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</p><p><br></p><p><strong style="color: rgb(8, 121, 226);">2.2 分辨率與放大倍數(shù)</strong></p><p>SEM的表面分辨率可以達(dá)到1-10nm，主要觀察微米至納米級(jí)的表面細(xì)節(jié)。SEM的放大倍數(shù)通常為10-105倍，覆蓋宏觀到納米的觀察范圍。

表面微觀形貌與成分分析（SEM & EDS）為探究表面拒焊的根本原因，利用掃描電子顯微鏡（SEM）及X射線能量色散譜儀（EDS）對(duì)焊盤表面進(jìn)行了深度觀測(cè)。 SEM形貌觀察： 高倍顯微鏡下，清晰可見焊盤表面存在嚴(yán)重的龜裂現(xiàn)象，且裂痕主要沿著晶界擴(kuò)散。

上面是論文中的SEM圖，下面是comsol的繪制結(jié)果，這么多納米柱的三維comsol仿真電腦是跑不動(dòng)的，二維的話還可以試一試。

場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡與SEM的比較及優(yōu)勢(shì)在微觀世界的研究中，掃描電鏡（SEM）一直是科學(xué)家們探索材料表面和內(nèi)部結(jié)構(gòu)的重要工具。隨著技術(shù)的進(jìn)步，場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡（FESEM）以其卓越的性能，成為了SEM家族中的佼佼者。本文將深入探討FESEM的工作原理、特點(diǎn)，并與傳統(tǒng)SEM進(jìn)行對(duì)比，揭示FESEM的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。FESEM的工作原理1.

SEM是掃描電鏡，英文全稱為Scanning Electron Microscope。以下是關(guān)于掃描電鏡的一些基本信息： 1、工作原理：掃描電鏡是一種利用電子束掃描樣品表面，通過檢測(cè)電子與樣品相互作用產(chǎn)生的各種信號(hào)來獲取樣品表面微觀結(jié)構(gòu)信息的電子顯微鏡。電子槍發(fā)射出的電子束，經(jīng)過電磁透鏡聚焦和加速后，形成一束高能量的細(xì)電子束，掃描線圈控制電子束在樣品表面進(jìn)行逐行掃描。

(a) PU網(wǎng)的SEM圖像,(b) PU網(wǎng)的放大SEM圖像,(c)GNP的SEM圖像,(d) GNP涂層PU混合物的頂面SEM圖像,(d) GNP涂層PU混合物的表面SEM圖像,(f) GNP50薄膜的表面SEM圖像,(g-k)GNP60的照片。圖3.

圖5.CNCs氣凝膠的SEM圖:(a)俯視圖，(b)內(nèi)部側(cè)面視圖,A-CNCs氣凝膠的SEM圖像:(c)內(nèi)部側(cè)視圖,(d) A-CNC/STA-5EGaIn/MoS2氣凝膠的數(shù)字圖像,A-CNC /STA-5EGaIn/MoS2氣凝膠的SEM圖像:(e)俯視圖，(f)內(nèi)部側(cè)面視圖。

通過FIB-SEM對(duì)電極極片進(jìn)行結(jié)構(gòu)表征時(shí)，先利用聚焦離子束（FIB）在電極極片上將樣品切割為類正方體的形狀，通過SEM對(duì)樣品的指定側(cè)面進(jìn)行形貌掃描得到側(cè)表面的結(jié)構(gòu)表征，進(jìn)一步通過FIB對(duì)此表面進(jìn)行切除并用SEM繼續(xù)形貌掃描。通過FIB反復(fù)切割和SEM反復(fù)形貌掃描得到的一系列二維圖像，進(jìn)而重構(gòu)得到電極的三維微觀結(jié)構(gòu)。

圖2 提取物的紅外光譜圖圖3 提取物的TIC圖3.2材料的形貌分析原樣SEM-EDS分析，噴金后測(cè)試SEM-EDS,從SEM圖中可以看到明顯的纖維狀物質(zhì)和球形填料。SEM譜圖見圖4。整體上主要含有C\O\Si\Al元素，纖維上主要是C說明是碳纖維或者碳納米管等。球狀物主要是Al, O的比例跟三氧化二鋁的比例47%不符，說明是AL粉不是三氧化二鋁。

圖3.不同倍數(shù)的 LM-BN-W的SEM微觀結(jié)構(gòu)以及EDS能譜。 圖4.不同倍數(shù)的 LM+W-BN的SEM微觀結(jié)構(gòu)以及EDS能譜。 圖5.

