。光柵#2——參數假設光柵為矩形。忽略了襯底中的欠刻蝕部分。矩形光柵足以表示這種光柵結構。

熱管理系統采用了液冷式設計方案，單體電池間隔布置了金屬散熱片(厚度為1mm)，散熱片上刻有流道槽，冷卻液在流道槽內流動并帶走熱量。在低溫環境下，加熱線圈可以加熱冷卻液使電池升溫。Volt的電池組內的溫度差可控制在2℃以內，有力地支持了8年的電池組壽命保證期。 為了開發高效液體熱管理系統進行了基于液體熱管理電池組的CFD仿真、設計和驗證工作。

中微公司專注于研發干法刻蝕（等離子體刻蝕）設備，用于在晶圓上加工微觀結構。干法刻蝕通過等離子釋放帶正電的離子來撞擊晶圓以去除（刻蝕）材料。根據所要去除材料和加工器件結構的不同，可分為電介質刻蝕、導體刻蝕和硅通孔刻蝕。

圖1 光柵結構及斯格明子形狀與位置示意圖 結構設計仿真模型基于均勻銀（Ag）薄膜構建，在薄膜上刻蝕三條鏤空線圍成正六邊形狹縫。采用 FDTD 軟件完成建模，設置六個偏振方向不同的線偏振高斯光源，分別對應照射六組金屬狹縫，搭建完整的仿真測試體系。