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所以很多國家和地區的企業紛紛自研新技術，或者自研先進的光刻機等設備，這意味著ASML的EUV光刻機也正在被拋棄。

中芯國際實現14nm芯片量產，靠的是進口ASML的DUV光刻機，可如果國產光刻機能夠實現28nm以下節點的突破，很有可能觸及到DUV光刻機的工藝程度。那么距離最高的EUV光刻機技術就不會太過于遙遠了。

業界資料顯示，當下全球僅有阿斯麥（ASML）能制造出 EUV光刻機。過去的十年時間里，阿斯麥總共售出大約140套EUV光刻機，現在每一套系統的成本高達2億美元。

為什么選擇極紫光 光刻機的分辨率是光刻機能夠清晰投影最小圖像的能力，這一關鍵指標決定了這臺光刻機可以用于何種工藝節點。R=k1*λ/NA代表了與其相關的多個參數，其中R為分辨率，k1為光刻工藝系數，λ為波長，NA為數值孔徑。 很明顯，要想壓縮分辨率有三種方法，減小光刻工藝系數，減小波長或是增加數值孔徑。

首臺國產28納米工藝浸沒式光刻機有望交付我國在光刻機方面的技術積累和人才儲備相對不足，雖無法制造高端光刻機，但可以制造一些低、中端的光刻機。2008年起，我國開始重視光刻機的研發。為推動我國集成電路制造產業的發展，國家決定實施科技重大專項“極大規模集成電路制造裝備及成套工藝”項目（又稱“02專項”）。

為了維持光線在光刻機內的留存率，光刻機內需要保持真空狀態，來避免本就“脆弱”的極紫外光線被空氣吸收。據悉，目前臺積電擁有80 臺EUV 設備，且正在安裝更新下一代。照此估算，臺積電一年僅這80臺EUV光刻機的耗電量將高達8億千瓦時。而這也僅僅只是臺積電晶圓制造的上百個環節當中最為耗電的其中一個部分。

ASML在45nm以下制程的高端光刻機市場中占有85%的份額。從ASML在2022年第一季度的出貨情況來看，其一共出售了62臺光刻機，包括59臺新光刻機和3臺二手光刻機。但是，目前ASML生產光刻機的速度仍然難以趕上訂單規模。ASML預計，公司在2024年才能將積壓訂單消化完畢。溫寧克稱，市場對其生產的光刻機系統需求超過了當前產能。

ASML在這一季度共售出59臺全新光刻機和3臺二手光刻機，相比之下，上一季度的相應數據分別為72臺和10臺。 從終端應用上看，該季度ASML來自邏輯和存儲芯片領域的貢獻均為50%，與上一季度相比，來自存儲客戶的銷售大增。

ASML在2020年出貨其第100臺EUV光刻機2019 年，第一款支持 EUV 的商業產品發布（三星的 Galaxy Note10 和 Galaxy Note10+ 智能手機）。2020 年 12 月，ASML 慶祝了第 100 臺 EUV 系統出貨，截至 2021 年底，127 臺最新一代 EUV 機器在全球客戶所在地使用。

另外，針對網上流傳的的碳基芯片可避開EUV光刻機的謠言，可信度也非常低。原因之一就在于，碳基芯片只是在同等性能的前提下，制程難度低于硅芯片，如同為10nm制程，碳基芯片的性能大概是硅芯片性能的5到10倍，但不管是哪種材料，要想生產7nm及以下的芯片，如今有且只有一條路，那就是通過EUV光刻機。寫在最后不可否認的是，與硅基芯片相比，碳基芯片的優勢的確很大。

在此種背景下，我國也在不斷加大高新技術的研發力度，并在眾多領域實現了彎道超車，一舉扭轉了科技落后的不利局面，在我國一項尖端技術高調問世之后，局勢就已經徹底被改變了，就連歐美國家都眼紅不已，重要性更是堪比光刻機。

在此種背景下，我國也在不斷加大高新技術的研發力度，并在眾多領域實現了彎道超車，一舉扭轉了科技落后的不利局面，在我國一項尖端技術高調問世之后，局勢就已經徹底被改變了，就連歐美國家都眼紅不已，重要性更是堪比光刻機。

祥明大學系統半導體工程教授Lee Jong-hwan說道：“三星已引進數十臺EUV光刻設備，據說每臺設備的成本約為2000億韓元，這表明該公司打算擴大3nm量產機會，并在未來實現2nm計劃。” 此前，三星電子宣布計劃到2025年擁有100臺EUV光刻機。市場估計三星目前的EUV機群約為40臺。

在此種背景下，我國也在不斷加大高新技術的研發力度，并在眾多領域實現了彎道超車，一舉扭轉了科技落后的不利局面，在我國一項尖端技術高調問世之后，局勢就已經徹底被改變了，就連歐美國家都眼紅不已，重要性更是堪比光刻機。 要知道，以美國為首的西方國家，為了繼續保持領先優勢，就不斷處處打壓我國，更是壟斷了不少高新技術，而在3D機床打印技術問世之后，這種不利局面就被徹底改變了。

●該設備采用NIL技術，即將掩膜（Mask，即“模具”）直接按壓在晶圓的光刻膠上，從而“忠實”地將掩膜上的線路復制到晶圓上。佳能利用在噴墨打印機（Inject Pinter）領域中積累的“噴墨技術”，依據電路圖案調整光刻膠，并在最準確的位置涂覆最合適的量。最后，將掩膜對準涂覆有光刻膠的晶圓，以極高的精度對正確的位置進行“壓印”，形成線路。

此外，ASML宣布已收到英特爾對下一代光刻機EXE：5200的訂單，該光刻機單價將超過3.4億美元。

通過專業軟件對光刻系統光源、掩膜版、光學鏡頭等核心元素進行全流程精準模擬與參數優化，從軟件層面突破光刻機硬件性能限制，助力其更精準地刻蝕芯片微小結構，最終實現光刻分辨率與芯片生產良率的雙重提升，為集成電路向更小特征尺寸迭代提供核心技術支撐。

光刻機設備陸續到位，有助于加速推進公司光刻膠技術產業化 。公司采購的用于I線光刻膠研發的Nikon-i14型光刻機，用于KrF光刻膠研發的Nikon-205C型光刻機，用于ArF干法光刻膠研發的ASML-1400型光刻機，以及用于ArF浸沒式光刻膠研發的ASMLXT1900Gi型光刻機已全部到廠。

作為最著名的衍射效應之一，泰伯(Talbot)效應可以用于光刻技術中以制造周期性納米結構。繼I.-H. Lee等人，我們在六邊形網格上構造了一個圓錐形光柵掩膜版，并以深度方式模擬了Talbot圖像的生成。 特別是，由于光刻過程中使用的紫外光是非偏振的，因此我們在示例中演示了如何為VirtualLab Fusion中的光柵模擬建模非偏振光。

由于驗證周期通常為 6－24 個月，下游晶圓廠切換光刻膠成本較高，通常客戶切換光刻膠意愿不強，光刻膠企業較難進行客戶的突破。設備壁壘：送樣前，光刻膠生產商需要購臵光刻機用于內部配方測試，根據驗證結果調整配方。光刻機設備昂貴，數量有限且供應可能受國外限制，尤其是 EUV 光刻機目前全球只有 ASML 能批量供應。