壓縮變形的SEM 圖：(a) ~10%、(b) ~40% 和 (c) ~60% 變形；(d)完全恢復(fù)后SiC NFAS的 SEM 圖（標(biāo)記的紅色圓圈和曲線分別表示壓縮和恢復(fù)過程中位移的變化）；(e–g) SiC NFAS 的彎曲過程；(h–j)展示了SiC NFAS的靈活性。測(cè)試結(jié)果表明，SiC NFAS在宏觀和微觀尺度上均具有優(yōu)異的回彈性。 圖5.

SEM是由EMWs在屏蔽材料的兩個(gè)界面(如圖2所示的界面1和界面2)之間的宏觀多次反射產(chǎn)生的。可以表示為:通常，當(dāng)SE>15dB或材料厚度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于蒙皮深度時(shí)，可以忽略SEM。蒙皮深度定義為EMW強(qiáng)度可以衰減到初始強(qiáng)度的1/e的厚度。值得注意的是，這里將SEM稱為宏觀多重反射損耗，以區(qū)別于多孔屏蔽材料微觀結(jié)構(gòu)中發(fā)生的微觀多重EMW反射。

(a)機(jī)械化學(xué)球磨剝離的BNNS示意圖，(b) h-BN的SEM圖像，(c)剝離后BNNS的SEM， (d) TEM， (e) HR-TEM形態(tài)學(xué)圖像，(e)SAED譜圖。(f, g) AFM圖像及相應(yīng)的BNNS高度和橫向尺寸，(h)h- BN和剝離BNNS的XRD譜圖。(i) h-BN和BNNS在去離子水中分散36h的照片。 圖2.

SEM和NTU方法有它們各自的應(yīng)用局限性。和我們關(guān)系最大的就是SEM由于提供了一個(gè)UDF接口，使 得我們可以通過自己編寫程序模擬有相變的計(jì)算，而NTU則幾乎無法實(shí)現(xiàn)。

(暖色(紅色)代表正強(qiáng)度，而冷色(藍(lán)色)代表負(fù)強(qiáng)度),(i) STC-2單軸拉伸至300%前后的SAXS圖像,(j) STC-2的劃痕自愈過程光學(xué)圖像,(k) STC-2自愈后劃痕的SEM圖像,放大后的掃描電鏡圖像突出顯示了完整納米片網(wǎng)絡(luò)的表面積。 圖3.

不同放大倍數(shù)下PRF/SPRA在(a) z方向和(b?d) X/ y方向的SEM圖像。

玻璃水（粉紅）與制件斷面（藍(lán)色）、制件正常截面（綠色）的紅外光譜對(duì)比圖開裂原因分析總結(jié)建議根據(jù)光學(xué)顯微鏡、SEM、紅外光譜法對(duì)塑料制件的斷裂面及玻璃水分析對(duì)比可知：1）由學(xué)顯微鏡、SEM 的形貌圖可知，塑料制件斷面形貌平整，為典型的脆性斷裂形貌特征，且斷面有較大的溶劑侵蝕形貌特征；2）由塑料制件斷面的顯微紅外光譜

(a) HTPs的SEM圖像和(b) TEM圖像，(c)高溫高溫顆粒分布，(d, e) FTPU?HTPs薄膜的SEM圖像，(f) FTPU?HTPs薄膜截面的SEM圖像，(g) FTPU、FTPU?HTPs10%、FTPU?HTPs20%和FTPU?HTPs30%的WCA和(h)反射率和發(fā)射率光譜。圖5.

初始BN漿液濃度為(d) 50 mg/mL， (e) 150 mg/mL， (f) 200 mg/mL時(shí)3D BN- TA骨架的側(cè)面SEM圖像。 圖3.初始BN濃度為400 mg/mL, BN/TA質(zhì)量比為(a)1:0，(b)為1:0.1，(c)為1:15 . 5，(d)1:0.3時(shí)，三維BN-TA骨架的橫截面SEM圖像。 圖4.

圖2.a) BNNS和mBNNS的SEM圖像和b) FTIR光譜。c) mBNNS/EVOH(左)和mBNNS/PU(右)的ESP在?0.03 ~ 0.03范圍內(nèi)繪制。d) m-E和e) m-P的SEM圖像。f) NO-NM, NO-M, O-M的XRD。g)納米片沿平面方向的取向分?jǐn)?shù)。纖維膜h)壓前和i)壓后的SEM橫截面圖(傳熱路徑如圖中紅色曲線所示)。