計算有效質量分為兩種方法，一是由能帶計算有效電子質量，二是結合vaspkit計算有效質量，下面分別闡述。

方法一：

1、優化結構(二維材料需要考慮范德華校正、OPTCELL控制晶格等，根據實際情況而定)

2、SCF自洽計算，取CHGCAR進行能帶計算

3、能帶計算之后得到highk.dat是高對稱點的坐標位置，這些坐標就是能帶圖中對于的高對稱位置。

4、找到導帶底的位置，取其附近的點，示例取了9個點，如下圖，取得是G高對稱點左右的9個點。注意這里X和Y是對稱的，最好取一側的，也就是X-G的，因為對于不同的體系不同的K點路徑曲率不同的。

5、橫坐標是動量空間 1/angstrom單位，要換成1/Born單位，橫坐標做變換x'=x*0.5292*2*pi/a, 其中a是晶格常數（認為是垂直與高對稱路徑面的方向，比如你走的是g2-g3面則a是x方向的晶格）。x是原來的坐標，x'是變換單位后的坐標。縱坐標變換y'=y/27.21。由ev換成hatree。

6、擬合：2階多項式，提取2次項 C。則m=1/(2*C)m0

方法二：結合vaspkit輕松求出有效質量

1、計算能帶，得到帶帶邊，價帶頂和導帶底均位于高對稱點K點處。或者直接通過vaspkit911得到帶邊位置

2、準備VPKIT.in，如下

 

3、運行vaspkit-912或者913產生KPOINTS，POTCAR，編寫INCAR(INCAR不能直接用vaspkit生成的)，

4、提交vasp任務，之后將VPKIT.in文件中第一行的1修改為2，然后再次運行vaspkit并選擇913，得到以下結果，即為空穴和電子的有效質量。

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