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，闡述了增材制造金屬晶格結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)、優(yōu)化、性能及應(yīng)用，并根據(jù)目前增材制造金屬晶格結(jié)構(gòu)的研究成果，討論了其局限性和未來(lái)的發(fā)展方向。

然而各個(gè)物理參數(shù)之間的復(fù)雜聯(lián)系形成了緊密的聲子-電子耦合關(guān)系，使得熱電材料的性能優(yōu)化極其具有挑戰(zhàn)性，調(diào)控這些強(qiáng)烈耦合的復(fù)雜熱電參數(shù)是提高材料ZT值和制冷效率的關(guān)鍵。

原版鏈接CAD Voronoi3D V1.0.0更新說(shuō)明CAD Voronoi3D V1.0.1版本對(duì)泰森多邊形晶格進(jìn)行進(jìn)一步的優(yōu)化。采用新算法大幅度減少形體邊界出現(xiàn)小晶格的可能性，使區(qū)塊更均勻：優(yōu)化曲邊邊界晶格曲率問(wèn)題，消除曲邊形體晶格邊界曲率過(guò)大現(xiàn)象：優(yōu)化生成算法，提高生成效率。優(yōu)化后的晶格邊界。

如需Abaqus2023及以下版本的插件可查看：https://www.yqgqt.org.cn/post/1790098 更新日志 2024/04/10 V3.0 1、適配Python3及Abaqus2024以上版本； 2、優(yōu)化插件界面及提示； 3、優(yōu)化許可認(rèn)證。

晶格呈現(xiàn)梯度分布的同時(shí)，對(duì)晶格的形狀進(jìn)行控制，使單個(gè)晶格的形狀在各個(gè)方向上無(wú)明顯差異，保證了晶格呈現(xiàn)出均勻梯度分布的特征。

最后，從隔振性能和耐撞性等綜合方面進(jìn)行了多目標(biāo)優(yōu)化，得到了新型三維超材料的優(yōu)化設(shè)計(jì)。本工作為開(kāi)發(fā)具有隔振性能和耐撞性的多功能超材料提供了新的可能性。原文總結(jié)： 該研究提出了一種新型的三維變形材料的設(shè)計(jì)，并對(duì)其振動(dòng)隔離能力和耐撞性進(jìn)行了全面的研究。通過(guò)多目標(biāo)優(yōu)化來(lái)優(yōu)化變形材料，同時(shí)考慮了振動(dòng)隔離和耐撞性。

Voronoi在各個(gè)學(xué)科中應(yīng)用廣泛，如進(jìn)行區(qū)域規(guī)劃、晶體塑性有限元研究、路徑優(yōu)化、地形簡(jiǎn)化、多孔結(jié)構(gòu)力學(xué)等方面的分析。 CAD Voronoi3D CAD Voronoi 3D參數(shù)化建模插件可用于在AutoCAD軟件內(nèi)生成三維Voronoi模型。

其中，O 固溶進(jìn)入 Si3N4 晶格形成的 Si 空穴造成強(qiáng)烈的聲子散射(式(1))，是降低 Si3N4 陶瓷熱導(dǎo)率的主要外部因素。當(dāng)前提升 Si3N4 陶瓷熱導(dǎo)率的手段主要有：(1)選用高純Si3N4 粉或更低氧含量的 Si 粉為原料； (2)選擇有效的非氧化物燒結(jié)助劑； (3)優(yōu)化燒結(jié)工藝或在高溫下對(duì)樣品進(jìn)行退火熱處理。

（譬如荒野大鏢客）a) 常壓優(yōu)化INCAR 與 晶格常數(shù)晶格常數(shù)：3.165（a、b），5.106（c）b) 190Gpa INCAR 與 晶格常數(shù)。晶格常數(shù)：3.165（a、b），5.106（c）我專(zhuān)門(mén)上vasp論壇看過(guò)，靜水壓的單位KB = 0.1Gpa。

晶格熱導(dǎo)率的計(jì)算計(jì)算晶格熱導(dǎo)率我們需要用到的軟件包括Phonopy,Thirdorder,ShengBTE。其中Phonopy用于計(jì)算聲子譜及二階力常數(shù)，Thirdorder用于計(jì)算三階力常數(shù)，ShengBTE用于結(jié)合前面兩者的結(jié)果計(jì)算晶格熱導(dǎo)率。

