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此外，相較于集成光子器件中的基本結(jié)構(gòu)單元如馬赫曾德干涉器和環(huán)形諧振器，其中光只沿一個(gè)方向傳播，Sagnac干涉器件可以在光路中引入光的雙向傳播，這使得器件干涉更加豐富，響應(yīng)也更為多元化。在過(guò)去的10年中，很多以Sagnac干涉器為基本結(jié)構(gòu)單元的集成光子器件不斷涌現(xiàn)，并展現(xiàn)出許多傳統(tǒng)集成光子器件所不具備的新特性和優(yōu)勢(shì)。

然后，可以為電荷輸運(yùn)設(shè)置直流、交流或瞬態(tài)分析，以及為光子學(xué)設(shè)置寬帶光傳播或本征模式分析，從而為這些器件提供全面的多物理場(chǎng)分析。光電結(jié)果提取垂直光電探測(cè)器光電探測(cè)器是光子集成電路 (PIC) 中的關(guān)鍵元件，可實(shí)現(xiàn)單片電光系統(tǒng)。光電探測(cè)器使用在設(shè)計(jì)波長(zhǎng)下具有強(qiáng)吸收的材料將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。在硅光子學(xué)中，鍺是一種常見(jiàn)的材料選擇，因?yàn)樗c大多數(shù)硅工藝兼容，并且可以在硅頂部低缺陷生長(zhǎng)。

本月推出6場(chǎng)Ansys直播，涉及Speos、LS-DYNA、zemax、電源芯片、光子集成等，以下為直播場(chǎng)次列表。

然后，可以為電荷輸運(yùn)設(shè)置直流、交流或瞬態(tài)分析，以及為光子學(xué)設(shè)置寬帶光傳播或本征模式分析，從而為這些器件提供全面的多物理場(chǎng)分析。光電結(jié)果提取垂直光電探測(cè)器光電探測(cè)器是光子集成電路 (PIC) 中的關(guān)鍵元件，可實(shí)現(xiàn)單片電光系統(tǒng)。光電探測(cè)器使用在設(shè)計(jì)波長(zhǎng)下具有強(qiáng)吸收的材料將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。在硅光子學(xué)中，鍺是一種常見(jiàn)的材料選擇，因?yàn)樗c大多數(shù)硅工藝兼容，并且可以在硅頂部低缺陷生長(zhǎng)。

由于電子集成電路（EIC）和印刷電路板（PCB）產(chǎn)生的熱量，緊湊型CPO內(nèi)部的溫度變化會(huì)影響硅光子元件的性能。本文旨在：1）通過(guò)熱仿真了解CPO內(nèi)部的溫度分布；2）找到電路板上WDM元件的理想位置，以減輕電子元件發(fā)熱帶來(lái)的不利影響。首先，使用Icepak對(duì)整個(gè)封裝進(jìn)行熱仿真。然后可以生成光子（硅）層的溫度分布圖，并將其導(dǎo)出以用于光子電路仿真。

本文介紹了一種用于光子集成電路光纖-波導(dǎo)耦合系統(tǒng)的多尺度仿真工作流程。光與光柵耦合器在微觀(guān)上的相互作用使用 Ansys Lumerical 進(jìn)行仿真，而 Ansys Zemax OpticStudio 則用于宏觀(guān)傳播和公差分析。此示例的工作流由四個(gè)步驟組成。前兩個(gè)步驟模擬了光從光柵耦合器傳播到光纖（“出”方向），而后兩個(gè)步驟模擬了光從光纖傳播到光柵耦合器（“入”方向）。

01 說(shuō)明 本文旨在介紹Ansys Lumerical針對(duì)有源光子集成電路中PN耗盡型移相器的仿真分析方法。通過(guò)FDE和CHARGE求解器模擬并計(jì)算移相器的性能指標(biāo)（如電容、有效折射率擾動(dòng)和損耗等），并創(chuàng)建用于INTERCONNECT的緊湊模型，然后將其表征到INTERCONNECT的測(cè)試電路中實(shí)現(xiàn)，模擬反向偏置電壓對(duì)電路中信號(hào)相移的影響。

附件下載聯(lián)系工作人員獲取附件本文介紹了一種用于光子集成電路光纖-波導(dǎo)耦合系統(tǒng)的多尺度仿真工作流程。光與光柵耦合器在微觀(guān)上的相互作用使用 Ansys Lumerical 進(jìn)行仿真，而 Ansys Zemax OpticStudio 則用于宏觀(guān)傳播和公差分析。此示例的工作流由四個(gè)步驟組成。

