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工藝始于LNOI晶圓（圖5a），隨后使用300nm厚ma-N2430光刻膠通過電子束光刻技術對頂層TFLN進行圖案化。接著采用Ar等離子體感應耦合等離子體反應離子刻蝕技術，蝕刻掉200nm厚的鈮酸鋰層，形成TFLN波導、分路器/合路器及導電孔（如圖5b所示）。接著通過等離子體增強化學氣相沉積法在芯片頂部沉積900nm厚的二氧化硅層（如圖5c所示）。

10 國內首款全自主計算光刻EDA軟件研發成功“OPC是芯片設計工具EDA工業軟件的一種，沒有這種軟件，即使有光刻機，也造不出芯片。從基礎研究到產業化應用，我們團隊堅持最底層的代碼一行行敲、最基礎的公式一個個算，整整走了十年。十年磨一劍，就是要解決芯片從設計到制造的卡脖子問題。”

幾個參數芯片制造過程可簡述為：先把硅石提純，熔化提拉為單晶硅圓柱并切片為晶圓；再根據芯片設計電路，通過光刻、刻蝕、摻雜等在晶圓上集成電路；最后，芯片從晶圓上切下來，貼片、封裝并測試。——芯片制程：芯片晶體管柵極寬度的大小。數字越小，晶體管密度越大，芯片性能就越高。逐漸縮小的芯片制程數字，代表著芯片技術進步的方向。——晶圓尺寸：目前主要有6英寸、8英寸和12英寸。

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