進(jìn)一步的優(yōu)化可以實(shí)現(xiàn)高分辨率分析，同時(shí)保持快速的處理速度，即使網(wǎng)格數(shù)量變得非常大。使用此方法的流程如下：a)在nTop中，為CAD模型中的指定零件生成晶格結(jié)構(gòu)。b)在scSTREAM中，先基于CAD模型進(jìn)行CFD網(wǎng)格劃分。c)nTop中選擇“導(dǎo)出隱式”，并輸出隱式文件。

用戶群 隱式建模 告別傳統(tǒng)晶格建模帶來(lái)的軟件卡頓與性能瓶頸，我們正式引入基于 數(shù)學(xué)函數(shù)定義的隱式場(chǎng)技術(shù)。該模塊實(shí)現(xiàn)了幾何表達(dá)的跨代飛躍：即便生成 數(shù)萬(wàn)個(gè)微細(xì)晶格結(jié)構(gòu)，頁(yè)面依然能保持 毫秒級(jí)的實(shí)時(shí)響應(yīng)與絲滑操作。通過(guò)其天然的連續(xù)性特征，為后續(xù)的隱式模型CAE求解與結(jié)構(gòu)拓?fù)?em>優(yōu)化提供底層支撐。

對(duì)于不同的制造方法，功能梯度多孔材料的幾何形狀可以是確定性的（例如，晶格結(jié)構(gòu)）或隨機(jī)的（例如金屬泡沫）。利用長(zhǎng)期建立的拓?fù)?em>優(yōu)化方法對(duì)前者的設(shè)計(jì)進(jìn)行了廣泛研究，而后者盡管在航空航天和生物醫(yī)學(xué)等工業(yè)領(lǐng)域廣泛使用，卻鮮有研究案例。 此項(xiàng)提出了一種新的兩步拓?fù)?em>優(yōu)化框架來(lái)設(shè)計(jì)二維隨機(jī)多孔結(jié)構(gòu)。

我們的期望是五邊形氣孔相比于圓柱形氣孔具有更優(yōu)良的光傳輸特性，對(duì)光的局域能力更強(qiáng)，因此先對(duì)波導(dǎo)的間隙、光子晶體晶格常數(shù)、圓氣孔半徑等參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化，得到最佳的有序五邊形氣孔的光子晶體波導(dǎo)傳輸特性，其次對(duì)中間六排的光子晶體引入無(wú)序模型，控制五邊形的旋轉(zhuǎn)無(wú)序程度來(lái)實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)的光場(chǎng)局域特性。

拓?fù)?em>優(yōu)化：運(yùn)用 Altair? OptiStruct? 開(kāi)展三類(lèi)優(yōu)化： 經(jīng)典拓?fù)?em>優(yōu)化 晶格結(jié)構(gòu)優(yōu)化 尺寸優(yōu)化確保設(shè)計(jì)同時(shí)滿足性能與減重要求。沖擊測(cè)試：通過(guò) Altair? Radioss? 進(jìn)行虛擬沖擊測(cè)試，驗(yàn)證工況下的耐久性。

md是載流子的平均有效質(zhì)量，由下面公式定義：C2D是均勻變形晶體的彈性模量，對(duì)于2D材料，彈性模量可以通過(guò)下面公式來(lái)計(jì)算 ，其中E是總能量，S0是優(yōu)化后的面積。本公式的單位：md(kg)、E1(J)、C2D(J/m2)、e(C)、g(J*s)、e(J/K)、m*(Kg)、使用的工具：VASP5.4.4版本及以上、vaspkit、origin。

3）微觀晶格和宏觀結(jié)構(gòu)的梯度設(shè)計(jì) 。 4）數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的集成工藝-結(jié)構(gòu)-性能的設(shè)計(jì) 。以實(shí)現(xiàn)多個(gè)工藝參數(shù)、打印方向和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的并行優(yōu)化。

方法一： 1、優(yōu)化結(jié)構(gòu)(二維材料需要考慮范德華校正、OPTCELL控制晶格等，根據(jù)實(shí)際情況而定) 2、SCF自洽計(jì)算，取CHGCAR進(jìn)行能帶計(jì)算 3、能帶計(jì)算之后得到highk.dat是高對(duì)稱(chēng)點(diǎn)的坐標(biāo)位置，這些坐標(biāo)就是能帶圖中對(duì)于的高對(duì)稱(chēng)位置。4、找到導(dǎo)帶底的位置，取其附近的點(diǎn)，示例取了9個(gè)點(diǎn)，如下圖，取得是G高對(duì)稱(chēng)點(diǎn)左右的9個(gè)點(diǎn)。