這項(xiàng)技術(shù)對(duì)一般人而言顯得陌生，但卻吸引Apple、NVIDIA、臺(tái)積電等巨頭公司近年來(lái)陸續(xù)投入研發(fā)打造，它就是集20世紀(jì)兩大最重要的發(fā)明硅集成電路與半導(dǎo)體激光大成的硅光子。當(dāng)電子結(jié)合光子，不只解決原本信號(hào)傳輸?shù)暮膿p問(wèn)題，甚至視為開(kāi)啟摩爾定律新篇章、顛覆未來(lái)世界的關(guān)鍵技術(shù)。 集成電路（IC）將上億個(gè)晶體管微縮在一片芯片上，進(jìn)行各種復(fù)雜的運(yùn)算。硅光子則是集成電路，把能導(dǎo)光的線(xiàn)路全數(shù)集中。

表面等離子體與電路設(shè)計(jì)的實(shí)際集成，取決于傳播長(zhǎng)度和約束之間的反比關(guān)系的平衡。理想情況下，表面等離子體光波導(dǎo)可同時(shí)最大限度增加表面等離子體的約束和傳播長(zhǎng)度，以獲得最佳效果。表面等離子體激元傳播造成的耗散損耗可以通過(guò)增益放大或集成光纖等光子元件來(lái)抵消，從而產(chǎn)生混合表面等離子體光波導(dǎo)。表面等離子體光波導(dǎo)呈亞波長(zhǎng)模態(tài)，小于光的衍射極限。

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由于能夠?qū)Σ捎肰erilog-A建模的光子集成電路進(jìn)行仿真，因此Ansys可支持GF Fotonix平臺(tái)，支持范圍包括結(jié)合定制組件與代工廠(chǎng)庫(kù)組件采用先進(jìn)節(jié)點(diǎn)半導(dǎo)體技術(shù)的計(jì)算芯片的設(shè)計(jì)。

RF-CMOS技術(shù)集成在同一個(gè)硅晶圓上，實(shí)現(xiàn)規(guī)?；某咝阅?。

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為滿(mǎn)足這種不斷增長(zhǎng)的需求，GF著力開(kāi)發(fā)突破性的半導(dǎo)體解決方案，利用光子而非電子的優(yōu)勢(shì)來(lái)傳輸和移動(dòng)數(shù)據(jù)，有助于GF在快速發(fā)展的光網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域保持領(lǐng)先地位。 GF Fotonix是GF在多方面均取得突破性進(jìn)展的新一代單片平臺(tái)，在業(yè)界率先將優(yōu)異的300mm光子技術(shù)與RF-CMOS技術(shù)集成在同一硅晶圓上，實(shí)現(xiàn)了規(guī)?；某咝阅?。

Ansys Lumerical INTERCONNECT INTERCONNECT 是 Ansys Lumerical的光子集成電路仿真器，可驗(yàn)證多模、雙向和多通道PIC。

上海市明確提出發(fā)展光子芯片與器件，重點(diǎn)突破硅光子、光通訊器件、光子芯片等新一代光子器件的研發(fā)與應(yīng)用，對(duì)光子器件模塊化技術(shù)、基于CMOS的硅光子工藝、芯片集成化技術(shù)、光電集成模塊封裝技術(shù)等方面的研究開(kāi)展重點(diǎn)攻關(guān)。湖北省、重慶市、蘇州市等政府都把硅光芯片作為“十四五”期間的重點(diǎn)發(fā)展產(chǎn)業(yè)。

內(nèi)容簡(jiǎn)介高壓電器常見(jiàn)于電力系統(tǒng)、工業(yè)供電系統(tǒng)中，屬于非常重要的電能傳輸和分配電氣設(shè)備。同時(shí)，由于高壓電器的內(nèi)部涉及的結(jié)構(gòu)種類(lèi)較多，而各機(jī)械結(jié)構(gòu)的材料性能以及結(jié)構(gòu)組成形式都進(jìn)一步地影響著電器開(kāi)關(guān)的性能發(fā)揮，不斷革新、優(yōu)化，進(jìn)一步提升著高壓電器開(kāi)關(guān)的應(yīng)用性能與使用穩(wěn)定性。同時(shí)高壓電器領(lǐng)域的故障診斷方式也是客戶(hù)非常關(guān)注的點(diǎn)，如何采用OptiSLang