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陣列透鏡是照明系統(tǒng)中有用的光學(xué)元件。它是將單個光學(xué)元件組裝或形成為單個光學(xué)元件的二維陣列，用於在照明平面上將光從非均勻分佈空間轉(zhuǎn)換為均勻輻照度分佈。這篇文章討論了複眼空間光學(xué)積分器在數(shù)位投影機(jī)中的使用，以及如何在 OpticStudio 中對此類元素進(jìn)行建模。在數(shù)位投影器設(shè)計(jì)中，我們希望確保數(shù)位光源在輻照度分佈方面與投影圖像相匹配。

Alvarez變焦是一個了不起的光學(xué)系統(tǒng)，其中光學(xué)變焦是由自由曲面鏡頭的橫向位移提供的。這篇解釋了 Alvarez 變焦鏡頭的主要原理，並包括在 Zemax OpticStudio 中對 Alvarez 變焦鏡頭計(jì)算和建模的演示。Luis Walter Alvarez（生於1911 年 6 月 13 日 – 卒於1988 年 9 月 1 日）是美國實(shí)驗(yàn)物理學(xué)家、發(fā)明家和教授。

許多設(shè)計(jì)過程需要兩種不同的光學(xué)理論/算法來分別處理光束在自由空間和微結(jié)構(gòu)中的傳播，而其他一些過程僅使用純光線追跡來達(dá)到目標(biāo)。由於模擬技術(shù)發(fā)展迅速，因此本文可能沒有涵蓋所有可用方法。如果用戶提供新訊息或有任何要求，請隨時(shí)與我們聯(lián)繫，我們可以相應(yīng)地更新本文。

在此示例中，我們將使用840 nm中心波長，60 nm FWHM光源，該光源透過以下方式在空氣中提供5μm的軸向分辨率：這些光譜特性來自Superlum市售的超發(fā)光二極管，它具有生物成像的共同波長和足夠高的分辨率的帶寬。 我們將忽略準(zhǔn)直光學(xué)，而是從入射光束進(jìn)入干涉儀開始。

然後將薄膜進(jìn)行化學(xué)或熱顯影：這就是光柵。光柵上的表面是光滑的，但光柵內(nèi)部的折射率是正弦調(diào)變的。為了對VHG進(jìn)行建模，需要使用高效的Kogelnik理論或嚴(yán)格耦合波分析（RCWA）等算法。 圖1（a）所示的SRG，可以通過幾種方法製造，如電子束寫入，光刻，納米壓印，或鑽石車削。與VHG不同，SRG沒有空間變化的折射率。相反，光柵的表面是由周期性的微結(jié)構(gòu)組成的。

什麼是Field以及Ray係數(shù)常常使用者在這個主題上會有一些混亂，因?yàn)楸∧だ碚撘约跋嚓P(guān)的設(shè)計(jì)軟體程式，通常以不同的觀點(diǎn)來處理這個問題，而這個觀點(diǎn)與光線追跡的程式有很大的不同。在薄膜光學(xué)中，我們通常處理光的場 (field)，一般來說即是所謂的平面波。然而，光線的處理方式在本質(zhì)上有很大不同，光線是局部的、無限小的且?guī)в心芰康囊稽c(diǎn)，擁有位置以及傳播方向等資訊。光線所看到的世界與薄膜的世界是不同的。

所有這三種解決方案都可以在物理光學(xué)傳播 (POP) 中的 OpticStudio 中建模。一旦確定了由這些解決方案中的任何一個定義的光束的輸入分佈，就會使用 POP 將光束傳播通過感興趣的光學(xué)系統(tǒng)。

但人眼系統(tǒng)具有相對較小的光瞳尺寸，因此在此類系統(tǒng)的設(shè)計(jì)上，一般會認(rèn)為球差和彗差並不十分重要。同理，其餘的像差在此也可先行忽略。隨著自由曲面製程技術(shù)的演進(jìn)，光學(xué)設(shè)計(jì)者得以摒除許多以往的限制條件。同時(shí)，OpticStudio具有優(yōu)越的運(yùn)算能力，可以進(jìn)行規(guī)模較大的系統(tǒng)和更多影像參數(shù)的模擬。得益於此，眼科鏡片的設(shè)計(jì)可以有更進(jìn)一步的改善，我們將在以下的文章中詳述。

曾牽頭建設(shè)了國內(nèi)領(lǐng)先的硅光專用封測平臺，并在上海具體推動先進(jìn)制程硅光量產(chǎn)流片平臺和測試平臺建設(shè)和產(chǎn)業(yè)化運(yùn)營。</p><p><strong>內(nèi)容簡介：</strong>本報(bào)告具體介紹先進(jìn)硅基光電子制造平臺對硅光器件的賦能和提升，并展望制造平臺對高速光互連以及其它硅光特色應(yīng)用的關(guān)鍵支撐作用。

01/簡介隨著集成電路制程持續(xù)向3nm及以下節(jié)點(diǎn)突破，光刻系統(tǒng)中的光學(xué)衍射、掩模三維效應(yīng)與光致抗蝕劑非線性響應(yīng)形成強(qiáng)耦合，使光源-掩模優(yōu)化、光學(xué)鄰近校正等核心環(huán)節(jié)面臨“精度-效率-魯棒性”三重挑戰(zhàn)。

