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在硅通孔電熱耦合,內(nèi)部材料銅中間二氧化硅外部硅材料,給銅一端接1v電勢,一端接地。為什么得到的溫度很高?




,e:氧化耦合損傷的模擬蠕變用的一個基于應變的損傷模型:疲勞用的一個損傷模型來得到疲勞的損傷因子,這個模型不太了解:氧化用的就是拋物線規(guī)律中氧化層厚度乘于一個距離的系數(shù)作為損傷因子:子程序中把每一步的損傷相加得到總的損傷,簡單的線性累計損傷我想按照這種方法做個陶瓷的蠕變,氧化耦合損傷,然后看看能不能再考慮熱震損傷




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