01/簡介光刻技術(shù)，作為半導(dǎo)體芯片制造的“靈魂工序”，直接決定芯片的制程精度與性能上限，更是全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭的核心制高點(diǎn)。當(dāng)制程節(jié)點(diǎn)邁入5nm及以下的精微領(lǐng)域，芯片關(guān)鍵尺寸已逼近原子級別，傳統(tǒng)標(biāo)量成像理論因無法精準(zhǔn)捕捉光的偏振特性對成像精度的影響，已難以滿足關(guān)鍵尺寸均勻性（CDU）的嚴(yán)苛要求，制程升級陷入瓶頸。

<p class="ql-align-center"><strong>?光刻鏡頭案例分析</strong></p><p><br></p><p class="ql-align-justify"><br></p><p><strong style="color: rgb(13, 80, 199);">簡介</strong></p><p class="ql-align-justify">光刻鏡頭作為先進(jìn)制程芯片制造的核心光學(xué)組件

三維矢量成像模型通過全空間矢量光場建模，可精準(zhǔn)捕捉雙遠(yuǎn)心光路下三維偏振演化與深度衍射規(guī)律，成為破解該瓶頸的關(guān)鍵。本文以零波像差雙遠(yuǎn)心成像為視角，對比二維與三維矢量模型的適配性差異，重點(diǎn)聚焦三維模型的應(yīng)用機(jī)理，為先進(jìn)三維制程光刻精度提升提供理論支撐。

? AI賦能仿真建模，通過深度學(xué)習(xí)優(yōu)化光源-成像的非線性映射關(guān)系，實(shí)現(xiàn)仿真參數(shù)自適應(yīng)調(diào)優(yōu)，降低極端制程建模誤差；? 多物理場耦合升級，融入EUV光刻偏振、掩模、三維衍射及熱變形等因素，提升仿真與實(shí)際制程的契合度；? 跨流程協(xié)同仿真，聯(lián)動掩模制造、刻蝕工藝構(gòu)建全鏈路模型，預(yù)判光源優(yōu)化對后續(xù)工序的影響；? 極端場景突破，針對1nm及以下節(jié)點(diǎn)研發(fā)量子化光學(xué)仿真模型，突破現(xiàn)有精度瓶頸，為技術(shù)迭代提供前瞻性支撐

來源 | Advanced Materials 01背景介紹非晶（無定形）材料指原子排列缺乏長程周期性的固體材料，普遍存在于自然界中，也是工業(yè)生產(chǎn)及日常生活中使用最為廣泛的一類材料。非晶氧化鎵具有超寬的禁帶寬度和優(yōu)異的物理化學(xué)特性，是制造高功率芯片和柔性光電子器件的重要基礎(chǔ)材料。

未來，技術(shù)將向“精準(zhǔn)泛化”與“跨域協(xié)同”深度演進(jìn)?AI賦能模型升級，通過模型驅(qū)動深度學(xué)習(xí)嵌入物理先驗(yàn)，實(shí)現(xiàn)目標(biāo)函數(shù)權(quán)重與罰函數(shù)閾值的自適應(yīng)調(diào)整，降低對大規(guī)模標(biāo)注數(shù)據(jù)的依賴；?多物理場耦合建模，融入EUV偏振、掩模三維衍射及熱效應(yīng)，提升極端制程下模型適配性；?跨流程協(xié)同優(yōu)化，聯(lián)動OPC與掩模制造模型構(gòu)建全鏈路框架，解決邊界拼接問題；?極端場景突破，針對1nm以下節(jié)點(diǎn)研發(fā)量子化稀疏表示與新型迭代求解器

05/基于模型的OPC修正流程詳解作為先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的主流修正方式，基于模型的OPC憑借高精度優(yōu)勢適配復(fù)雜圖形需求，其完整流程圍繞“建模-分割-迭代修正-綜合補(bǔ)償-驗(yàn)證”展開，具體步驟如下：第一步是構(gòu)建精確光刻模型。

在多種工具切換、資深設(shè)計(jì)師經(jīng)驗(yàn)傳承不足的挑戰(zhàn)下，如何提升設(shè)計(jì)效率、縮短時(shí)程并兼顧良率，成為產(chǎn)業(yè)共同課題。本場研討會將介紹 Ansys SynMatrix，一款專為射頻濾波器設(shè)計(jì)打造的智能平臺，結(jié)合 HFSS 電磁仿真、AI 優(yōu)化與計(jì)算機(jī)輔助調(diào)諧（CAT），協(xié)助工程師在單一環(huán)境中完成設(shè)計(jì)、仿真、優(yōu)化到制造的全流程。

未來，技術(shù)演進(jìn)將圍繞“精準(zhǔn)泛化”“多場耦合”“跨域協(xié)同”三大方向深化：? AI賦能的自適應(yīng)建模，通過深度學(xué)習(xí)挖掘水平條塊、豎直線條、復(fù)雜電路等不同圖形的隱性非線性關(guān)聯(lián)，實(shí)現(xiàn)仿真參數(shù)與優(yōu)化目標(biāo)的動態(tài)匹配，降低對人工經(jīng)驗(yàn)的依賴；? 多物理場耦合模型升級，融入EUV光刻的偏振效應(yīng)、掩模三維衍射及熱變形等因素，構(gòu)建“光-機(jī)-熱”多場耦合的NCS-SMO框架，提升極端制程下的優(yōu)化魯棒性；?